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ULSIプロセス材料実務便覧

コードNO0152
発 刊1992年1月
監 修
津屋 英樹 日本電気(株)研究開発グループ主席研究員
価 格 本体65,000円+税
体 裁A4判上製 480頁
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16〜64M量産のための各種プロセス材料について、求められる条件、品質管理技術・評価技術を詳述した必携のハンドブック

主要構成

第1章 基板材料
第2章 リソグラフィ材料
第3章 電極配線材料
第4章 半導体用ガス材料
第5章 半導体用化学薬品
第6章 半導体用超純水
第7章 半導体実装材料

【発刊にあたって】

 超LSIはサブミクロンからサブハーフミクロンへ、さらにはクォータミクロンレベルの技術開発が加速している。 量産レベルでは0.5μmルールの16MDRAMの目途がほぼつきつつあり、また研究レベルでは、いよいよ256Mという1Gビット直前のDRAMが学会に登場してくるのは必至である。 つまり、今日ではVLSIからULSIへ完全に移行したといってよい。
 このLSIの進歩はプロセス技術と回路設計技術の発展によってもたらされたが、材料技術の果たしてきた役割は実に大きいものがある。 例えばシリコン結晶技術の進歩がウェーハの大口径化、高品質化を実現し、これが集積度の向上を確実に推し進めた。 良いハードウェアを作るためには良い材料が必要であり、その意味で「材料を制する者は技術を制す」という言葉は、けだし名言といえよう。
 材料技術の貢献は何もシリコン基板に限ったわけではなく、チップを構成するさまざまな金属材料や絶縁物はデバイスの性能を大きく引き出すために、高純度化が進められ、またその形成方法が開発され、さらには新しい材料の導入も次々に行われた。 16MDRAMでは、W、Tiなどの高融点金属をはじめとして、10数種類の材料がチップに取り込まれている。
 また当然のことながら、これらのチップ構成材料のもとになる多くのガスや液体・固体ソースなどのいわゆる補助材料をはじめ、レジスト材料、薬品、洗浄材料など数えきれないほどの材料が用いられていることを忘れてはならない。
 さらに組立プロセスでは、リードフレーム、ワイヤ、パッケージ、チップ基板、封止材などに金属、セラミック、樹脂など、無機から有機まで広範囲な材料が利用されており、元素数にしても30種類を超える。
 ULSIの進展とともに、今後とも多くの新しい材料や技術が登場しよう。 これらはデバイスの性能を向上させるばかりでなく、複雑になりがちなデバイス構造や製造プロセスをよりシンプルな方向へ導くブレークスルーの技術となる可能性を秘めている。 ULSIの開発・実用化を進める上で、材料技術の重要性は40年前のトランジスタ発明時代と全く変わっていない。 今後材料技術はますます発展し、メガビットからギガビットへ向かうULSIに大きく貢献していくことは疑う余地がない。 新材料の開発がデバイスの性能を飛躍的に高めることは過去の歴史が証明している。 その意味でデバイスメーカ、材料メーカ、装置メーカの三者が連携をとり、ベクトルを合わせていくことが、ますます重要になるであろう。
 本書は以上の現状認識に立脚して企画・編集されたものである。 幸い、各分野の第一線で研究・開発を推進している方々のご執筆協力を得られたことで、編集意図は十全に達成されたと自負しているとともに、半導体産業界の発展に多少なりとも寄与しうる成書の一冊となるであろうことを確信している。
監修者 津屋 英樹

内容目次

序 ULSIプロセス材料の現状と展望<津屋英樹>
  1. ULSIプロセスにおける材料
  2. シリコン単結晶基板材料
  3. 拡散プロセス材料
    3.1 容量膜材料
    3.2 ゲート電極材料
    3.3 層間絶縁膜材料
    3.4 配線材料
    3.5 パッシベーション材料
    3.6 リソグラフィ材料
    3.7 その他の材料
  4. 組立プロセス材料

