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オンデマンド出版(POD)
半導体プロセス材料実務便覧

コードNO0037P
発 刊1983年4月25日
編集委員
原 徹
法政大学 工学部電気工学科 教授
柏木 正弘
東京芝浦電気(株)総合研究所集積回路研究所 主任研究員
価 格 POD(オンデマンド)価格本体37,100円+税
体 裁 A4判並製 470頁
試 読不可
ご注意 オンデマンド版(POD)は、以下の点で当社通常書籍と扱いが異なります。
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半導体製造プロセスに用いられる各種材料の取り扱い方法実用データを集大成した必携実務書!

■ 主要構成

  1. 第1章 半導体基板材料
  2. 第2章 半導体用材料ガス
  3. 第3章 半導体用化学薬品
  4. 第4章 フォトプロセス用材料
  5. 第5章 電極、配線、リード線材料
  6. 第6章 半導体封止、組立材料
  7. 第7章 半導体用超純水
  8. 第8章 その他の半導体プロセス材料

【本書編集方針】

本書は半導体製造に用いられる各種材料の製造、精製法を含むデータを網羅的に編集するものであり、出典については下記論文誌、コンファランスのほか可能な限り幅広く配慮した。

論文誌
J.Electchem. Soc./IEEE Electron Devices/IEEE Solid State Circuits/Solid State Electronics/J.Appl.Phys./Appl.Phys.Letts/Japan J.Appl.Phys./電気通信学会本誌/電気通信学会論文誌/電気化学協会誌/化学関係ハンドブック/金属関係ハンドブック/化学関係論文/金属関係論文/各社カタログ、データ集/その他
コンファランス
Electrochem.Soc.関連のコンファランスのProceeding/IEDEM/Kodak Seminar/応用物理学会年会/電子通信学会年会/集積回路シンポジウム/半導体専門講習会/その他
各執筆者は手持ちのデータのみにとどめず、上記のものに関し十分調査の上、執筆内容に盛り込んである。
なお出典については、1977年以降のものを中心に記述し、それ以前のものは文献リストとして紹介した。
記述内容(FORMAT)は以下の通りである。
  1. 材料に関する化学的、物理的性質、純度等
  2. 製造、精製方法
  3. 集積回路への応用例、実用データ
  4. デバイスに使用する場合の問題点、要求事項
  5. 製造メーカ(競合・参入メーカ列記)
【発刊に向けて】

 集積回路は年々止どまることを知らず、予想以上の急速な進歩をみせています。 この進歩はデバイス設計とともに、デバイス構造・プロセス技術・プロセス材料の進歩に負うところが大であります。 これらの中でもデバイスおよびプロセス技術に関しては、毎年数多くの研究論文が発表されており、この分野の業務に携わっている人達は、これら論文、学会などからある程度その技術動向を知り、開発を進めることができます。

一方、デバイス作製に用いられているガス・電極材料・化学薬品・組立材料等の各種材料も、新材料の開発、純度の向上など年々技術的な進歩がはかられており、デバイスの性能、歩留り、信頼性の向上をはかる上で、材料技術もまた重要であることが知られています。

しかし、このような材料に関する技術論文はほとんど発表されていないため、前記のデバイス、プロセスのように技術動向、問題点などが明らかにされず、各社が独自の判断のもとに材料を選択し、使用しているというのが実情です。

各種ガス、化学薬品をはじめ、フォトマスク、レジスト等のプロセスに用いられる材料に関し、十分な知識を有し、この上にたって材料開発、選択を行うことにより、デバイス作製技術をさらに発展させることが出来ると思われます。

しかし、今までこの分野に関するデータ集はほとんどありませんでした。

本書は、これらの点を明らかにするための、半導体デバイス作製に用いるプロセス材料のハンドブックであります。

各分野の専門家によって広範なるデータが集められるとともに、研究論文、データハンドブック、各社のデータ集、営業資料等も精選しまとめてあります。 したがって、本書に詳細に収録された様々なるデータは半導体デバイス関連産業に関わる多くの人達にとって有用なるものであると確信いたします。

