(株)サイエンスフォーラム 私たちはintelligenceを提供します。


ANDOR
図書案内 セミナー案内 オンデマンド版 食品産業戦略研究所 お問い合せ メールマガジン 会社案内 Home
ULSI製造装置実用便覧

コードNO0151
発刊日1991年11月30日
編 者
菅原 活郎 日立超LSIエンジニアリング(株)取締役 技師長
前田 和夫 (株)半導体プロセス研究所 代表取締役
価 格本体68,000円+税
体 裁A4判上製横2段組 520頁
試 読
 可  試読のお申込はこちらから
書籍の注文画面へ 執筆者一覧へ 詳細な内容を見る

ULSI製造装置実用便覧 0.5〜0.3μm時代を迎える最先端ULSIプロセス技術。 その鍵を握る「製造装置」の技術課題と開発動向を、デバイスプロセスの主要セグメントに沿って徹底集成

主要構成

第1篇 最先端デバイス製造プロセス
第1章 Advanced CMOS Device
第2章 Advanced BiCMOS Device
第3章 Advanced Bipolar Device
第4章 次世代実装技術
第2篇 0.5〜0.3μm対応半導体製造装置
第1章 洗浄装置
第2章 酸化装置
第3章 イオン打込み装置
第4章 アニール装置
第5章 CVD装置
第6章 PVD装置
第7章 パターン露光装置
第8章 レジスト処理装置
第9章 ドライエッチング装置
第10章 プロセス評価装置

【発刊にあたって】

 半導体デバイスは量産レベルでもサブミクロン時代に突入している。 MOSメモリのDRAMに例をとれば、量産は0.8μmプロセスを用いた4M DRAMまで、開発完成が0.6〜0.5μm技術の16M DRAM、研究段階が0.4〜0.3μmの64M DRAMと着実に世代の交代が進展しつつある。 これら最先端ULSIを開発・製造していくためには、プロセス技術、実際面で製造に移していく『製造装置』が技術的に重要なかぎをにぎっている。 この中で特に前工程―ウェハプロセスが大きなウェイトを占める。 さらに超薄型・高密度実装パッケージとの関連で後工程―アセンブリプロセスとウェハプロセスとの接点で発生する問題解決も図っていくことが必要とされている。
 そこで本便覧ではまず、総説として「ULSI時代の製造装置産業・技術の課題と展望」を概説する。 次に〔第1篇 最先端デバイス製造プロセス〕中で高集積化、高機能化、高信頼化、低コスト化を目指す最先端CMOS、BiCMOS、BiPolarデバイス、次世代実装技術について技術の進展と具体的な内容を説明し製造装置への要望をまとめている。 続いて〔第2篇 0.3μm対応半導体製造装置〕では、各プロセス技術の課題を説明した後、洗浄、酸化、イオン打込み、アニール、CVD、PVD、パターン露光レジスト処理、ドライエッチング、プロセス評価装置の詳細を具体的に記述している。 特に微細加工技術、多層化技術に必要とされる高精度化の他に大口径化の課題が追加される。 これら双方の要求を解決するため、ULSI製造・評価装置には高精度化・高スループット化という相反する課題の根本的な技術的見直しが強く要請されている。 統一した執筆コンセプトの下、縦糸のデバイス、横糸の半導体製造装置をからませ、強固なULSIを織り込んでいくうえで、両分野の第一線で活躍されている方々に執筆を依頼した。 これら共同作業の結果、最先端の内容、高度な技術レベルに仕上げ、企画の意図を達成できたものと考えている。
 本書は半導体デバイスメーカーの若手技術者、半導体装置・材料メーカーの技術者、半導体装置産業関連の営業およびマーケティング担当者などを対象として記述した。 これらの方々および広く半導体業界に関連した方々がULSI技術・装置を勉強し、また、直面した課題解決への指針を与え、広範囲な分野で有益なものとすることができれば著者全員の大きな喜びとするところである。
編者 菅原 活郎/前田 和夫

内容目次

総説 ULSI時代の半導体製造装置産業・技術の課題と展望<前田 和夫>
  1. 半導体製造装置産業とその現状
    1.1 歴史的回顧
    1.2 ULSIの進歩と装置産業
    1.3 90年代と21世紀の展望
    1.4 装置産業の課題
  2. 半導体製造装置技術の現状と課題
    2.1 半導体製造装置の分類
    2.2 半導体製造装置の型式・方式
    2.3 半導体製造装置と周辺技術
    2.4 0.3〜0.5μm時代における技術動向と展望
    2.5 90年代の技術課題
第1篇 最先端デバイス製造プロセス

