(株)サイエンスフォーラム 私たちはintelligenceを提供します。


ANDOR
図書案内 セミナー案内 オンデマンド版 食品産業戦略研究所 お問い合せ メールマガジン 会社案内 Home

POD書籍
超LSIプロセスデータハンドブック

コードNO0025P
発 刊1982年4月15日
編集委員
原 徹
法政大学工学部電気工学科教授

鈴木 道夫
(株)日立製作所中央研究所主任研究員

柏木 正弘
東京芝浦電気(株)総合研究所集積回路研究所主任研究員

前田 和夫
パイオニア(株)半導体研究所第一研究部部長
価 格 POD(オンデマンド)価格 本体37,800円+税
体 裁 A4判横2段組 534ページ
試 読
 不可 
ご注意 オンデマンド版(POD)は、以下の点で当社通常書籍と扱いが異なります。
  • オンデマンド(On Demand:要求があり次第に)という意味の通り、お客様からの注文に応じてその都度印刷・製本をする販売形式を取っています。 そのため、ご注文を受けてから発送までに1週間〜10日前後のお時間をいただきます。
  • 受注生産のため、注文されてからのキャンセルはお受けできません。
  • 装丁は厚紙表紙のみの簡単なものになり、カバー等も付きません。
  • 【試読】および【お客様都合による返本】はお受けできません。
  • 書店経由ではなく弊社との直接のお取引(直販)となります 。書店割引はありません。
ご注文
上記『ご注意』に同意された上で、ご購入のお手続きをお願いします。
執筆者一覧へ 詳細な内容を見る

ウエハプロセスの実用データを物性・材料・装置を含め集大成した技術資料!
→ 本書は超LSI技術、とくにウエハプロセスを実行するにあたって必要となる方法およびデータを網羅的に編集するものであり、出典については論文誌、コンファランスのほか、可能な限り幅広く配慮した。なお、出典については1971年以降のものを中心に記述し、それ以前のものは文献リストとして紹介する。
→ 記述内容(FORMAT)は(1)歴史的経過 (2)原理 (3)各種プロセス・方式開発の経過 (4)デバイス応用 (5)基礎技術、物性データ (6)実用データ (7)装置・設備。もとより、本書の性格上(4)〜(7)に執筆の重点を置いた。

■ 主要構成

■第1部 プロセスフローチャート
第1章 MOSプロセスフローチャート

■第2部 プロセス技術データ
第1章 結晶技術
第2章 酸化窒化技術
第3章 不純物導入技術
第4章 薄膜形成技術
第5章 メタライゼーション
第6章 リソグラフィ技術1−露光技術
第7章 リソグラフィ技術2−エッチング技術
第8章 ビームアニール技術
『発刊にあたって』
64Kビットを第一世代とする超LSI時代がいよいよ幕を明け、半導体メーカー各社はプロセス技術の開発にしのぎを削って取り組んでいる現状です。
本書は今後の超LSI用プロセスを実際に設計する観点から必要となる各種方式および実用データ(物性・材料・装置を含め)を、とくにウエーハプロセスに絞って、可能な限り網羅的に収集し編集するものであり、1971年以降に国内外の主要な学・協会誌、論文誌、コンファレンスさらに企業各社の技術レポート等に発表された文献・データを中心に記述しました。
本書第1部は、代表的なMOSプロセスフローチャートとしてSiゲート二層ポリシリコンプロセスを用いた64K RAMをとりあげ、ノウハウ的なものも含め詳細に記述し、これにより原則として実際にデバイスを作製できることを企図しています。
第2部の「プロセス技術データ集」は本書の中核をなすものであり、(1)結晶技術(2)酸化窒化技術(3)不純物導入技術(4)CVD技術(5)メタライゼーション(6)露光技術(7)エッチング技術(8)ビームアニール技術について、プロセスにおける実用データを中心に集大成しました。
超LSIプロセスの設計・技術開発にとって本書の果たす役割は極めて重要かつ絶大なものがあると確信し、この分野で先進的に研究されている諸先生型のご協力を得て、ここに発刊を計画致した次第です。
サイエンスフォーラム 編集部