編集委員 原 徹/柏木 正弘

内容目次

第1章 半導体基板材料

第1節 半導体プロセスに用いられる基板材料<原 徹>
  1. 主なデバイスへの応用例
    1.1 元素半導体
    1.2 III-V族化合物半導体
  2. 元素および化合物半導体結晶の物理的、化学的データ
第2節 シリコン材料
(1) 高純度シリコン<菊池 光>
  1. シリコン単結晶の製造およびシリコンウエーハの加工工程
    1.1 金属シリコン
    1.2 多結晶シリコン
    1.3 シリコン単結晶
    1.4 ウエーハ加工プロセス
  2. 評価および測定方法
    2.1 電気的特性評価
    2.2 不純物分析
    2.3 結晶評価材料
    2.4 加工表面評価
  3. シリコン中の結晶欠陥
    3.1 微小欠陥(Swirl)
    3.2 酸素ドナーおよびニュードナー
    3.3 スリップ
    3.4 OSF(Oxidation Induced Stacking Fault)
    3.5 MSP(Micro Shallow Pit)
    3.6 不純物のゲッタリング法
(2) MCZ法(磁場中引上法)<星 金治/伊沢 伸幸/鈴木 利彦>
  1. MCZ法の原理
  2. MCZ装置および製法
  3. 結晶特性
    3.1 酸素濃度
    3.2 不純物濃度分布
    3.3 結晶欠陥とライフタイム
    3.4 高抵抗率結晶
  4. デバイス特性
  5. まとめ
第3節 化合物半導体基板材料<田中 明和>
  1. III-V族化合物半導体
    1.1 原料
    1.2 基板の要求品質特性
    1.3 基板の製造法
    1.4 化合物半導体と単元素半導体について
    1.5 品質特性のコントロール
    1.6 III-V化合物半導体メーカーおよび関連メーカー
  2. III-V族化合物のエピタキシャル成長
    2.1 エピタキシャル成長上の問題点
    2.2 成長法の原理と特徴
  3. II-VI族化合物
    3.1 CdS
    3.2 ZnO
第4節 半導体基板材料の評価・測定技術―ユーザー側からみた受入れ体制<岩渕 真三郎/渡辺 正幸/吉井 俊夫>
  1. シリコン基板
  2. 化合物半導体基板
  3. SOS・サファイア基板