第1章 Advanced CMOS Device

第1節 デバイス構成技術<豊島 義明>
  1. デバイス構成技術
    1.1 微細デバイスの動向
    1.2 微細デバイス構成技術
第2節 プロセスフロー<澤田 静雄>
  1. CMOSプロセス
  2. メモリーセル構造
  3. リソグラフィー
    3.1 解像力および焦点深度
    3.2 アライメント精度
    3.3 露光フィールド
  4. エッチング
    4.1 電極加工
    4.2 コンタクト加工
  5. 酸化拡散
    5.1 ゲート絶縁膜
    5.2 キャパシタ絶縁膜
  6. 層間絶縁膜形成技術
  7. 配線構成
第3節 プロセスの課題

(1) 歩留まり<澤田 静雄>
  1. ディフェクトと歩留まり
  2. リダンダンシー回路と歩留まり
  3. デザインルールと欠陥
  4. 今後の動向
(2) プロセスの信頼性<橋本 一彦>
  1. 配線プロセスの信頼性
  2. ゲート酸化膜の信頼性
  3. ソフト・エラー
第4節 プロセスの製造装置への要望と課題<橋本 一彦>
  1. デバイス設計の考え方
  2. プロセス動向と製造装置に対する要求
  3. CMOS技術の将来

第2章 Advanced BiCMOS Device

第1節 デバイス構成技術<小林 裕>
  1. BiCMOSの基本構造
    1.1 バイポーラ部のウエル構造
    1.2 CMOS部のウエル構造
  2. 高速化技術
  3. 低コスト化技術
  4. メモリLSIへの応用
  5. 今後の展開と低電源電圧化対応
第2節 プロセスフロー<長野 隆洋>
  1. プロセス構築の考え方
    1.1 ロジックLSI
    1.2 メモリLSI
    1.3 ロジック/メモリ混在LSI
  2. 要素プロセス・デバイス技術
    2.1 バイポーラトランジスタ
    2.2 CMOS FET
    2.3 メモリセル
  3. BiCMOSプロセスインテグレーションの実例
    3.1 イオン注入エミッタBiCMOSデバイス
    3.2 poly-SiエミッタBiCMOSデバイス
    3.3 2層poly-Si自己整合BiCMOSデバイス
第3節 生産ラインの構成<酒井 芳男>
  1. BiCMOS生産に必要な設備
  2. 埋込み拡散層・エピタキシャル層形成工程
  3. ウェル、引出しコレクタ層形成工程
  4. ゲート電極、真性ベース形成工程
  5. ソース・ドレイン層形成工程
  6. エミッタ形成工程
  7. 配線、電極形成工程

第3章 Advanced Bipolar Device

第1節 デバイスの高性能化技術<岡田 賢治>
  1. バイポーラトランジスタの特徴
  2. 高性能化技術
    2.1 デバイスに要求される事項
    2.2 メタライズに要求される事項
第2節 デバイス構成技術とプロセスフロー<田代 勉>
  1. バイポーラデバイス概説
  2. セルフアライン技術
  3. 素子分離技術
  4. 浅接合形成技術
第3節 生産ラインの構成<頼金 雅春>
  1. 生産ライン用個別装置
    1.1 フォトリソグラフィー
    1.2 エピタキシャル成長装置
    1.3 拡散・酸化装置
    1.4 気相成長装置
    1.5 ドライエッチング
    1.6 スパッタ装置
    1.7 その他
第4節 次世代デバイス対応技術<田代 勉>
  1. シリコンへテロバイポーラトランジスタ:SiHBT
  2. 選択的シリコン薄膜形成技術
  3. SOI技術
  4. メタライズ技術

第4章 次世代実装技術

第1節 パッケージング技術動向<村上 元/菅原 活郎>
  1. パッケージの分類
  2. 超LSIパッケージング技術動向
    2.1 パッケージ外形の進展
    2.2 多ピン化の動向
    2.3 薄型化動向
    2.4 放熱化
第2節 アセンブリフロー<村上 元/菅原 活郎>
  1. パッケージの構造
  2. 組立フロー
  3. モールドレジンと超LSI素子への影響
    3.1 熱応力による素子へのダメージ
    3.2 耐湿性―配線腐食断線
    3.3 ソフトエラー
    3.4 熱設計
    3.5 電気特性
第3節 次世代ウェハプロセスへの要望<村上 元/菅原 活郎>
  1. パッケージング技術の進展
  2. 高密度実装パッケージング技術の進展
  3. LOC技術とウェハプロセスへの要望
  4. 今後の課題