第1章 基板材料

第1節 高純度シリコン多結晶<今井 正人/秋山 信之>
  1. シリコン多結晶の製造方法
    1.1 SiH4の製造法
    1.2 SiHCl3の製造法
    1.3 シリコン多結晶の製造法
  2. シリコン多結晶の品質
    2.1 要求される品質
    2.2 シリコン多結晶の評価方法
  3. 今後の材料動向
第2節 CZシリコン基板材料<藤野 允克>
  1. 半導体材料基本特性
    1.1 抵抗率
    1.2 結晶含有酸素濃度
  2. プロセスからの要求特性
    2.1 バルク欠陥
    2.2 プロセス起因欠陥
    2.3 酸化膜耐圧特性
第3節 MCZシリコン基板材料<鹿島 一日児>
  1. MCZ法の種類と特徴
    1.1 磁場による熱対流抑制の原理
    1.2 磁界印加法
    1.3 超伝導電磁石と常伝導電磁石
    1.4 融液の温度変動
    1.5 結晶の引き上げ速度
  2. 酸素・不純物の制御
    2.1 酸素濃度
    2.2 ドーパント濃度
    2.3 高抵抗率結晶
  3. 析出・欠陥の制御
    3.1 酸素析出の遅延現象
    3.2 成長縞
    3.3 反り
  4. 電気特性と応用
    4.1 ライフタイム
    4.2 NTD基板
  5. 今後の展開
第4節 エピタキシャル基板材科<池田 哲夫/河野 光雄/渡部 雅>
  1. エピ成長プロセス
    1.1 エピタキシャルウェーハと工程フロー
    1.2 使用ガス
    1.3 成長炉
    1.4 周辺材料
  2. エピの特徴
    2.1 長所
    2.2 問題点
    2.3 サブ特性の影響
  3. 用途別現状の問題と将来動向
    3.1 ディスクリート
    3.2 バイポーラ、バイCMOS
    3.3 MOSIC
  4. 評価方法
第5節 SOI基板材料

(1) 貼り合せSOI基板材料<斉藤 雄一>
  1. SOI基板材料の概要
  2. 貼合せ法によるSOI基板技術
    2.1 貼合せ技術
    2.2 SOI基板の製造方法
  3. 貼合せ法によるSOI基板のポテンシャル
(2) SIMOX基板材料<矢野 孝幸>
  1. SIMOXウェハの構造と製造プロセス
    1.1 構造
    1.2 製造プロセス
  2. SIMOXウェハ
    2.1 SIMOXウェハの特徴
    2.2 Si02層の特性
    2.3 欠陥
    2.4 金属汚染
  3. SIMOXデバイス
    3.1 SIMOXデバイスの用途
    3.2 SIMOXデバイスの特徴
  4. 今後の課題
第6節 シリコン基板材料の評価・測定技術<三上 雅生>
  1. 加工表面平担度
  2. 固溶酸素及び炭素濃度
  3. 結晶欠陥
  4. 金属汚染とパーティクル
  5. 酸化膜絶縁耐圧
  6. 不純物ドーピング特性

