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ULSI生産技術緊急レポートNo.2
プラズマ処理後の洗浄とウエハ裏面洗浄仕様

コードNO0197
発 刊1994年8月
価 格本体18,000円+税、送料別
体 裁A4判並製 104頁
試 読不可(試読はお受けできません)
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プラズマ処理後の洗浄とウエハ裏面洗浄仕様 わが国半導体産業の競争力強化を目指し、デバイスメーカ19社の協力により実現した洗浄仕様改善の実態調査資料
No.1「半導体メーカのウエハ洗浄仕様と問題点」に続く、好評の第2集!

主要構成

第1部 プラズマ処理後の洗浄とウエハ裏面洗浄仕様
第2部 半導体メーカのウエハ洗浄仕様と問題点
第3部 最適洗浄を目指した新洗浄技術
  1. 新スクラブ技術
  2. キャリアレス洗浄技術
  3. 薬液供給システム

【発刊にあたって】

 昨年、主要デバイスメーカ8社にご協力を賜り、ULSI生産技術緊急レポートNo.1として『半導体メーカのウェハ洗浄仕様と問題点』を発刊させていただきました。
 このなかで、従来どちらかといえばブラックボックス的存在であったウェハ洗浄技術に敢えてスポットライトを当て、いままでの経験とノウハウにとどまらず、もっと科学的アプローチを可能にすることにより、製品の歩留まり・品質向上からコストミニマム生産実現のための一助に資することを基本的狙いとしました。
 特に、このレポートNo.1の第1部では、主要デバイスメーカ各社の現行洗浄技術アンケート調査という形式を採用しました。 調査にご協力いただいた各社の貴重な情報提供により、新鮮なインパクトが得られたものと考えております。
発刊以来、各方面から種々の反応が届いております。 これらは「やはり、各社ともそれほど違ってない」という意見から「そんなことをやっているの?」という反響など、さまざまであります。 このような反応があること自体、お陰様で今回の企画がそれなりの成功を収めたものと深く感謝いたしております。
 そこで、このたび、ULSI生産技術レポートNo.2として『プラズマ処理後の洗浄とウエハ裏面洗浄仕様』をとりあげることにいたしました。 洗浄技術という、レポートNo.1からの継続性と、No.1では抜けていたテーマであること、さらに昨今の超微細ULSIデバイス生産において、パーティクル・ダメージ・汚染除去が特に重要な緊急課題と考えたためです。
 今回のレポートNo.2でもNo.1と同様にアンケート調査の形式を踏襲しました。 プラズマ処理後の洗浄に関しては、ドライエッチング後(レジスト剥離後)とエッチバック後を対象としました。 これらはいずれもULSI製造プロセスの中で、パーティクル・ダメージ・汚染を導入しやすい工程であり、その効果的除去が強く求められているためです。 また、ウェハ裏面洗浄は、各社とも問題を十分認識しながら、公開の場で語られることが極めて少なかった技術であり、それゆえに、取り上げることの意味が大きいと考えたためです。
 本レポートは、設備コストの低減と量産デバイスの歩留まり、生産性向上に資するため、生産技術の視点から現有設備の問題点を洗い直し、デバイスメーカから半導体装置メーカ、材料メーカへの要望点、改善点の提示を主眼とし、編集してまいります。 この目的を達成するため、生産技術上重要な緊急課題を逐次取り上げ、不定期に刊行していく所存です。 これにより、装置・材料メーカのための確かな開発指針を提供し、問題解決のための業界相互の関係強化の一助となればと願っている次第です。
 最後に、本レポートNo.2の刊行にあたり、貴重な資料をご提供いただいた半導体デバイスメーカならびに装置メーカと材料メーカの方々に、心から感謝の意を表するとともに、広く半導体業界にかかわる方々のお役に立てるよう念じております。
『ULSI生産技術緊急レポート』編集委員

内容目次

第1部 プラスマ処理後の洗浄とウエハ裏面洗浄仕様

●プラズマ処理及びイオン照射処理後の洗浄、ウエハ裏面洗浄仕様について、No.1に引き続き、主要デバイスメーカ8社にアンケートを行い、ご回答を戴いた。

第1部 アンケート協力企業
  • 日本電気(株)
  • (株)日立製作所
  • 富士通(株)
  • ソニー(株)
  • (株)東芝
  • 三菱電機(株)
  • シャープ(株)
  • 三洋電機(株)

調査の狙いと要約<編集委員会(分析:吉見 武夫/山本 眞一)>


調査結果<デバイスメーカ各社>
質問1 ドライエッチング後の洗浄仕様
質問2 エッチバック後の洗浄仕様
質問3 イオン注入後の洗浄仕様
質問4 ディップ洗浄以外のウェハ裏面洗浄

第2部 半導体メーカのウエハ洗浄仕様と問題点<Part2>

●前処理工程の洗浄仕様及び問題点に関し、アンケートを行い,デバイスメーカ11社よりご回答を戴いた。

第2部 アンケート協力企業
  • 沖電気工業(株)
  • リコー(株)
  • 川崎製鉄(株)
  • 日鉄セミコンダクター(株)
  • ヤマハ(株)
  • 富士電機(株)
  • 松下電器産業(株)
  • 日本電信電話(株)
  • NKK
  • 日本電装(株)
  • セイコーエプソン(株)

調査の狙いと要約<編集委員会(分析:服部 毅)>


調査結果<デバイスメーカ各社>
質問1 シリコンウェハの洗浄シーケンス
質問2 ウェハ乾燥
質問3 ウェハ表面スクラビング

第3部 最適洗浄を目指した新洗浄技術

(1) 新スクラブ技術<杉本 憲司/平岡 伸康/野々村 正浩>
  1. 概要
  2. 最新スクラブ処理技術
  3. スクラブ処理装置
  4. 今後の課題

(2) キャリアレス洗浄装置(1)<小柳 哲雄>
  1. キャリアレス洗浄装置とは
  2. 弊社キャリアレス洗浄装置の特徴[製品名:ペガサス]
  3. 今後のテーマ

(3) キャリアレス洗浄装置(2)―COO分析によるアドバンテージと開発<豊増 和久>
  1. 洗浄装置のCOO
  2. 従来式洗浄装置のCOO
  3. キャリアレス洗浄装置のメリット
  4. 薬液、純水消費量の低減
  5. 吸排気量の低減
  6. キャリアレス洗浄装置のCOO

(4) 薬液供給システム<白井 俊治/野村 三千昭>
  1. 薬液の供給形態
  2. 薬液自動供給装置
  3. オンサイトにおける薬液発生装置
  4. 薬液回収精製装置


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「ULSI生産技術緊急レポート」編集委員会(敬称略、役職等は発刊時のものです)
 
■ 顧問(音順)
小宮 啓義三菱電機(株)ULSI開発研究所 所長
高山 洋一郎日本電気(株)半導体事業グループ 主席技師長
原 央(株)東芝 ULSI研究所 所長
牧本 次生(株)日立製作所 常務取締役 半導体事業部長
矢木 肇ソニー(株)セミコンダクタカンパニー超LSI研究所 所長
 
■ 編集幹事(音順)
菊地 正典日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所 シリコンプロセス統括部長
服部 毅ソニー(株)セミコンダクタカンパニー超LSI研究所 所長付主幹研究員
平山 誠三菱電機(株)ULSI開発研究所LSI開発第1部 次長
山本 眞一(株)東芝 半導体生産技術推進センター 生産技術企画担当部長
吉見 武夫(株)日立製作所 半導体事業部生産統括本部 副技師長


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