第2篇 0.5〜0.3μm対応半導体製造装置

第1章 洗浄装置

第1節 0.5〜0.3μm対応洗浄技術<渡辺 正博>
  1. 洗浄技術の役割
  2. 異物の除去
    2.1 AP洗浄
    2.2 物理力による洗浄
  3. イオン汚染除去
  4. 自然酸化膜除去
  5. その他の課題
    5.1 深溝洗浄技術
    5.2 枚葉洗浄
    5.3 乾燥技術
第2節 洗浄装置(1)―連続式<林 徳幸>
  1. 装置の概要
  2. 装置の歴史
  3. 装置の標準化
  4. 装置技術におけるキーポイント
    4.1 搬送ロボット
    4.2 薬液槽
    4.3 水洗槽
    4.4 乾燥
  5. 自動化対策
  6. 安全対策
  7. 今後の課題
    7.1 8インチ対応
    7.2 キャリアレス搬送
    7.3 システムの小型化
    7.4 コンタミネーションフリーの乾燥
    7.5 自然酸化膜の制御
第3節 洗浄装置(2)―EXCALIBUR無水弗酸ガスプロセスシステム<Jitesh Mehta>
  1. 開発の狙いと歴史
  2. 装置の原理
  3. 装置の概要
    3.1 用力設備(プロセスモデュール一台あたり)
    3.2 アプリケーション
  4. プロセスとプロセスデータ
    4.1 自然酸化膜除去
    4.2 制御された酸化膜のエッチング
    4.3 エッチレート選択比
    4.4 無限選択比エッチングプロセス
    4.5 マスクを用いた酸化膜エッチング
  5. マイクロコンタミネーション
  6. 装置の信頼性
    6.1 装置のメンテナンス
    6.2 自動化対応
  7. 今後の課題

第2章 酸化装置

第1節 0.5〜0.3μm対応酸化技術<山部 紀久夫>
  1. シリコン酸化
  2. ゲート酸化膜
  3. 酸化装置
第2節 酸化装置(1)<下田 高広>
  1. 概要
  2. 酸化炉
  3. 高温拡散炉
  4. リン拡散炉
  5. 今後の開発について
第3節 酸化装置(2)<佐藤 武敏/遠藤 好英>
  1. 装置の歴史
  2. 装置の概要
    2.1 炉本体
    2.2 ガス供給システム
    2.3 ウェハ搬送システム
    2.4 カセット搬送システム
    2.5 コントロールシステム
    2.6 クリーンエア供給システム
  3. 酸化装置におけるキーポイント
    3.1 炉内温度の均一性・安定性
    3.2 大気巻き込み防止
    3.3 パーティクル数低減
  4. 酸化膜圧データ
  5. 自動化
  6. 今後の展望