第2章 半導体用材料ガス

第1節 半導体用ガスの製造工程と分析法<原田 光>
  1. 製造工程の概要
    1.1 原材料ガスの製法
    1.2 高圧容器へのガス充填とその製造工程
  2. 分析に用いられる各種機器の概要
    2.1 半導体用ガスの品質の現状
    2.2 不純物分析用の各種機器の概要
    2.3 正しい分析をするための留意事項
第2節 半導体ガスの購入受入れと操作、管理<吉見 武夫>
  1. 高圧ガスの受入れ検査
    1.1 容器検収
    1.2 容器の保管
  2. 高圧ガスの取扱い法と操作
    2.1 容器の運搬
    2.2 容器取付け操作
    2.3 ガス使用
    2.4 材質
    2.5 排気ガス処理
    2.6 容器の返却
  3. 安全管理と教育
    3.1 定期点検
    3.2 教育
    3.3 防災準備と対策
第3節 排気ガス処理と関連設備の安全<原田 光>
  1. 安全上留意すべきガスの性質
    1.1 ガスの毒性と可燃性
    1.2 ガスの比重および水への溶解と反応性
    1.3 除害装置と検知警報計の必要性
  2. 排気ガス処理装置の現状
    2.1 製造装置の直後での排気ガス処理
    2.2 排気ダクト末端での処理
  3. 漏洩ガスの検知警報計
    3.1 主な検知警報計の原理と性能の概要
  4. 配管設備での安全上の留意点
    4.1 低圧法のポンプ油の安全
    4.2 ガスボンベの取扱い法
  5. まとめ
    5.1 除害装置関係
    5.2 毒性ガスの検知警報計
第4節 半導体用ガスの各種装置に与える影響と対策<飯田 進也>
  1. エッチングの性質とエッチング特性
    1.1 Siのエッチングガス
    1.2 SiO2のエッチングガス
    1.3 Alのエッチングガス
    1.4 反応ガスおよび反応生成物の吸着
    1.5 Alの腐食のメカニズムと対策
  2. CVD,エッチングにおけるガス導入上の問題
    2.1 常圧および減圧CVD
    2.2 プラズマCVD
    2.3 プラズマエッチング
  3. CVD,エッチングにおける廃ガス処理とポンプに対する配慮
    3.1 粒状物の除去
    3.2 エッチング廃ガスの影響と対策
第5節 半導体プロセスのドライ化とドライエッチング用ガス<飯田 進也>
  1. プロセスのドライ化の目的
  2. ドライエッチング用ガス
    2.1 加工材料とガス選択の指針
    2.2 微細加工とガスの選択
    2.3 添加ガスの役割
  3. ドライエッチング装置
  4. ドライエッチング装置の新しい方向、動向
第6節 半導体用ガスの取扱いに関する法規と安全対策<堤内 学>
  1. 半導体ガスを取り扱うために必要な法規
  2. 半導体ガス取扱いに必要な主要関連法規
    2.1 各種の危険性に対する規制法規
    2.2 高圧ガスの破裂、爆発危険性に関する規制
    2.3 労働安全衛生法
    2.4 消防法
    2.5 毒物及び劇物取締法
    2.6 化学物質の審査及び製造等の規制に関する法律
    2.7 公害関係法
  3. 半導体取扱い時の事故例と対策
    3.1 半導体製造工場における潜在危険性と防災対策の考え方
    3.2 超LSI最新鋭工場の火災事故
  4. 製造工程
  5. 出火原因
  6. 考察と事故教訓の活用
    6.1 バーニング装置の設置場所
    6.2 塩ビパイプの採用
    6.3 排煙対策
    6.4 無窓建物の消火装置
    6.5 容器と配管の接続部から漏洩発火
    6.6 半導体製造装置排気ダクト関係の事故
    6.7 真空ポンプ吐出口の爆発、発火
    6.8 装置付帯部のチェック
    6.9 半導体製造装置用回転機械のトラブル・事故原因と対策
  7. 安全基準の種類と活用
    7.1 安全基準の必要性
    7.2 規程と基準は車の両輪
    7.3 基準の制定分類とその適用範囲
    7.4 基準の活用例
第7節 半導体製造に使用されるガスの種類、性質<原田 光>
  1. 半導体製造工程と使用されるガスの分類
    1.1 半導体基板中への不純物ドーピング
    1.2 成膜技術
    1.3 エッチング技術
  2. ガスの種類
  3. 物理的性質と留意点
  4. 化学的性質と留意点
  5. 危険性の種類によるガスの分類
  6. 関連法規

