(株)サイエンスフォーラム 私たちはintelligenceを提供します。


ANDOR
図書案内 セミナー案内 オンデマンド版 食品産業戦略研究所 お問い合せ メールマガジン 会社案内 Home
エピタキシャル成長技術実用データ集【第2分冊―MBE】

コードNO0102
発 刊1987年11月20日
編集委員
冷水 佐壽 (株)富士通研究所 厚木研究所電子デバイス研究部門 主管研究員
佐野 直克 関西学院大学 理学部教授
森 芳文 ソニー(株)中央研究所第1研究部 主任研究員
価 格本体27,000円+税
体 裁A4判上製 横2段組 176頁
試 読
 可  試読のお申込はこちらから
書籍の注文画面へ 執筆者一覧へ 詳細な内容を見る

化合物半導体実用化の鍵を握るMBE技術の最新知見・データを集大成

主要構成

第1章 緒論
第2章 MBE結晶成長と装置
第3章 III-V族化合物半導体のMBE
第4章 II-VI族化合物半導体
第5章 デバイスへの応用

【第2分冊発刊にあたって】

 エピタキシャル成長技術は今日の半導体製造プロセスで最も注目され、進歩の著しい中核技術の一つである。中でも分子線エピタキシャル成長法(MBE)と有機金属化学気相成長法(MOCVD)は、 化合物半導体の製造において、その可能性と実用性をめぐって最も議論の活発なプロセス技術であり、化合物半導体実用化の鍵を握っていると言っても過言ではない。
 本書は、とくにMBEをとり上げ、広汎な技術資料・文献の収集と分析を通して、現在までに何が解決され何が不明として残されているか、技術の実用化の観点からそれらをどのように評価すべきかについて、 十分な問題意識と主張を持って編集された極めて実践的なデータ集である。本書の編集方針は次の通りである。
  1. 主要なデータを網羅し、その意味するところ、技術的なポイントおよび問題点を簡潔に指摘する。
  2. 図表をできる限り多用し、さらに技術上の争点と課題を明らかにすることにより、「実用データ集」を狙う。
  3. 文献およびデータは重要度に応じて選択し、重要度の高いものについて採り上げる。
 MBEとMOCVDは、時には競い合い時には補い合いつつ、互いに影響を及ぼすなかで、相互の役割を次第に明確にしつつある。本シリーズを通して、化合物半導体の実用化がさらに一層促進されることを念願する次第である。
編集委員

内容目次

第1章 緒論<冷水 佐壽>
  1. なぜ分子線エピタキシー(MBE)か?
  2. MBEの特徴
    2.1 低温成長と低成長速度
    2.2 大面積上の高均一成長
    2.3 高精度の膜厚制御性とシャープなヘテロ界面
    2.4 結晶成長条件の高い制御性とその場観察
  3. MBEの簡単な発展史
  4. MBEの問題点
  5. MBEの将来展望

第2章 MBE結晶成長と装置

第1節 結晶成長の制御性とIn-Situ観察<佐野 直克>
  1. MBE成長
  2. 結晶成長のその場観測
  3. 超格子構造の評価
第2節 MBE装置<佐野 直克>
  1. MBEシステムとその条件
    1.1 試料導入室と準備室
    1.2 成長室
  2. 装置取り扱い上の留意点
    2.1 ヌードセンセル
    2.2 基板ホルダー
第3節 MBE技術の改善の試み<成沢 忠>
  1. ガスソースの利用
  2. 活性粒子の利用
  3. MBE装置の大型化