第2章 リソグラフィ材料

第1節 フォトマスク材料<高橋 洋一>
  1. フォトマスクの製造工程
  2. フオトマスクの種類と特徴
    2.1 フォトマスクの構造
  3. フォトマスクに要求される精度
    3.1 寸法精度
    3.2 重ね合わせ精度
    3.3 欠陥サイズ
  4. レジスト材料
    4.1 ポジ型電子線レジスト材料
    4.2 ネガ型電子線レジスト材料
    4.3 レーザー露光用レジスト材料
    4.4 フォトマスク用電子線レジスト材料の条件
    4.5 品質管理
    4.6 導電性
  5. エッチング材料
    5.1 ウェットエッチング材料
    5.2 ドライエッチング材料
    5.3 アンダーカット
  6. レジスト剥膜材料
  7. マスク修正材料
  8. マスク洗浄材料
  9. マスクケース材料
第2節 フォトマスクブランク材料<流川 治>
  1. ガラス基板材料
    1.1 ガラス素材の種類と特性
    1.2 石英ガラス
    1.3 ガラス基板のSEMI規格
  2. マスクブランク
    2.1 クロムマスクブランク
    2.2 レジスト材料
    2.3 検査技術
  3. サブミクロン用マスクブランク
    3.1 欠陥
    3.2 位置精度
第3節 位相シフトマスク材料<岡崎 信次>
  1. 光リソグラフィ技術の問題点
  2. 位相シフト法の概要
  3. 位相シフター材料の条件とシフター材料の例
第4節 X線マスク材料<鈴木 克美>
  1. X線マスクの構造と特徴
  2. X線マスク基板材料
  3. X線吸収体パターン材料
  4. 縮小X線リソグラフィ用マスク材料
第5節 ペリクル材料<中川 広秋/吾郷 時則>
  1. ペリクルとは
    1.1 歴史
    1.2 構造と原理
  2. ペリクルに求められる特性とその現状
    2.1 耐光性
    2.2 透過率
    2.3 異物
  3. 次世代のペリクル
    3.1 耐光性について
    3.2 異物管理について
第6節 g線、i線フォトレジスト材料<花畑 誠>
  1. リソグラフィ用レジスト材料
    1.1 ノボラック樹脂−ジアゾナフトキノン系ポジ型フォトレジスト
  2. 半導体デバイスの高集積化とレジストヘの要求性能
    2.1 DRAMの集積度とリソグラフィ
    2.2 レジストヘの要求性能
  3. ポジ型フォトレジストの材料技術と到達レベル
    3.1 像形成プロセスとレジスト高性能化の指針
    3.2 ノボラック樹脂の分子設計
    3.3 ジアゾナフトキノン化合物の分子設計
  4. 実用上の課題と対応策
第7節 DUVレジスト材料<上野 巧>
  1. deep-UVレジスト
    1.1 ポジ型レジスト
    1.2 ネガ型(架橋型)レジスト
    1.3 化学増幅系レジスト
    1.4 ドライ現象レジスト
第8節 電子線・X線レジスト材料<野々垣 三郎>
  1. 電子線リソグラフィ
  2. 電子線レジストの動作原理
  3. ポジ型電子線レジスト
  4. ネガ型電子線レジスト
  5. X線リソグラフィ
  6. X線レジスト

第3章 電極配線材料

第1節 電極配線用スパッタリングターゲット材料<大城 正晴>
  1. 高純度Al、Al合金ターゲット
    1.1 Al、Al合金膜の製法
    1.2 Alの高純度化
    1.3 マイグレーション対策
    1.4 Al、Al合金ターゲットの製造プロセス
  2. 高融点金属、シリサイドターゲット
    2.1 シリサイドターケ・ソト
    2.2 高融点金属ターゲット
  3. メタルボンディング技術
第2節 層間絶縁膜材料