■ 内容目次

本書のねらいと概要<前田和夫>

  1. LSI製造技術の進歩 1
    1.1 超LSIの時代へ 1
    1.2 プロセス技術における革新 2
    1.3 デバイス性能の推移 2
    1.4 プロセス技術目標 3
    1.5 超LSIプロセスデバイスと本書の内容 4
  2. 本書のねらい 4
  3. 本書の構成と概要 4

■■ 第1部 プロセスフローチャート ■■

第1章 MOSプロセスフローチャート

はじめに<原 徹> 10

第1節 各種プロセス概要<谷口研二> 11
  1. 結晶基板材料 12
  2. 酸化技術 14
  3. 不純物導入技術 15
  4. 絶縁膜、金属配線技術 15
  5. リソグラフィおよびエッチング技術 16
第2節 各種回路構成概要<富永四志夫> 21
  1. ダイナミックRAMの回路構成の変遷 21
     (1)4MOS/セル方式ダイナミックメモリ 21
     (2)3MOS/セル方式(4.5線式) 22
     (3)3MOS/セル方式(3.5線式) 22
     (4)3MOS/セル方式(2.5線式) 23
  2. 1MOS/セル方式、ダイナミックRAMの回路構成
  3. ダイナミックRAMメモリセルの種類
     (1)金属(通常Al)ゲートMOSメモリセル構造
     (2)金属ゲート/ポリシリコンプレート構造
     (3)拡散層ビットラインのポリシリコン1層構造 25
     (4)金属ビット線の1層ポリシリコン構造セル 25
     (5)拡散層ビット線と2層ポリシリコン構造セル 26
     (6)積み重ね容量(Stacked-Capacitor:STC)セル 26
     (7)ポリシリビット線の2層ポリセル 26
     (8)2層ポリ配線セルと周辺回路ポリシリ配線 27
     (9)自己整合(Self-Registering)コンタクト構造 27
     (10)2重イオン打ち込みHiCMOS容量増加構造 27
     (11)無コンタクトセル構造 27
     (12)DMOS構造 27
     (13)VMOS構造 28
     (14)メモリセル面積および加工寸法の年次推移 28
     (15)パンチスルーRAMセル構造 28
     (16)電荷階層形(Stratified-Charge)メモリセル 29
     (17)TIDG(Taper-Isolated Dynamic Gain)セル 29
     (18)モリブデンゲートMOSメモリセル 29
     (19)ポリサイド1層配線によるメモリセル 30
     (20)埋込みモリブシリサイドMOSセル構造 30
  4. スタティックRAMの回路構成 30
     (1)2層ポリシリコン配線負荷メモリセル構造 32
     (2)Hi-CMOS構造セル 32
     (3)モリブデンゲートMOS 33
     (4)DOL CMOSメモリセル 33
     (5)2層ポリシリコンタクトの改良 33
  5. まとめ 33
第3節 NチャネルMOSプロセスフローチャート<原 徹> 11
  1. NチャネルシリコンゲートE/D MOS LSI 38
  2. 64KダイナミックRAMフローチャート  42

■■ 第2部 プロセス技術データ集 ■■

第1章 結晶技術

第1節 単結晶引上げ技術<阿部孝夫>
  1. はじめに 50
  2. 多結晶シリコンの製造法 50
  3. FZ法の進歩 52
    3.1 初期の進歩 52
    3.2 無転移結晶 54
    3.3 大直径化 58
    3.4 FZ結晶の現状と将来 59
  4. CZ法の進歩 63
    4.1 初期の進歩 63
    4.2 無転移結晶 64
    4.3 大直径化への飛躍 65
    4.4 CZ法の現状と将来 67
  5. まとめ 68
第2節 単結晶加工技術<渡辺正晴>
  1. 切断技術 72
  2. 研磨技術 75
  3. 加工評価技術 78
第3節 エピタキシャル成長技術<小切間正彦>
    緒言 83