第3章 半導体用化学薬品

第1節 半導体製造プロセスにおける拡散用薬品<山中 綾夫/団野 隆夫>
  1. 半導体用薬品の拡散技術への用途
    1.1 P-N接合の作成法
    1.2 不純物の拡散層中での2つの分布
    1.3 開管式拡散炉の構造
    1.4 拡散炉中での拡散源の気相酸化反応
  2. 拡散用物質(diffusant)の種類と拡散方法
    2.1 拡散用物質の種類
    2.2 拡散方法からの分類と代表的な拡散物質
  3. 拡散用化学薬品各論
    3.1 オキシ塩化リン
    3.2 五酸化リン
    3.3 三臭化硼素
    3.4 三塩化硼素
    3.5 その他の拡散材料
第2節 エッチング液<小原 武彦>
  1. エッチング液の種類
    1.1 エッチングの目的
    1.2 ウエーハ表面汚染物の種類とエッチング液
    1.3 ウエーハ表面の微細加工に使われるエッチング液
    1.4 ウエーハ結晶表面観察のためのエッチング液
  2. エッチング液の物性、安全性および代表分析例
第3節 半導体化学薬品のろ過とそのシステム<高原 邦好>
  1. 半導体工業で使用される薬品およびその中に含まれる粒子の数
  2. フィルターの種類および材質
  3. 薬品中に含まれる粒子の流入源
  4. 薬品のろ過方法
  5. 薬品ろ過による効果
第4節 半導体ケミカルの品質管理と分析<宝地戸 雄幸>
  1. 半導体ケミカルの品質管理とは
  2. 工場の品質管理に占める分析の役割
    2.1 分析試料のサンプリングの方法
    2.2 分析内容の規定
    2.3 入荷検査における分析の役割
    2.4 工程管理における分析の役割
    2.5 出荷される製品の分析
  3. 製造工程の中に生かされる品質管理
    3.1 計量・配合の方法
    3.2 器具洗浄・装置の清掃
    3.3 材料の再使用の禁止
    3.4 装置の使用標準化
    3.5 品質管理の中のバックアップ態勢
  4. CVD材料の品質管理
    4.1 エッチングガス
    4.2 その他のCVD材料
    4.3 出荷容器の管理
  5. ファインセラミックス材料の品質管理
    5.1 粉体調整
    5.2 異物混入
    5.3 ボンディング

第4章 フォトプロセス用材料

第1節 フォトマスク材<山崎 照彦/金滝 行道>
  1. フォトマスクの種類、性質、用途
  2. UV露光用マスク材料
  3. DeepUV露光用マスク材料
  4. X線露光用マスク材料
  5. 電子線露光用マスク材料
  6. その他のマスク材料
第2節 高精度マスク素材とフォトマスク製造技術<金木 暁>
  1. 高精度フォトマスク素材
    1.1 フォトマスク用ガラス基板
    1.2 フォトマスクブランク
  2. フォトマスク製造プロセス
    2.1 CAD
    2.2 レチクル作成
    2.3 マスターマスク作成
    2.4 コピーマスク作成
第3節 フォトマスク用ブランク<流川 治>
  1. ガラス素材の種類と特性
  2. ガラス基板の研摩、洗浄法
    2.1 研摩工程と研摩機構
    2.2 洗浄工程と洗浄機構
  3. マスク用ガラス基板の特性
    3.1 欠陥の種類と定義
    3.2 SEMI規格
  4. クロムマスクブランク
    4.1 種類と製法
    4.2 欠陥の種類とマスクへの影響
  5. 特殊用、高精度用マスクブランク
    5.1 低膨張用ブランク
    5.2 レティクル用ブランク
    5.3 EB用ブランク
    5.4 高平面性、低欠陥ブランク
第4節 微細加工用レジスト材料―種類と特性<横田 晃/中村 洋一>
  1. フォトレジスト
    1.1 ネガ型フォトレジスト
    1.2 ポジ型フォトレジスト
  2. Deep UV(遠紫外線)レジスト
    2.1 ポジ型Deep UVレジスト
    2.2 ネガ型Deep UVレジスト
  3. 電子線レジストおよびX線レジスト
    3.1 電子線レジスト
    3.2 X線用レジスト
  4. ドライ現象用レジスト
第5節 ドライ化への対応と今後の動向<野々垣 三郎>
  1. 耐ドライエッチング性レジスト
    1.1 フォトレジスト
    1.2 DUVレジスト
    1.3 EBレジスト
    1.4 XRレジスト
  2. ドライ現像可能レジスト
    2.1 Motorolaのドライ現像可能フォトレジスト
    2.2 PMI PK―ビスアジド系レジスト
    2.3 ビニルカルバゾール−PCDPA系レジスト
    2.4 シリコン含有モノマ−PDCPA系レジスト
    2.5 有機シリコン−メタクリル樹脂系レジスト
  3. 多層レジスト構造