第3章 イオン打込み装置

第1節 0.5〜0.3μm対応イオン注入技術<塚本 克博>
  1. 浅い接合形成
  2. 斜め回転イオン注入
  3. チャージアップ
  4. 高エネルギーイオン注入
    4.1 ウェルエンジニアリング
    4.2 レトログレード・ツィンウェル
    4.3 pn接合のリーク電流
    4.4 注入されたキャリアの捕集
    4.5 ソフトエラー
    4.6 ラッチアップ
    4.7 素子分離
第2節 イオン打込み装置(1)―ミディアム・ハイカレント<前田 ゆう司/三木 俊彦>
  1. イオン注入機の種類
  2. 装置概要
    2.1 イオン注入機の構成
    2.2 E-220中電流型イオン注入機
    2.3 E-1000高電流型イオン注入機
  3. 装置に求められる性能
    3.1 高チルト、回転注入
    3.2 パラレルビーム
    3.3 低電圧と大電流ビーム
    3.4 チャージアップ
    3.5 コンタミネーション
    3.6 モニタリング
    3.7 オートメーション
第3節 イオン打込み装置(2)―ハイカレント<曽根 和穂>
  1. PI9200性能表
  2. 装置コンセプト
    2.1 コンパクト化
    2.2 機械的ビーム走査
    2.3 注入角度可変のホイール
    2.4 全自動コンピュータ制御化
    2.5 真空ロードロック
    2.6 フレオンフリー化
  3. 装置技術上のキーポイント
    3.1 チャージアップ対策
    3.2 パーティクル低減策
    3.3 ドーズ量計測方式
    3.4 ホイール型ウェーハ搭載方式
  4. プロセス技術データ
    4.1 注入均一性
    4.2 コンタミネーション(不純物汚染)
    4.3 浅いP型接合形成
    4.4 低温注入
  5. 装置の生産技術的スペック
    5.1 スループット
    5.2 稼働率、MTBF、MTTR
  6. 標準化対応
  7. メンテナンス対応
  8. 安全対応
    8.1 X線遮蔽
    8.2 注入インターロック
    8.3 その他のインターロック
  9. 今後の課題
    9.1 大口径イオン注入
    9.2 極低エネルギーイオン注入
    9.3 極低温イオン注入
    9.4 チャージアップ対策
    9.5 極低コンタミネーション注入
    9.6 パーティクル対策
第4節 イオン打込み装置(3)―ハイボルテージ<岩本 英司>
  1. 装置の概要、原理、分類
  2. 装置の簡単な歴史
  3. 装置コンセプトの比較
  4. 装置技術におけるキーポイント
    4.1 負イオン源とインジェクター
    4.2 加速電源
    4.3 エンドステーション(E/S)
  5. 装置の仕様
  6. 安全対応
    6.1 放射線対策
    6.2 高電圧
    6.3 セシウム
  7. 今後の課題
    7.1 パーティクル・汚染対策
    7.2 イオンビーム電流の増大
    7.3 ウェハーの冷却強化
    7.4 装置重量の軽減
    7.5 イオン源の長寿命化
    7.6 保守の容易さ
    7.7 ビームエネルギーのプログラミング変化

第4章 アニール装置

第1節 0.5〜0.35μm対応アニール技術<鈴木 俊治>
  1. イオン注入層の活性化
    1.1 浅いp+層の活性化
    1.2 浅いn+層の形成
  2. 絶縁膜の形成
  3. シリサイド形成
  4. 絶縁膜のリフロー
  5. プロセスインテグレーション
  6. RTPにとっての課題
第2節 アークランプアニール装置<柿崎 伸夫>
  1. 開発の狙いと歴史
  2. 装置概要
    2.1 概要
    2.2 アークランプ
    2.3 プロセスチャンバ
    2.4 温度コントロール方式
  3. プロセスとプロセスデータ
  4. 自動化対応
第3節 アニール装置―RTP装置<田原 英治/広川 秀児/広橋 徹郎/川瀬 信雄>
  1. 装置の概要、原理、分類
  2. 装置の簡単な歴史
  3. 装置コンセプトの比較
  4. 装置技術におけるキーポイント
    4.1 温度均一性の向上
    4.2 結晶欠陥(スリップライン)の抑制
    4.3 放射率の変化に対する補正機能
  5. プロセスデータ
    5.1 酸化膜・窒化膜の形成
    5.2 イオン注入層の活性化
    5.3 絶縁膜のリフロー
    5.4 チタンのシリサイド化・窒化
    5.5 アルミ電極のシンタ
  6. 装置の生産技術的スペック
  7. パーティクル、汚染対策
  8. 自動化対応
  9. 標準化対応
  10. メンテナンス対応
  11. 安全対応
    11.1 各ドアインターロック
    11.2 冷却水インターロック
    11.3 過熱インターロック
  12. 今後の課題