  1. エピタキシャル成長の原理と方式 83
    1.1 原理 83
    1.2 方式 85
    1.3 ドーピング 87
  2. エピタキシャル成長における問題点 88
    2.1 成長層厚さ、ドーピング濃度の均一性 88
    2.2 結晶欠陥 88
    2.3 オートドーピング 88
    2.4 パターンのダレ、ズレ 89

    結言 エピタキシャル成長技術の新しい方向 89
第4節 熱処理誘起微小欠陥<岸野正剛> 91
  1. 歴史的背景 91
  2. 酸化誘起積層欠陥(OSP) 93
  3. バルクの微小欠陥(MD) 96
  4. OSF微小欠陥の素子特性への影響 103
第5節 イントリンシックゲッタリング技術<岸野正剛> 110
  1. 歴史的経過 110
  2. I-G技術の原理 112
  3. I-G技術における無欠陥層の形成 113
  4. 各種のI-G技術とそれらの長所、短所 114
    4.1 無意識のI-G処理 114
    4.2 単一熱処理I-G 114
    4.3 2段熱処理I-G 115
    4.4 修正複数熱処理I-G 115
  5. I-G技術の効果 116
    5.1 リーク電流の低減 116
    5.2 表面欠陥の除去 116
    5.3 ライフタイムの向上 117
    5.4 重金属ゲッタリング 119
    5.5 素子特性に対する効果 120

第2章 酸化窒化技術

第1節 熱酸化技術<石川 元/豊蔵信夫/井上信市>
  1. Si基板表面の洗浄法 124
  2. Siの酸化方法 124
    2.1 高温酸化と低温酸化 125
    2.2 乾燥酸化 125
    2.3 水蒸気酸化 126
    2.4 加湿酸化 126
    2.5 塩酸(塩素、トリクレン)酸化 126
    2.6 分圧酸化 127
    2.7 高圧酸化 129
  3. Siの酸化機構 131
    3.1 比較的厚い膜厚での酸化機構 131
    3.2 非常に薄い膜厚での酸化機構 133
  4. 酸化反応に及ぼす各種の影響 134
    4.1 水の影響 134
    4.2 Naの影響 134
    4.3 塩素ガスの影響 134
    4.4 Si基板中の不純物の影響 135
    4.5 結晶面の影響 136
  5. 酸化膜の性質
    5.1 SiO2の絶縁耐圧 137
    (1)耐圧に影響を与える要因 137
    (2)絶縁破壊のメカニズム 140
    (3)絶縁膜の欠陥検出方法 140
    5.2 MOS特性 142
    (1)SiO2、SiO2-Si界面の電荷 142
    (2)電荷の測定法 145
    5.3 SiO2-Si遷移領域の微視的構造 146
  6. デバイス応用上の問題点 147
    6.1 選択酸化技術 148
    6.2 ホットエレクトロン 149
第2節 プラズマ酸化<石川 元/加藤一郎>
  1. 歴史的経過 158
  2. 原理 158
    (1)プラズマ発生法 158
    (2)プラズマ内の反応 159
    (3)プラズマ酸化装置 160
    (4)プラズマ酸化膜成長モデル 162
    (5)基礎データ 162
  3. デバイスへの応用 164
    (1)Si選択酸化 164
    (2)MOSFETの特性 165
  4. 今後の展望 166
第3節 直接窒化技術<伊藤隆司>

  1. 歴史的経過 168
  2. 直接熱窒化反応 169
  3. 直接熱窒化薄膜の成長 170
  4. デバイス応用 173
    (1)電流−電圧特性 173
    (2)容量−電圧特性 174
    (3)絶縁ゲートFET 174
    (4)EAROMセル 175
    (5)選択酸化マスク 176
    (6)セルフアラインコンタクト技術 178