(1) 形成法と材料<前田 和夫>
  1. ULSIにおける層間絶縁膜
  2. 層間絶縁膜技術の現状
    2.1 層間絶縁膜-1
    2.2 層間絶縁膜-2
    2.3 サイドウォールスペーサ膜
    2.4 パッシベーション膜
  3. 今後の展望
(2) ポリイミド<国宗 弘一>
  1. ポリミイド膜の一般的特性
    1.1 塗布液
    1.2 塗膜の形成
    1.3 塗膜の特性
  2. 層間絶縁膜用ポリイミド
    2.1 ポリマー構造
    2.2 塗布液
    2.3 塗膜の特件
  3. 今後の方向
(3) TEOS<二木 剛彦>
  1. 表記方法
  2. CVD法二酸化珪素成膜に用いられる原料
  3. 気化
  4. 分解
  5. 着床
  6. 側鎖と面流
  7. 原料の検討と併用
  8. 反応の分離
  9. 石化
  10. 硼素燐の添加
(4) SOG<橋本 晃>
  1. SOGの種類
  2. SOG(OCD)の特性
  3. 平担化を必要とするプロセス
  4. SOCによる平担化法の特徴
    4.1 SOG法のデメリット
    4.2 SOG法のメリット
  5. SOGによる平担化法
    5.1 上塗り法(Overcoat Process)
    5.2 中塗り法(Sandwich Process)
    5.3 SOGエッチバック法(SOG Etch・Back Process)
    5.4 下塗り法(Undercoat Process)
  6. CVD-SOG法による平担化ポイント
  7. CVDとSOGの組み合わせ使用の時代的流れ
  8. 16〜64メガDRAM時代におけるSOG
第3節 ボンディングワイヤ<福井 康夫/白川 信次>
  1. ボンディングワイヤの概要
    1.1 半導体パッケージの動向
    1.2 ワイヤボンド法とワイヤレスボンド法
  2. Auボンディングワイヤ
    2.1 Auワイヤの種類と性質
    2.2 ループ形状
    2.3 ボール形状
    2.4 接合の信頼性
    2.5 リード側の接合強さ
    2.6 ワイヤボンドとキャピラリ
  3. Al系ボンディングワイヤ
    3.1 高純度Alワイヤの耐湿性改善
    3.2 Al-1%Siワイヤの耐湿性改善
  4. ワイヤレスボンディング
    4.1 ワイヤボンディング法によるバンプ形成
  5. 今後の動向

第4章 半導体用ガス材料

第1節 半導体製造プロセスに使用されるガス(総論)<原田 光>
  1. LSIプロセス技術とガス
  2. 半導体製造用のガス
    2.1 キャリヤおよびパージ用ガス
    2.2 半導体材料ガス
  3. 半導体材料ガスの使用量と現状
  4. 次世代のプロセス技術と新規ガス
    4.1 TEOSを用いたCVD法
    4.2 タングステンCVD
    4.3 エッチングガスの脱フロン化
  5. サブミクロン時代へ向けて
第2節 高純度デポジション用ガス<橘野 裕>
  1. 成膜工程と使用されるガスの種類
    1.1 熱酸化
    1.2 CVD
    1.3 エピタキシャル
  2. ガスの物性と使用上の注意点
    2.1 シラン
    2.2 ジシラン
    2.3 アルシン
    2.4 ジボラン
    2.5 ホスフィン
    2.6 ジクロロシラン
  3. ガスの純度
第3節 高純度ドライエッチング用ガス<白井 俊昭>
  1. 半導体用ドライエッチングと被エッチ基板
  2. エッチングガスの性質
    2.1 フロン14(四弗化炭素)
    2.2 四塩化炭素
    2.3 六弗化イオウ
    2.4 フロン115(クロロペンタフルオロエタン)
    2.5 臭化水素
    2.6 塩素
    2.7 四弗化硅素
    2.8 フロン116(ヘキサフルオロエタン)
    2.9 フロン218(パーフルオロプロパン)
    2.10 フロン23(トリフルオロメタン)
    2.11 三弗化窒素
    2.12 三塩化ホウ素
    2.13 四塩化ケイ素
    2.14 フロン13(クロロトリフルオロメタン)
    2.15 フロン114(1,2−ジクロロテトラフルオロエタン)
  3. エッチングガスの純度
  4. エッチングガスのクリーン化
第4節 代替フロンエッチングガス<高市 侃>
  1. フロン問題の概要
  2. フロンガスの種類
  3. フロンガスによるオゾン層破壊
  4. フロンガス規制について
  5. 半導体産業とフロンガス
  6. 半導体エッチングガス
    6.1 半導体エッチングガスの概要
    6.2 エッチングガスの種類
  7. 代替フロンエッチングガス
    7.1 代替フロンエッチングガスの選択
    7.2 代替フロンエッチングガス
  8. 代替フロンの開発
    8.1 代替フロンの開発状況
    8.2 代替フロンの課題
第5節 半導体用ガスの安全対策<竹本 菊郎>
  1. 半導体用ガスの多様化への対応
  2. 半導体用ガスの用途展開と最新情報
    2.1 半導体用ガスの用途展開と特性
    2.2 半導体製造用薄膜材料の最新動向
  3. 半導体用ガス関連の事故例と検討課題
    3.1 半導体用ガス関連の事故例
    3.2 発生事故に対する検討課題
  4. 安全対策の実際
    4.1 事故・災害の発生要因と基本防止策
    4.2 安全対策の事例
  5. 今後の課題