第5章 CVD装置

第1節 0.5〜0.35μm対応CVD技術<前田 和夫>
  1. ULSIにおける薄膜の応用とCVD技術
  2. CVDの技術的区分
  3. ULSIにおけるCVD膜形成技術
    3.1 半導体膜
    3.2 絶縁膜
    3.3 金属膜
    3.4 複合的CVD膜
  4. CVD装置とその区分
  5. CVD技術の新しい展開、TEOS-O3 APCVD
  6. CVD技術の今後の課題と展望
第2節 CVD装置(1)―LPCVD<中村 直人/遠藤 好英>
  1. LPCVDの原理
  2. LPCVD装置の構成
  3. 横型から縦型への移行
  4. ウェハプロセス全体の自動化に向けて
  5. LPCVD装置技術における重要な点
  6. LPCVDによる膜生成データ
  7. 安全対策
  8. 今後の課題
第3節 CVD装置(2)―LPCVD<林 義宣/重松 伸明>
  1. 概要
  2. 装置の歴史
  3. 東京エレクトロン(株)社製LP-CVD装置
  4. メンテナンス対応
  5. 自動化対応
  6. 今後の視点および課題
第4節 CVD装置(3)―マルチチャンバ<宇佐美 直己>
  1. 装置の概要
  2. 装置の特徴
  3. プロセス
    3.1 セルフプレナライゼーション(自動平坦化)
    3.2 等方性スムージングエッチバック
    3.3 スパッタエッチ
    3.4 各デバイスへの応用プロセス
  4. P-5000CVD装置における安全性
    4.1 電気的安全対策
    4.2 ガス取扱いに関する安全対策
  5. マイクロコンタミネーション
  6. 今後の課題
第5節 CVD装置(4)―ワトキンス・ジョンソン社、連続式<安藤 真人>
  1. 装置の概要、原理
  2. 装置の歴史
  3. 装置コンセプトの特徴
  4. プロセス技術におけるキーポイント
  5. プロセスデータ
    5.1 BPSGリフロー特性
    5.2 不純物導入特性
    5.3 BPSG膜の安定性
    5.4 成膜特性
  6. 装置の生産技術的スペック
    6.1 占有面積
    6.2 アップ・タイム
  7. パーティクル、汚染対策
  8. 自動化対応
  9. メンテナンス対応
  10. 安全対策
  11. 将来展望
    11.1 平坦化
    11.2 8インチウェハ対応
第6節 エピタキシャル成長装置<柴田 英治/黒河 治重>
  1. 装置の概要
  2. 国際電気製エピタキシャル成長装置の特徴
  3. DC-7000の構成と定格
    3.1 反応炉
    3.2 ガスシステム
    3.3 高周波発振機
    3.4 排気システム
    3.5 自動化ウェハハンドリングシステム
  4. プロセスデータ
    4.1 膜厚と抵抗率分布
    4.2 高周波加熱法による減圧エピタキシャル成長
    4.3 高周波加熱法による低温減圧エピタキシャル成長
    4.4 ホットウォール法による低温エピタキシャル成長

第6章 PVD装置

第1節 0.5〜0.3μm対応PVD技術<菅原 活郎/加藤 登季男/大貫 仁>
  1. PVD技術動向
  2. 注目すべきPVD技術
    2.1 PVD膜のステップカバレジ
    2.2 Al膜のエレクトロマイグレーション
    2.3 Al膜のストレスマイグレーション
  3. 注目すべき多層配線技術
    3.1 平坦化技術
    3.2 低ストレス
    3.3 電気的特性との関連
  4. PVD装置に対する要望
第2節 PVD装置(1)<石田 哲夫>
  1. PVD装置の歴史および概要
  2. マルチチャンバコンセプトの比較
  3. PVD装置への課題技術(0.25μm時代を迎えて)
    3.1 ステップカバレッジの改善
    3.2 配線寿命
    3.3 高融点材料
    3.4 前処理
    3.5 膜中異物低減
    3.6 信頼性、安全性
    3.7 自動化対応
    3.8 その他
  4. 装置の実際
    4.1 ステップカバレッジの改善
    4.2 膜質改善
    4.3 前処理技術
    4.4 膜中異物低減
    4.5 自動化対応
    4.6 信頼性対応
    4.7 安全性、メンテ性
  5. 今後の課題
    5.1 PVD-CVDを含む複合プロセス対応
第3節 PVD装置(2)<小日向 久治>
  1. スパッター装置の概要
  2. 装置の歴史
  3. PVDシステムの今後の動向とキーポイント
    3.1 超高真空化
    3.2 微細化への対応
    3.3 パーティクルレスへの対応
    3.4 ウェーハー大口径化への対応
    3.5 その他