第3章 不純物導入技術

第1節 熱拡散の基礎データと評価法<北村昌良>
  1. 不純物拡散の原理 182
  2. 不純物拡散の基礎データ 184
  3. 不純物の拡散係数 184
    3.1 燐の拡散係数 189
    3.2 砒素の拡散係数 194
    3.3 硼素の拡散係数 195
    3.4 アンチモンの拡散係数 196
    3.5 アルミニウムの拡散係数 196
    3.6 ガリウムの拡散係数 196
    3.7 その他の元素の拡散係数 197
    3.8 拡散の相互作用(多重拡散) 197
    3.9 拡散による転位の発生 199
    3.10 拡散の雰囲気依存性と面方位依存性 202
  4. 不純物のSiO2中の拡散係数 204
  5. 酸化による不純物の再分布(偏析係数)206
第2節 不純物拡散の評価法<北村昌良>
  1. はじめに 214
  2. 不純物の深さ方向の評価 214
    2.1 p−n接合の深さの測定 214
    2.2 放射化分析法 217
    2.3 その他 217
  3. 面抵抗率の測定 217
  4. 面抵抗率による不純物濃度分布の測定法 220
第3節 拡散技術<浅利悟郎>
  1. ボロン拡散 225
  2. アンチモン拡散 230
  3. ひ素の拡散 231
  4.     
  5. 燐の拡散 233
  6. ドープトオキサイドからの拡散 237
  7. ポリシリコン膜への拡散 241
第4節 イオン注入技術<赤坂洋一>
  1. 注入イオンの飛程と分布 246
    1.1 深さ方向分布 246
    1.2 横方向の分布 247
    1.3 欠陥分布とその相関 248
  2. イオン注入層の性質 248
    2.1 欠陥の生成 248
    2.2 熱処理の効果 253
  3. デバイスにおけるイオン注入技術 255
    3.1 接合形成 255
    3.2 MOSデバイスへのイオン注入 257
    (1)チャネルドープ 257
    (2)フィールドドープ 259
    (3)ソースドレイン形成 259
    3.3 バイポーラへのイオン注入 260
    3.4 LSIへの他の応用 262
  4. イオン注入装置 263
第5節 ゲッタリング技術<渡辺正晴>
  1. 汚染 267
  2. 裏面歪ゲッタリング 270
    (1)機械的歪によるゲッタリング 271
    (2)レーザ照射歪によるゲッタリング 272
    (3)イオン注入歪によるゲッタリング 273
    (4)Si3N4膜の歪によるゲッタリング 274
  3. 燐あるいはボロン拡散によるゲッタリング 275
  4. 塩素を含んだガスによるゲッタリング 276
  5. 各種ゲッタリング法比較とデバイスへの応用 276

第4章 薄膜形成技術

第1節 CVD技術の概要<吉見武夫>
  1. Si基板表面の洗浄法 124
  2. Siの酸化方法 124
    2.1 高温酸化と低温酸化 125
    2.2 乾燥酸化 125
    2.3 水蒸気酸化 126
    2.4 加湿酸化 126
    2.5 塩酸(塩素、トリクレン)酸化 126
    2.6 分圧酸化 127
    2.7 高圧酸化 129
  3. Siの酸化機構 131
    3.1 比較的厚い膜厚での酸化機構 131
    3.2 非常に薄い膜厚での酸化機構 133
  4. 酸化反応に及ぼす各種の影響 134
    4.1 水の影響 134
    4.2 Naの影響 134
    4.3 塩素ガスの影響 134
    4.4 Si基板中の不純物の影響 135
    4.5 結晶面の影響 136
  5. 酸化膜の性質
    5.1 SiO2の絶縁耐圧 137
    (1)耐圧に影響を与える要因 137
    (2)絶縁破壊のメカニズム 140
    (3)絶縁膜の欠陥検出方法 140
    5.2 MOS特性 142
    (1)SiO2、SiO2-Si界面の電荷 142
    (2)電荷の測定法 145
    5.3 SiO2-Si遷移領域の微視的構造 146
  6. デバイス応用上の問題点 147
    6.1 選択酸化技術 148
    6.2 ホットエレクトロン 149
第2節 薄膜の基本的性質<吉見武夫>
  1. 絶縁膜の性質 291
  2. 半導体膜の性質 299
  3. 金属膜の性質 304
  4. プラズマCVD膜の性質 305
    (1)P-SiNの基本的膜特性 305
    (2)P-PSG(P-SiO)の基本的膜特性 308
  5. 今後の課題と展望 310