第5章 半導体用化学薬品

第1節拡散用薬品<團野 隆夫>
  1. 拡散用薬品の現状
  2. 拡散用薬品の種類と各論
    2.1 オキシ塩化リン(POCl3
    2.2 三臭化硼素(BBr3
  3. 拡散用薬品の評価技術
    3.1 高品質であることの条件
    3.2 評価分析技術の実際
  4. ガスクロマトグラフィーを利用した新純化技術
    4.1 ラージスケールガスクロマトグラフィー精製法とは
  5. 高純度化学材料の評価に関する考察
    5.1 ナインゲームの弊害
    5.2 真の評価に近づけるために
第2節 洗浄プロセス用薬品<下野 次男>
  1. 種類
  2. 必要条件
  3. 製造方法と現状の純度レベル
  4. 薬品の純度評価法
  5. 技術動向
第3節 リソグラフィ用薬品<笠間 邦彦>
  1. 単層レジストプロセスの概要
  2. 各種レジストプロセスと化学薬品
第4節 半導体用化学薬品の自動供給システム<我部山 民樹>
  1. システムの役割
    1.1 クリーンルームの無人化への貢献
    1.2 薬液の濾過
    1.3 薬液の汚染防止
  2. システムの概要
    2.1 フロー
    2.2 設置場所
    2.3 材質
    2.4 構成機器及び部品
  3. 半導体工場内設備としての配慮
    3.1 関連法規
    3.2 安全対策
    3.3 システムの集中管理
    3.4 配管ルート
  4. 関連設備
  5. 今後の課題
第5節 半導体化学薬品の品質管理<志保谷 孝雄>
  1. 超LSI時代の薬品の品質要求
  2. 品質向上のための対応
  3. 薬品の評価技術

第6章 半導体用超純水

第1節 超純水の製造技術と純度管理<掛端 勝行>
  1. 超純水水質の推移と最近の超純水水質
    1.1 超純水の水質推移と役割
    1.2 現状の超純水水質
    1.3 超純水水質の変遷
  2. 超純水システムの概要
    2.1 前処理設備
    2.2 1次純水設備
    2.3 2次純水設備
  3. 各機器処理技術の動向
    3.1 T.O.Cの低減
    3.2 溶存酸素の低減
    3.3 微粒子の低減
  4. 今後の超純水水質の問題点
  5. 全体システムとその純度管理
第2節 無菌純水の製造<立野 稔夫>
  1. 純水中の微生物
    1.1 微生物の評価技術
    1.2 微生物の増殖
  2. 殺菌技術
    2.1 殺菌技術の進歩
    2.2 薬液殺菌
    2.3 紫外線殺菌
    2.4 熱水殺菌
    2.5 オゾン殺菌
    2.6 HF添加殺菌
    2.7 その他の技術
第3節 廃水処理<今泉 正文>
  1. 半導体工場の廃水
    1.1 フッ素処理
    1.2 過酸化水素処理
    1.3 生物処理
  2. 廃水の回収再利用