第7章 パターン露光装置

第1節 0.5〜0.3μm対応パターン露光技術<中瀬 真>
  1. パターン露光技術と解像力
  2. g/i線露光技術
    2.1 露光装置
    2.2 レジスト材料
  3. エキシマレーザ露光技術
    3.1 露光装置
    3.2 レジスト材料
  4. ステップアンドスキャン露光技術
  5. 電子線露光技術
  6. X線露光技術
  7. マスク技術
第2節 パターン露光装置(1)<鈴木 一明>
  1. 縮小投影露光装置
  2. 縮小投影露光装置(ステッパ)の原理と主要性能
  3. 縮小投影光学系のパラメータ
  4. エキシマステッパの歴史
  5. 投影光学系、照明系の特徴とレーザに対する要求
    5.1 波長安定性、スペクトル幅←投影レンズ
    5.2 ビーム発散角←干渉縞、スペックル低減
    5.3 パルス間エネルギー安定性←露光量制御
    5.4 レーザ発振周波数←スループット
  6. アライメント系
  7. 今後の課題
第3節 パターン露光装置(2)<綾田 直樹/吉成 秀樹>
  1. ステッパ概論
    1.1 投影レンズ
    1.2 オート・アライメント技術
  2. g線ステッパ
    2.1 g線ステッパの動向
    2.2 FPA-1550M4W
  3. i線ステッパ
    3.1 i線化の動向
    3.2 FPA-2000il
  4. 今後の展開
    4.1 i線露光方式の展開
    4.2 エキシマステッパ
    4.3 X線、EB露光

第8章 レジスト処理装置

第1節 0.5〜0.3μm対応レジストプロセス技術<笠間 邦彦>
  1. レジストプロセスの概要
  2. レジストの化学
    2.1 ノボラック系レジスト
    2.2 化学増幅系レジスト
  3. 寸法変動要因とその対策
    3.1 近接効果による寸法変動
    3.2 基板段差効果による寸法変化
  4. 各種レジストプロセス手法
    4.1 位相シフト法
    4.2 FLEX法
    4.3 CEL法
    4.4 レジスト難溶化処理法
第2節 レジスト処理装置(1)<美作 昌宏/浅井 正也/平井 博之/杉本 憲司>
  1. 概要
  2. 装置の特徴
    2.1 省スペース
    2.2 ハーフミクロン対応
    2.3 高スループット
    2.4 低パーティクル
    2.5 イージーオペレーション
    2.6 安全性
  3. 各部の性能
  4. 今後の対応
第3節 レジスト処理装置(2)<伊東 晃>
  1. レジスト処理装置の歩み
    1.1 自動機の登場
    1.2 ネガプロセスからポジプロセスへ
    1.3 無人化
  2. コンセプト比較
    2.1 トラック搬送 vs 共通搬送
    2.2 一体構造 vs 分離構造
    2.3 1本アーム vs 2本アーム
  3. プロセス処理ユニット
    3.1 レジストコータ
    3.2 デベロッパー
    3.3 オーブン
    3.4 ウェハ周辺露光
    3.5 その他周辺ユニット
  4. パーティクル対策
    4.1 裏面パーティクル
    4.2 薬液自動供給/直排式ドレイン
  5. 自動化
  6. 今後のプロセス的課題
第4節 アッシング装置<土方 勇>
  1. アッシング装置の概要
  2. 同軸型アッシング装置
  3. 枚葉式ダウンストリーム方式
    3.1 プロセス特性
    3.2 イオン注入レジストのアッシング
    3.3 プラズマダメージの影響
  4. マイクロ波アッシャー
  5. 光、オゾンアッシング

第9章 ドライエッチング装置

第1節 0.5〜0.3μm対応ドライエッチング技術<中村 守孝>
  1. ドライエッチングの課題と2つのアプローチ
  2. プラズマ制御
    2.1 低エネルギー化の限界
    2.2 磁場形成の最適化
  3. 表面反応の制御
    3.1 エッチングにおける表面反応
    3.2 低温エッチング
    3.3 クリーン化エッチング
  4. パーティクル
第2節 次世代ドライエッチング装置のコンセプト<鵜飼 勝三>
  1. 0.5〜0.3μm時代のエッチング動向
  2. 要求されるドライエッチング技術
    2.1 エッチング形状およびサイドエッチング制御
    2.2 高選択性
    2.3 ダメージフリー
    2.4 装置の信頼性
  3. ブレークスルー技術
    3.1 高速エッチングとダメージフリープロセス
    3.2 低温プロセス
    3.3 マルチチャンバプロセス
    3.4 高信頼性プロセス
  4. 要求される装置コンセプト
第3節 マイクロ波プラズマエッチング装置<西海 正治>
  1. 装置の概要、原理、分類
    1.1 マイクロ波プラズマエッチング装置の概要
    1.2 マイクロ波プラズマエッチング装置の原理
    1.3 装置の分類
  2. 装置の簡単な歴史
  3. 装置コンセプトの比較
  4. 装置技術におけるキーポイント
  5. プロセスデータ
    5.1 メタル配線材料のM-308プロセス
    5.2 ゲート材料のM-318プロセス
    5.3 絶縁膜材料のM-328プロセス
  6. パーティクル、汚染対策
    6.1 パーティクル対策
    6.2 汚染対策
  7. 自動化対応
    7.1 FA化ユニット
    7.2 モニタリング機能
    7.3 自己診断機能
  8. 標準化対応
  9. 安全対策
  10. 今後の展望
第4節 マグネトロンRIE装置<土田 一美/藤浪 正行/米倉 幸一>
  1. 装置の歴史
  2. 装置の概要
  3. プロセス
    3.1 高選択比ゲート材料エッチング
    3.2 アルミ合金膜エッチング
    3.3 シリコントレンチエッチング
    3.4 終点検出器
  4. 安全について
  5. 今後の課題