第5章 メタライゼーション

第1節 アルミニウムとその合金<豊蔵信夫>
  1. はじめに 316
  2. 電気抵抗と鏡面反射率に与える残留ガスの影響 316
  3. シリコンとのコンタクト 318
  4. 熱処理によるspearing 319
  5. spearingの防止法 320
    5.1 Siを添加したAl 321
    5.2 拡散バリア層 321
    5.3 ポリシリコン下敷 322
  6. 配線の多層化技術 322
  7. ステップカバレージ 323
  8. Alおよび合金膜のデポジション法 324
第2節 高融点金属<豊蔵信夫>
  1. 高融点金属の研究経過 327
  2. 結晶構造 328
  3. 電気抵抗 328
  4. 膜中の残留歪 329
  5. 化学的な性質 330
  6. MOS特性 331
    6.1 界面特性 331
    6.2 可動イオンによる不安定性 332
    6.3 イオン注入のマスク効果 332  
  7. メタルとSiO2の反応 333
  8. シリコンとの直接コンタクト 333
  9. 高融点金属膜の形成方法 334
第3節 シリサイド<井上信市>
  1. シリサイドの基本的物性 337
  2. シリサイドの形成 340
  3. シリサイドの抵抗 341
  4. 膜の応用 343
  5. シリサイドの酸化 344
  6. シリサイドの加工 345
  7. シリサイドゲートMOS特性 346
  8. シリサイド/シリコン界面特性 346
  9. デバイス応用 348
第4節 メタライゼーションの信頼性(1)−エレクトロマイグレーション−<豊蔵信夫>
  1. エレクトロマイグレーション 353
  2. エレクトロマイグレーションの測定法 354
    2.1 体積変化の観察 354
    2.2 故障時間の測定 354
    2.3 電気抵抗変化率の測定 355
    2.4 ドリフト速度の測定 355
  3. 純金属でのエレクトロマイグレーション 355
  4. エレクトロマイグレーション対策 357
    4.1 膜の純度 357
    4.2 ガラス被覆 357
    4.3 結晶粒径とストライプ幅 357
  5. 不純物添加の効果 360
    5.1 Al-Si 361
    5.2 Al-Cu 362
    5.3 Al-Cu-Si 363
第4節 メタライゼーションの信頼性(2)−コロージョン−<井上信一>
  1. アルミニウムメタライゼーションとそのコロージョン 369
  2. 金のメタライゼーションとそのコロージョン 371
  3. 異種メタル接触によるコロージョン 372
  4. 信頼性テスト 372
  5. コロージョンの防御 374

第6章 リソグラフィ技術1−露光技術

第1節 UV<鍵井孝夫>
  1. UV光源 380
  2. フォトレジスト 381
    2.1 フォトレジスト工程 381
    2.2 ウエーハプロセス装置について 383
    (1)レジスト塗布装置 383
    (2)レジスト現像装置 383
  3. 露光技術 383
    3.1 コンタクト露光 384
    3.2 レンズ投影露光 384
    3.3 反射投影露光 385
    3.4 縮小投影露光 386
    3.5 レンズ投影系の解像力と画面サイズ 387
  4. マスク技術 387
    4.1 まえがき 387
    4.2 マスクの製作 388
    (1)ハードマスク 388
    (2)マスク製造工程 389
    4.3 マスク欠陥とウエーハ歩留り 393
第2節 遠赤外線露光技術<津守利郎>
  1. はじめに 395
  2. 遠紫外線露光技術の概要 396
  3. 遠紫外線露光システム 396
  4. 3.1 光源 396
    3.2 コールドミラー 397
    3.3 フォトマスクと透過材 398
    3.4 コンタクト/プロキシミティ露光法 398
    3.5 投影露光 400
  5. 遠紫外露光用レジスト 402
    4.1 レジストの概論 402
    4.2 遠紫外線露光用レジストの各論 403
    (1)ポリメチルイソプロペニルケトン(PMIPK) 403
    (2)メタクリル系レジスト 404
    (3)クロロメチル化ポリスチレン(CMS)404
    (4)SEL-N 405
    (5)アシド系レジスト 405
  6. デバイスへの応用 406
  7. おわりに 406
第3節 EB(電子ビームリソグラフィ)<鈴木栄一>
  1. リソグラフィ技術の進歩 409
  2. 電子ビームリソグラフィの特徴 410
  3. 電子ビーム露光装置の構成 411
  4. 電子ビームの走査方法 412
  5. 電子ビームレジスト 414
  6. 電子ビームリソグラフィのプロセスと将来 415
第4節 X線露光<松井純爾>
  1. X線源およびX線アライナ 420
  2. X線マスク 421
  3. X線レジスト 422
  4. X線露光の応用 422
  5. X線露光技術の問題点と将来予想 424
第5節 IB<難波 進>
  1. はじめに 426
  2. IB露光の特長 426
    2.1 高分解能 426
    2.2 高感度 427
  3. 高輝度・微小径IB 428
    3.1 液体金属イオン源 428
    3.2 電界電離ガスイオン源 429
  4. マスクレスIB露光 430
  5. マスク使用IB露光 432