第7章 半導体実装材料

第1節 次世代パッケージ材料<日下 輝雄>
  1. 次世代パッケージヘの要求
  2. 主要パッケージ材料の開発状況
    2.1 リードフレーム
    2.2 マウント材
    2.3 ボンディングワイヤ
    2.4 チップコート材
    2.5 封止樹脂
    2.6 ソルダー材
    2.7 TABテープ
    2.8 ポリイミド
    2.9 高熱伝導率材料
    2.10 異方性導電ゴム
    2.11 その他
  3. 将来展望
第2節 封止樹脂材料<神谷 政昭>
  1. 半導体素子封止方法の変遷
  2. 樹脂封止法
  3. トランスファー成形用樹脂
  4. 封止樹脂の要求特性と封止材料の構成
  5. 高信頼封止材の開発動向
    5.1 パッケージの動向と封止材料
    5.2 耐湿性向上材
    5.3 超低応力材
    5.4 表面実装材
    5.5 高熱伝導材
  6. 今後の展望
第3節 リードフレーム材料<加藤 凡典>
  1. リードフレーム仕様動向
  2. リードフレーム製造プロセス
  3. リードフレーム素材動向
  4. リードフレーム用素材の必要特性
  5. 多ピン・薄型パッケージ用素材
  6. 今後のリードフレーム用素材
第4節 ダイボンディング材料<藤田 公英>
  1. 銀ペーストヘの要求性能と技術対応
    1.1 均一塗布性
    1.2 低応力化
    1.3 低汚染性
    1.4 速硬化性
    1.5 半田リフロー性
第5節 チップコート材料<浅野 昌也/富川 真佐夫>
  1. ポリイミド
  2. ポリイミドのパターン形成法
  3. ポリイミドの接着性
    3.1 封止樹脂との接着性
    3.2 シリコン基板との接着
    3.3 金属との接着
  4. 感光性ポリイミド
第6節 TABテープ材料<斎藤 公彦>
  1. TABテープ基材
    1.1 テープ基材に求められる性能
    1.2 テープに使用されている基材
    1.3 ポリイミドフィルム基材
    1.4 その他の基材
  2. 3層TABテープ材料
  3. 2層TABテープ材料
第7節 実装基板材料

(1) プリント基板材料<野口 節生>
  1. PWB用基板材料
  2. 今後の基板材料
(2) LSI実装セラミック基板材料<高見澤 秀男>
  1. 実装基板に要求される性能
    1.1 ニーズ動向
    1.2 実装基板に要求される性能
  2. LSI実装セラミック基板材料
    2.1 アルミナ基板
    2.2 ムライト基板
    2.3 低温焼結セラミック基板
    2.4 窒化アルミニウム基板
    2.5 炭化ケイ素基板
  3. 今後の展望
(3) 特殊基板材料(メタルコア基板)<布浦 耐生>
  1. 金属基板の特長
  2. 金属基板の特性について
  3. 金属基板の構造と種類
  4. 熱設計に関して
  5. ノイズ性能
  6. アッセンブリヘの対応性について
    6.1 受動素子のアッセンブリ
    6.2 多層化−高密度実装
    6.3 能動素子のアッセンブリ
    6.4 ベアーチップ・アッセンブリ
  7. 評価技術
    7.1 基板評価基準
    7.2 システム評価基準
  8. 金属基板応用実例
第8節 マイクロソルダリング材料<長谷川 順雄>
  1. はんだの基本的機能
  2. はんだ付け信頼性の決め手は河か
  3. はんだ付けの利点
  4. はんだ付けの原理
  5. Sn-Pbはんだ
  6. Sn-Pbはんだ中の不純物
  7. Sn-Pb以外の種々のはんだ
  8. ベース金属の素材料とはんだ付け難易
  9. はんだの形状
  10. はんだ付け性阻害要因
  11. フラックス
  12. はんだ付けプロセス
  13. はんだ接合部の信頼性
  14. はんだ接合に関する諸特性
  15. 今後の課題


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執筆者一覧(敬称略、肩書等は発刊時のものです)
 