第5章 電極、配線、リード線材料

第1節 電極、配線材<鈴得 求>
  1. 高純度アルミニウム・アルミニウム合金
    1.1 真空蒸着用材料(電子ビーム法・誘導加熱法)
    1.2 スパッタリング用材料
  2. 高融点金属(Mo,Ta,W等)
  3. シリサイド
第2節 配線用リード線<福井 康夫>
(1) ボンディング用リード線
  1. ボンディング用リード線とボンディング法
  2. 金線
    2.1 金線の性質と種類
    2.2 金線の不純物による影響
    2.3 金線の製造
    2.4 金線に要求される機能
    2.5 金線の機械的性質
    2.6 ボール形状
    2.7 ボール形成時の結晶成長について
    2.8 ループ形成
(2) Al-Si 1%細線
  1. Al-Si 1%細線の性質
  2. Al-Si 1%細線の種類と機械的性質
  3. 超音波ワイヤーボンディングのメカニズム
(3) 高純度Al線
  1. 高純度Al線の性質
  2. Al線の種類
第3節 絶縁材料<高木 洋>
  1. 絶縁材料の用途・種類
  2. 絶縁材料の特徴
    2.1 SiO2
    2.2 ドープトオキサイド(doped oxide)
    2.3 Si3N4
    2.4 Al2O3
    2.5 fnsed glass
    2.6 高分子材料
  3. 絶縁材料の形成法
    3.1 酸化法
    3.2 CVD法(Chemical Vapor Deposition気相化学反応)
    3.3 PVD法(Physical Vapor Deposition)
    3.4 スピン・オン法

第6章 半導体封止、組立材料

第1節 封止、組立材
(1) 半導体封止金属材料<三好 明男>
  1. パッケージの分類とその概要
  2. 半導体封止金属材料の種類と特性
    2.1 封着用合金
    2.2 リードフレーム用金属材料
    2.3 製造工程
  3. リードフレーム材料の技術的問題点と今後の動向
(2) 半導体実装用セラミック材料<浦 満>
  1. パッケージ用セラミック材料に要求される特性
  2. セラミックスの種類
  3. アルミナ系磁器
    3.1 アルミナ原料粉の製造方法
    3.2 アルミナ磁器の製造方法
    3.3 アルミナ磁器の特性、応用など
  4. ベリリア磁器
    4.1 ベリリア原料粉の製造法
    4.2 ベリリア磁器の製造方法
    4.3 ベリリア磁気の特性
    4.4 ベリリア磁器の応用
  5. 高熱伝導・電気絶縁性炭化ケイ素磁器(ヒタセラムSC-101)
    5.1 炭化ケイ素原料粉の製造方法
    5.2 ヒタセラムSC-101の製造方法
    5.3 ヒタセラムSC-101の特性
    5.4 ヒタセラムSC-101の応用
  6. 半導体実装用セラミックスの動向
(3) 半導体封止用樹脂材料<伊香 和夫>
  1. 封止用樹脂材料の種類
    1.1 エポキシ樹脂
    1.2 エポキシ樹脂硬化剤
    1.3 シリコン樹脂
    1.4 ポリフェニレンサルファイド(PPS)
  2. 半導体封止用エポキシ樹脂成形材料
    2.1 エポキシ樹脂
    2.2 充填剤
第2節 半導体デバイスの封止方法<福井 清悦/神酒 慎一/野口 召三/鎌田 徹/成田 博史/桜井 文雄>