第7章 リソグラフィ技術2−エッチング技術

第1節 ウェットエッチング技術<堀池靖浩>
  1. まえがき 436
  2. ウェットエッチングの化学 436
  3. 各種材料のエッチング 437
    3.1 HF-HNO3系Si等方性エッチング 437
    3.2 アルカリ系Si異方性エッチング 437
    3.3 抵抗、電導型依存選択エッチング 440
    (1)電解エッチング 440
    (2)無電解エッチング 441
    3.4 エッチピット用エッチング液 442
    3.5 Si絶縁物材料のエッチング 443
    3.6 Siウェーハの洗浄プロセス 445
    3.7 アルミニウムのエッチング 447
  4. Si,Si化合物の各種エッチング液とその結果と使用方法 447
    4.1 Si等方性エッチング 447
    4.2 Si異方性エッチング 449
    4.3 電解エッチングと選択化学エッチング 451
    4.4 酸化物のエッチング 453
第2節 ドライエッチング技術<柴垣正弘>
  1. ドライエッチング技術の概要 456
  2. グロー放電 459
  3. ドライエッチング装置の分類 461
  4. 3.1 プラズマエッチング装置の分類 461
    3.2 反応性イオンエッチング(RIE)装置 462
    3.3 反応性イオンビームエッチング(RIBE)装置 462
  5. ドライエッチング装置の構成 464
    4.1 エッチング室 464
    4.2 排気系 464
    4.3 終点検出方法 465
    4.4 ウエーハ搬送系 467
  6. ドライエッチングの反応機構 468
    5.1 O2添加効果 468
    5.2 炭素の影響 469
    5.3 ケミカルルミネッセンス 471
    5.4 イオンアシスト効果 471
    5.5 放電周波数依存性 472
  7. ドライエッチング特性 473
    6.1 SiO2 473
    (1)プラズマおよびガスエッチング 473
    (2)RIEによるエッチング 474
    6.2 Si(poly-Si)エッチング 475
    (1)プラズマエッチング 475
    (2)異方性エッチング 476
    6.3 AIエッチング 479
    (1)エッチング開始時間の遅れ 479
    (2)AIの異方性エッチング 480
    (3)AIの腐食(After Corrosion,Post Corrosion) 481
    (4)エッチング残渣とレジストの劣化 482
    6.4 その他の材料 482
    (1)窒化シリコン(Si3N4) 482
    (2)メタルおよびメタルシリサイド 483
  8. デバイスへの応用
    7.1 表面平坦化技術 483
    7.2 デバイスの汚染と損傷
    7.3 高速エッチング 486