第10章 プロセス評価装置

第1節 0.5〜0.3μm対応プロセス評価技術<小山 浩>
  1. 不純物評価の状況
  2. 微細形状評価の状況
  3. これからのプロセス評価
    3.1 断面TEM
    3.2 STM
    3.3 EXAFS(広域X線吸収微細構造)解析
    3.4 その他
  4. 信頼性評価
第2節 超高分解能走査電子顕微鏡(UHRSEM)<永谷 隆/中泉 泰>
  1. インレンズ方式FESEMの概要
  2. 分解能評価
  3. 低加速電圧SEM法
  4. 応用
第3節 断面TEM<小野 昭成>
  1. 原理
    1.1 コントラスト
    1.2 分解能
  2. 歴史
  3. 電子回折と元素分析
    3.1 制限視野回折
    3.2 マイクロビーム回折
    3.3 収束電子回折
    3.4 元素分析
  4. 装置の構造
    4.1 照射系
    4.2 試料ステージ
    4.3 結像系
    4.4 観察・記録系
  5. 試料作製
    5.1 電解研磨
    5.2 イオン研磨
    5.3 超薄切片
  6. 取扱いのポイント
    6.1 軸合せ
    6.2 試料の方位合せ
    6.3 非点補正
    6.4 焦点合せ
    6.5 性能チェック
  7. 種類
  8. 今後の課題
第4節 収束イオンビーム装置<足立 達哉>
  1. 概要
  2. 液体金属イオン源
  3. イオン光学系
  4. イオン顕微鏡
  5. イオンビームCVD
  6. SMI8000シリーズ
  7. アプリケーション
    7.1 回路修正
    7.2 断面観察
    7.3 結晶粒観察
第5節 走査型トンネル顕微鏡(STM)<保坂 純男>
  1. 計測原理
  2. STMの装置構成
    2.1 探針
    2.2 機構系
    2.3 制御系
  3. 半導体への応用例
    3.1 Si表面の原子配列の観察
    3.2 STSおよびCITSによるSi-pn接合部の観察
    3.3 TBIによるポリシリコン表面の観察
    3.4 BEEMによる金属−半導体界面の電子状態の観察
    3.5 STPによる電位分布の計測
  4. 液中STMによる電気化学溶液中での化学反応過程の観察
    4.1 液体用および電気化学用STM装置
    4.2 硫酸溶液中でのPt電極表面の観察


このページの先頭へ

執筆者一覧(敬称略、肩書等は発刊時のものです)
 