  1. 1.1 気密封止と樹脂封止
    1.2 封止における注意事項
  2. 封止方法
    2.1 気密封止
    2.2 樹脂封止
第3節 半導体集積回路(IC)封止用エポキシ樹脂と信頼性<番條 敏信/中川 治>
  1. エポキシ樹脂封止ICにおける重要な信頼性項目
    1.1 耐湿性
    1.2 耐熱ストレス性
    1.3 電気的安定性
  2. IC封止用エポキシ樹脂と耐湿性
    2.1 耐湿性評価方法
    2.2 樹脂組成との関係
    2.3 樹脂物性との関係
    2.4 耐湿性劣化のメカニズム
  3. IC封止用エポキシ樹脂と低応力化
    3.1 応力評価方法
    3.2 エポキシ封止樹脂と内部応力の関係
    3.3 応力特性と耐湿性
  4. IC封止用エポキシ樹脂とメモリICにおけるソフトエラー
第4節 半導体製造における接着―接着材の種類と性質
(1) ICのマウント(ダイボンディング)<加藤 俊博>
  1. ダイボンディング材料の種類と特性
    1.1 共晶合金接合法(硬質半田法)
    1.2 半田接合法(軟質半田法)
    1.3 樹脂接着法
  2. 評価技術
    2.1 接着強度
    2.2 電気伝導性
    2.3 熱抵抗
    2.4 環境試験
    2.5 その他
  3. 適用事例
    3.1 ダイボンディング材料の選択
    3.2 組立て装置
  4. 信頼性
    4.1 半田の熱疲労
    4.2 接着剤によるAI配線腐食
  5. 製造メーカー
(2) ジャンクションコーディングレジン(JCR)<野田 康昌>
  1. JCRの種類と性質
  2. 使用例
  3. 信頼性
(3) パッケージングケースと放熱板の接着<杉岡 修次>
  1. 接着の事例
  2. 接着の基礎
  3. 接着剤の選択
  4. 接合部構造設計
  5. 被着体の表面処理
  6. 接着作業
  7. 接着設計の方法
(4) マーキングインク<世良 通利>
  1. インクの種類と特徴
    1.1 熱硬化型インク
    1.2 紫外線硬化型インク
  2. 被マーク面の前処理
  3. 評価方法
(5) サーディップ用封止ガラス<桜井 寿春>
  1. ガラスの種類
  2. ガラスの特性
  3. 評価と信頼性
第5節 半導体製造におけるはんだ合金<中村 耕三>
  1. はんだ合金
    1.1 種類
    1.2 用途
  2. はんだ合金の性質
    2.1 はんだ合金の製法
    2.2 金属間化合物の生成
    2.3 In基はんだ合金の性質
  3. ソルダープリフォーム
    3.1 種類
    3.2 用途
  4. ソルダーペースト
    4.1 種類
    4.2 用途
  5. マイクロソルダリングの実際
    5.1 蒸気相はんだ付け
    5.2 母体のはんだ付け性試験
    5.3 はんだ付け接合部の検査
第6節 半導体素子の接着、接続と信頼性<藤根 信彦>
  1. 半導体素子における接着・接続
  2. ペレットマウントと信頼性
  3. 電極取出しと信頼性
  4. 外部回路との接続と信頼性

第7章 半導体用超純水

第1節 半導体用超純水の製造<梶栗 一孝>
  1. 要求される超純水の水質
    1.1 超純水の必要性
    1.2 超純水のグレード
    1.3 超純水の分析法
  2. 超純水の製造システム
    2.1 システム設計を行うにあたって
    2.2 製造システムの基本パターン
    2.3 製造システムの基本計画要領
  3. 超純水製造装置の材料および施行要領
    3.1 機器関係
    3.2 配管関係
    3.3 殺菌洗浄
第2節 半導体工場における廃水処理<今泉 正文>
  1. 半導体工場排水の特徴
  2. 排水の基本処理
    2.1 フッ素処理
    2.2 有機物の処理
    2.3 フッ素と有機物混合排水の処理
  3. 排水の回収再利用
    3.1 イオン交換樹脂による回収
    3.2 回収系に含まれる微量有機物の除去
    3.3 回収システム
  4. クローズド化
    4.1 蒸発・濃縮装置
    4.2 クローズドシステムの実例

第8章 その他の半導体プロセス材料

<原 徹>
  1. 研磨材
    1.1 ラッピング
    1.2 ポリシング
    1.3 メカノケミカルポリッシュ
  2. フィルタ
    2.1 エアフィルタ
    2.2 純水用フィルタ