第8章 ビームアニール技術

第1節 レーザアニール<釘宮公一>
  1. 沿革 494
  2. レーザアニールの方式 495
  3. レーザアニールの基礎物性 496
  4. レーザアニールの要素技術 499
    4.1 イオン注入層の活性化 499
    4.2 多結晶シリコンのレーザアニール 500
    4.3 その他の応用 504
  5. デバイスへの適用 505
  6. 今後の課題 505
第2節 電子ビーム、イオンビームアニール<稲田太郎/杉山敏明>
  1. 電子ビームアニール装置と熱効果 511
  2. イオン注入SiのEBアニール 513
  3. デバイスへの応用 517
  4. その他の応用 519
  5. イオンビームアニール 521
第3節 その他の光アニール技術−フラッシュランプアニールetc−<釘宮公一>
  1. はじめに 525
  2. フラッシュランプアニール法の位置付けと特徴 525
  3. 装置の構成 526
  4. フラッシュランプによるアニール 527
    4.1 フラッシュパルスによるイオン注入層のアニール 527
    4.2 連続点灯によるアニール 528
    4.3 イオン注入層以外への応用 529
  5. フラッシュランプ以外のアニール技術 529
    5.1 赤外線照射によるイオン注入層のアニール 529
    5.2 熱輻射によるイオン注入層のアニール 531
  6. LSIプロセス技術としての展望 532

このページの先頭へ

■ 執筆者一覧(敬称略、肩書等は発刊時のものです)
■ 編集委員
原 徹
法政大学工学部電気工学科教授
鈴木 道夫
株式会社日立製作所中央研究所主任研究員
柏木 正弘
東京芝浦電気株式会社総合研究所集積回路研究所主任研究員
前田 和夫
パイオニア株式会社半導体研究所第一研究部部長
 
■ 執筆者(執筆順)
前田 和夫
パイオニア株式会社半導体研究所第一研究部部長
原 徹
法政大学工学部電気工学科教授
谷口 研二
東京芝浦電気株式会社総合研究所集積回路研究所研究主務
富永四志夫
株式会社日立製作所武蔵工場メモリIC設計部副技師長
阿部 孝夫
信越半導体株式会社半導体研究所半導体研究部部長
渡辺 正晴
東京芝浦電気株式会社総合研究所集積回路研究所主任研究員
小切間正彦
株式会社日立製作所中央研究所企画室主任研究員
岸野 正剛
株式会社日立製作所武蔵工場プロセス技術開発部主任技師
石川 元
株式会社富士通研究所半導体研究部門半導体研究部部長
豊蔵 信夫
株式会社富士通研究所半導体研究部門半導体材料研究部第四研究室長
井上 信市
株式会社富士通研究所半導体研究部門半導体研究部第三研究室
加藤 一郎
株式会社富士通研究所半導体研究部門半導体研究部第三研究室
伊藤 隆司
株式会社富士通研究所半導体研究部門半導体研究部第三研究室
北村 昌良
新日本無線株式会社半導体事業部第二技術課課長
浅利 悟郎
新日本無線株式会社半導体事業部第二技術課課長代理
赤坂 洋一
三菱電機株式会社LSI研究所LSIプロセス技術部主幹
吉見 武夫
株式会社日立製作所武蔵工場プロセス技術開発部主任技師
鍵井 孝夫
沖電気工業株式会社電子デバイス事業部マスク技術課課長
津守 利郎
ソニー株式会社じゃ胴体事業本部開発部門研究部技術開発課係長
鈴木 栄一
凸版印刷株式会社技術本部技術部主席技術員
松井 純爾
日本電気株式会社基盤技術研究所共通基礎研究部研究スペシャリスト
難波 進
大阪大学基礎工学部電気工学科教授
堀池 靖浩
東京芝浦電気株式会社総合研究所集積回路研究所研究主務
柴垣 正弘
東京芝浦電気株式会社総合研究所集積回路研究所研究主務
釘宮 公一
松下電器産業株式会社技術本部半導体研究所第二開発室副参事
稲田 太郎
法政大学工学部電気工学科助教授
杉山 敏明
法政大学大学院工学研究科
西山 和夫
ソニー株式会社半導体事業本部開発部門研究部技術開発課係長

書籍の注文画面へ このページの先頭へ
図書案内 セミナー案内 食品産業戦略研究所 オンデマンド版 メールマガジン お問い合せ 会社案内 Home