■ 編者
菅原 活郎日立超LSIエンジニアリング(株)取締役 技師長
前田 和夫(株)半導体プロセス研究所 代表取締役
 
■ 執筆者(執筆順)
前田 和夫(株)半導体プロセス研究所 代表取締役
豊島 義明(株)東芝 半導体技術研究所 第2LSI技術開発部 開発主務
澤田 静雄(株)東芝 半導体技術研究所 第1LSI技術開発部 開発主務
橋本 一彦(株)東芝 半導体技術研究所 第2LSI技術開発部 課長
小林 裕(株)日立製作所 日立研究所企画室兼第7部 主任研究員
長野 隆洋(株)日立製作所 日立研究所第7部 主任研究員
酒井 芳男(株)日立製作所 半導体設計開発センタ プロセス技術開発部 副部長
岡田 賢治日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所 所長代理
田代 勉日本電気(株)超LSI開発本部デバイス開発部 課長
頼金 雅春日本電気(株)バイポーラ事業部製品技術部 課長
菅原 活郎日立超LSIエンジニアリング(株)取締役 技師長
村上 元(株)日立製作所 半導体設計開発センタ パッケージ技術開発部 高崎分室長
渡辺 正博(株)日立製作所 生産技術研究所 第2部26研究室 主任研究員
林 徳幸大日本スクリーン製造(株)化工機工場技術1課 係長
Jitesh MehtaFSI社
山部 紀久夫(株)東芝 ULSI研究所研究第2部 主任研究員
下田 高広東京エレクトロン(株)拡散システム部 係長
遠藤 好英国際電気(株)富山工場プロセス技術センタ センタ長
佐藤 武敏国際電気(株)富山工場プロセス技術センタ
塚本 克博三菱電機(株)LSI研究所最先端デバイス技術部 部長
前田 ゆう司テル・バリアン(株)第2技術部 部長代理
三木 俊彦テル・バリアン(株)第1技術部 課長代理
曽根 和穂アプライドマテリアルズジャパン(株)AIT事業部技術部 部長
岩本 英司日新ハイボルテージ(株)前橋製作所 技術課長
鈴木 俊治ソニー(株)超LSI開発本部第2研究部 課長
柿崎 伸夫イノテック(株)インプラRTP部 グループリーダー課長
川瀬 信雄キヤノン販売(株)プロセス機器技術部 副部長
広橋 徹郎キヤノン販売(株)プロセス機器技術部 プロセス機器技術1課 課長
田原 英治キヤノン販売(株)プロセス機器技術部 プロセス機器技術1課
広川 秀児キヤノン販売(株)プロセス機器技術部 プロセス機器開発課
中村 直人国際電気(株)富山工場プロセス技術センタ
林 義宣東京エレクトロン(株)技術本部長
重松 伸明東京エレクトロン(株)技術本部DSグループ 課長
宇佐美 直己アプライドマテリアルズジャパン(株)ACET製品事業本部 プロセス技術部
安藤 眞人(株)丸紅ハイテック・コーポレーション 半導体装置事業部技術2部 技術1課
黒河 治重国際電気(株)富山工場 副工場長
柴田 英治国際電気(株)富山工場プロセス技術センタ 主任
加藤 登季男(株)日立マイコンシステム 高崎事業所試作部 副技師長
大貫 仁(株)日立製作所 日立研究所第7部 主任研究員
石田 哲夫日電アネルバ(株)第1技術本部 第1薄膜技術部長
小日向 久治日本真空技術(株)半導体装置事業部長
中瀬 真(株)東芝 ULSI研究所研究4部 主任研究員
鈴木 一明(株)ニコン精機 第1設計部第5設計課 係長
綾田 直樹キヤノン(株)半導体機器第1開発部 部長
吉成 秀樹キヤノン(株)半導体機器事業部 部長
笠間 邦彦日本電気(株)超LSI開発本部プロセス開発部 技術課長
浅井 正也大日本スクリーン製造(株)洛西工場 技術1課 係長
平井 博之大日本スクリーン製造(株)洛西工場 技術管理課 係長
美作 昌宏大日本スクリーン製造(株)洛西工場 技術1課 主任
杉本 憲司大日本スクリーン製造(株)洛西工場 技術1課
伊東 晃東京エレクトロン(株)フォトリソ洗浄システム部 主任
土方 勇東京応化工業(株)研究所 主任技師
中村 守孝富士通(株)プロセス開発部 第2開発部第3開発課 課長
鵜飼 勝三日電アネルバ(株)規格品本部 技術部長
西海 正治(株)日立製作所 笠戸工場半導体装置部 主任技師
土田 一美アプライドマテリアルズジャパン(株)ACET事業部プロセス技術部 主任
藤浪 正行アプライドマテリアルズジャパン(株)ACET事業部プロセス技術部 主任
米倉 幸一アプライドマテリアルズジャパン(株)ACET事業部プロセス技術部
小山 浩三菱電機(株)LSI研究所 評価解析センター長
永谷 隆埼玉工業大学 工学部基礎工学科 教授
中泉 泰(株)日立製作所 計測器事業部電子応用システム部 主任技師
小野 昭成日本電子データム(株)電子光学機器サービス部 部長
足立 達哉セイコー電子工業(株)科学機器事業部開発第2部 部長
保坂 純男(株)日立製作所 中央研究所第4部 主任研究員


書籍の注文画面へ このページの先頭へ
図書案内 セミナー案内 食品産業戦略研究所 オンデマンド版 メールマガジン お問い合せ 会社案内 Home