監 修
津屋 英樹日本電気(株)研究開発グループ 主席研究員
 
執筆者(執筆順)
津屋 英樹日本電気(株)研究開発グループ 主席研究員
秋山 信之小松電子金属(株)常務取締役 技術本部長兼技術研究所 所長
今井 正人小松電子金属(株)技術研究所 副所長
藤野 允克九州電子金属(株)半導体研究センター 取締役センター長
鹿島一日児東芝セラミックス(株)シリコン事業部技術部 主査
池田 哲夫小松電子金属(株)製品技術部 部長
渡部 雅小松電子金属(株)結晶技術部 部長
河野 光雄小松電子金属(株)製品技術部製品開発課 課長
斉藤 雄一三菱マテリアルシリコン(株)取締役 技術本部副本部長兼開発部長
矢野 孝幸新日本製鐵(株)新素材事業本部 シリコンウェーハグループ
三上 雅生日本電気(株)超LSI開発本部 結晶開発部 部長
高橋 洋一大日本印刷(株)ミクロ製品研究所第1研究室 課長
流山 治HOYA(株)電子事業部半導体製品部 八王子工場長
岡崎 信次(株)日立製作所 中央研究所第3部 主任研究員
鈴木 克美日本電気(株)マイクロエレクトロニクス研究所LSI基礎研究部 研究課長
中川 広秋三井石油化学工業(株)岩国大竹工場第2製造部デバイス課 技術グループ グループリーダー
吾郷 時則三井石油化学工業(株)岩国大竹工場第2製造部デバイス課 技術グループ主事
花畑 誠住友化学工業(株)大阪研究所光電材料研究室 主任研究員
上野 巧(株)日立製作所 中央研究所 主任研究員
野々垣 三郎(株)日立製作所 中央研究所 嘱託技術主幹
大城 正晴真空冶金(株)営業本部1DRP部 課長
前田 和夫(株)半導体プロセス研究所 代表取締役
国宗 弘一チッソ(株)横浜研究所開発グループ 主席研究員
二木 剛彦(株)高純度化学研究所 技術開発本部 主席研究員
橘本 晃東京応化工業(株)研究所研究開発室 副主席技師
福井 康夫TANAKA ELECTRONICS SINGAPOREPTE.,LTD Managing Director
白川 信次田中電子工業(株)技術部グループリーダー
原田 光東京理科大学 理学部第2部化学科 講師
橘野 裕昭和電工(株)化学研究所 副主席研究員
白井 俊昭日本酸素(株)電機材事業本部ファインガス事業部 副参事
高市 侃昭和電工(株)化学品研究所 主幹研究員
竹本 菊郎住友電気工業(株)半導体事業部エピ開発部 部長補佐
團野 隆夫ヤマナカヒューテック(株)代表取締役
下野 次男日本電気(株)資源環境技術研究所環境技術研究部 研究課長
笠間 邦彦日本電気(株)超LSI開発本部 プロセス開発部 課長
我部山 民樹住友ケミカルエンジニアリング(株)プラント設計部 副部長
志保谷 孝雄関東化学(株)電子材料事業本部技術部 課長代理
掛端 勝行オルガノ(株)半導体事業部第1技術部 課長
立野 稔夫森田化学工業(株)半導体薬品事業部 部長
今泉 正文栗田工業(株)水処理本部電子産業設計部 計画設計2課 課長
日下 輝雄日本電気(株)超LSI開発本部結晶開発部 技術課長
神谷 政昭住友べークライト(株)電子デバイス材料研究所 主席研究員
加藤 凡典大日本印刷(株)ミクロ技術第1部LF開発課 課長
藤田 公英日立化成工業(株)山崎工場第2開発部 研究員
浅野 昌也東レ(株)電子情報材料研究所 主席研究員
富川 真佐夫東レ(株)電子情報材料研究所
斎藤 公彦新藤電子工業(株)技術部 部長
野口 節生日本電気(株)回路基板事業部・設計技術部 部長代理
高見澤 秀男日本電気(株)材料開発試作センター センター長代理
布浦 耐生三洋電機(株)半導体事業本部厚膜事業部 担当部長
長谷川 順雄日本電気(株)信頼性品質管理部 副技師長


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