第3章 III-V族化合物半導体のMBE

第1節 GaAs<藤井 俊夫>
  1. ノンドープGaAs
  2. MBE成長GaAsの深い準位
  3. n型GaAs
    3.1 SiドープGaAs
    3.2 SnドープGaAs
    3.3 GeおよびVI族元素をドープしたGaAs
  4. p型GaAs
    4.1 BeドープGaAs
    4.2 Be以外のp型不純物をドープしたGaAs
  5. GaAs表面欠陥
第2節 その他のIII-V族化合物<河村 裕一>
  1. InP
  2. GaSb
  3. InSb
  4. その他の材料
第3節 IV族上のIII-V族<西 清次>
  1. 成長の問題点
  2. Si基板上へのGaPの成長
  3. Si基板上へのGaAs、AlGaAsの成長
  4. Ge基板上へのGaAs、AlGaAsの成長、その他
第4節 AlGaAs<水谷 隆>
  1. レーザ・ダイオード
  2. ホトルミネッセンス
  3. DLTS
  4. 高純度AlGaAs成長
  5. 高温成長による組成変化
第5節 InGaAs<朝日 一>
  1. 組成制御
  2. 高品質InGaAs
    2.1 基板表面クリーニング
    2.2 格子整合度と膜質
    2.3 高純度InGaAs
  3. 不純物ドーピング
    3.1 n型ドーピング
    3.2 p型ドーピング
第6節 その他の3元化合物混晶<朝日 一>
  1. InAlAs
  2. InGaPとInAlP
  3. GaAsSb
  4. AIGaSb
  5. InAsSb
  6. GaAsPとInAsP
第7節 4元化合物結晶<朝日 一>
  1. InGaAlAs
  2. InGaAsP
  3. InGaAlP
  4. InGaAsSbとAlGaAsSb
第8節 その他のヘテロ構造<尾鍋 研太郎>
  1. GaInAs/AlInAs
  2. GaInAs(P)/InP
  3. GaSb/Al(Ga)Sb
  4. 歪超格子

第4章 II-VI族化合物半導体<八百 隆文>

  1. 分子線エピタキシャルの概要
    1.1 II-VI族化合物と構成元素の平衡蒸気圧
    1.2 MBE装置
    1.3 基板材料
    1.4 分子線源
    1.5 成長速度
    1.6 混晶の組成
    1.7 電子線回折と表面観察
  2. エピタキシャル膜の電気的・光学的特性
    2.1 ZnSe
    2.2 ZnTe
    2.3 CdxHgi-xTe

第5章 デバイスへの応用

第1節 超高速・超高周波デバイス<東坂 浅光>
  1. MBE技術を用いた新構造ヘテロ接合デバイス
    1.1 HEMT(Hign Electron Mobility Transistor)
    1.2 ヘテロMIS構造FET
    1.3 HBT、HET
  2. 超高速ディジタルICへの応用
  3. マイクロ波デバイスへの応用
第2節 発光デバイス<早川 利郎>
  1. AlGaAs系レーザ
    1.1 AlGaAsレーザ
    1.2 短波長化への試み
  2. 長波長レーザ
    2.1 AlGaInAsレーザ
    2.2 AlGaSbレーザ
    2.3 InGaAsPレーザ
第3節 受光デバイス<脇田 紘一>
  1. アバランシェフォトダイオード(APD)
  2. 新構造APD
  3. フォトダイオード
    3.1 PINフォトダイオード
    3.2 光導電形フォトダイオード
    3.3 その他の受光素子
第4節 その他の光デバイス<脇田 紘一>
  1. 光双安定/スイッチ素子
  2. 光変調器


このページの先頭へ

執筆者(執筆順・敬称略、肩書等は発刊時のものです)
 
冷水 佐壽(株)富士通研究所 厚木研究所電子デバイス研究部門 主管研究員
佐野 直克関西学院大学 理学部 教授
森 芳文ソニー(株)中央研究所第1研究部 主任研究員
成沢 忠松下電器産業(株)光技術開発推進センター川崎研究室 主任研究員
藤井 俊夫(株)富士通研究所 厚木研究所 半導体結晶研究部
河村 裕一日本電信電話(株)NTT光エレクトロニクス研究所 主任研究員
西 清次沖電気工業(株)基盤技術研究所電子部品研究部 研究主任
水谷 隆日本電気(株)基礎研究所半導体研究部 研究課長
朝日 一大阪大学 産業科学研究所 助教授/前 NTT 厚木電気通信研究所機能デバイス研究部 主幹研究員
尾鍋 研太郎日本電気(株)光エレクトロニクス研究所光基礎研究部 研究課長
八百 隆文工業技術院 電子技術総合研究所 基礎部 固体物性研究室長
東坂 浅光日本電気(株)化合物デバイス事業部基礎技術部 技術課長
早川 利郎シャープ(株)中央研究所第2研究部 係長
脇田 紘一日本電信電話(株)NTT光エレクトロニクス研究所光素子研究部 主幹研究員


書籍の注文画面へ このページの先頭へ
図書案内 セミナー案内 食品産業戦略研究所 オンデマンド版 メールマガジン お問い合せ 会社案内 Home