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編集委員
原 徹法政大学 工学部電気工学科 教授
柏木 正弘東京芝浦電気(株)総合研究所 集積回路研究所 主任研究員
 
執筆者
原 徹法政大学 工学部電気工学科 教授
菊池 光信越半導体(株)半導体研究所物性研究室 研究員
星 金治ソニー(株)半導体事業本部 副長兼技術部長
伊沢 伸幸ソニー(株)半導体事業本部 結晶技術課 課長
鈴木 利彦ソニー(株)半導体事業本部 結晶技術課 課長補佐
田中 明和住友金属(株)電子材料研究所 研究員
岩渕 真三郎東京芝浦電気(株)半導体生産技術部 材料技術担当 主務
渡辺 正幸東京芝浦電気(株)電子部品研究所 主任研究員
吉井 俊夫東京芝浦電気(株)集積回路研究所 研究主務
原田 光日本酸素(株)技術本部分析センター 所長
吉見 武夫(株)日立製作所 武蔵工場プロセス技術開発部 主任技師
飯田 進也国際電気(株)電子機械事業部 副技師長
堤内 学(株)コスモ・エイテイ 技術顧問
山中 綾夫(株)山中化学工業所 代表取締役
団野 隆夫(株)山中化学工業所 取締役工場長
小原 武彦住友化学工業(株)新規事業部開発室 部長代理
高原 邦好日本ミリポアリミテッド・インダストリー 技術営業部 部長
宝地戸 雄幸(株)高純度化学研究所 代表取締役社長
山崎 照彦三菱電機(株)LSI研究所プロセス技術部 グループマネージャー
金滝 行道三菱電機(株)北伊丹製作所 集積回路第3製造部 IC製造課
金木 暁大日本印刷(株)ミクロ製品製造本部 ミクロ技術部プロセス技術第2課 課長
流川 治(株)保谷硝子 電子事業部 長坂工場生産技術課 課長代理
横田 晃東京応化工業(株)相模事業所 電子材料事業部 部長
中村 洋一東京応化工業(株)相模事業所 電子材料事業部
野々垣 三郎(株)日立製作所 中央研究所第1部 主管研究員
鈴得 求真空冶金(株)営業本部マーケティング部 部長補佐
福井 康夫田中電子工業(株)技術部 マネージャー
高木 洋東レ(株)電子材料事業部 特殊フィルム販売課
三好 明夫住友金属鉱山(株)電子金属本部 技術部材料試験室 室長
浦 満(株)日立製作所 日立研究所第5部 主管研究員
伊香 和夫日東電気工業(株)技術研究所 副主任研究員
福井 清悦山形日本電気(株)技術部 技術課長
神酒 慎一日本電気(株)第2LSI事業部 生産技術部 主任
野口 召三日本電気(株)第2LSI事業部 生産技術部 主任
鎌田 徹日本電気(株)第2LSI事業部 生産技術部
成田 博史日本電気(株)第2LSI事業部 生産技術部 主任
桜井 文雄日本電気(株)第2LSI事業部 生産技術部
番條 敏信三菱電機(株)北伊丹製作所 製造技術部 アセンブリ課 課長
中川 治三菱電機(株)北伊丹製作所 製造技術部 アセンブリ課
加藤 俊博東京芝浦電気(株)半導体事業部 半導体生産技術部 組立技術担当
野田 康昌東京芝浦電気(株)集積回路事業部 集積回路生産技術部 組立技術担当
杉岡 修次東京芝浦電気(株)半導体技術管理部 技術管理担当課長
世良 通利東京芝浦電気(株)半導体事業部 半導体生産技術部 組立技術担当
桜井 寿春東京芝浦電気(株)集積回路事業部 集積回路生産技術部 組立技術担当
中村 耕三タムラ化研(株)技術部 主任
藤根 信彦日本電気(株)第2LSI事業部 信頼性品質管理部 信頼性技術課長
梶栗 一孝日本錬水(株)見積計画部 主担
今泉 正文栗田工業(株)超純水設計部 設計2課


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