(株)サイエンスフォーラム 私たちはintelligenceを提供します。


ANDOR
図書案内 セミナー案内 オンデマンド版 食品産業戦略研究所 お問い合せ メールマガジン 会社案内 Home
オンデマンド出版(POD)
エレクトロニクス用結晶材料の精密加工技術

コードNO0055P
発 刊1985年1月30日
編集委員
松永 正久 千葉工業大学 精密機械工学科 教授/東京大学 名誉教授
井田 一郎 工業院大学 機械工学科 教授
小川 智哉 学習院大学 理学部物理学教室 教授
高須 新一郎 (株)東芝 半導体事業本部 技監(現:東芝セラミックス(株)技監)
価 格POD(オンデマンド)価格 本体41,650円+税
体 裁A4判並製 横2段組 700頁
試 読不可
ご注意オンデマンド版(POD)は、以下の点で当社通常書籍と扱いが異なります。
  • オンデマンド(On Demand:要求があり次第に)という意味の通り、お客様からの注文に応じてその都度印刷・製本をする販売形式を取っています。 そのため、ご注文を受けてから発送までに1週間〜10日前後のお時間をいただきます。
  • 受注生産のため、注文されてからのキャンセルはお受けできません。
  • 装丁は厚紙表紙のみの簡単なものになり、カバー等も付きません。
  • 【試読】および【お客様都合による返本】はお受けできません。
  • 書店経由ではなく弊社との直接のお取引(直販)となります 。書店割引はありません。
ご注文
  上記『ご注意』に同意された上で、ご購入のお手続きをお願いします。
執筆者一覧へ 詳細な内容を見る

キャンセル・返品不可 超LSIを中心とした近代エレクトロニクス用ウエーハおよび素子材料の精密加工技術

主要構成

第1章 総論
第2章 各種素子とその構造概要、加工上の問題点
第3章 スライシング
第4章 研削加工
第5章 ラッピング・ポリシング
第6章 材料別ラッピング・ポリシング
第7章 ウエーハ作製におけるエッチングと表面改質
第8章 表面清浄法
第9章 ダイシング及びスクライビング等
第10章 ウエーハ形状評価法
第11章 加工変質層とその測定

 本書はエレクトロニクス素子とくに半導体素子製造における機械加工部門の研究と実施例とをまとめたものであります。これらの目的に使用される材料は一般に欠陥のきわめて少ない単結晶であり、 その加工は通常の精密機械加工とちがった多くの困難さを伴うものであります。たとえば、超LSIに使用されるシリコンは直径が大きい(8インチウエーハが話題になっております)上に厚さが薄く、 しかも完全平面が要求され、多くの材料において加工面の方位の正確さが必要であります。さらに、物性的にみれば硬脆材料であることが多く、加工がきわめて困難なのが通例であり、 さらに大量生産の要求が切実であります。
 このような状況から、加工に関する各分野ごとに基礎的な考え方、現状、新しい着想などを整理して、現在中心となって活躍しておられる生産責任者・技術者に執筆して頂き、 この分野の飛躍をはかることを目指して本書を企画致しました。実際のデータと将来展望を中心に最近の研究状況を第一線の研究者・技術者の方に解説して頂ければ幸甚であります。またそのようにしてこそ、 実際の作業に従事する人々にも現場の技術のみならず、要求される精度の必要性と、加工の終局目的とを把握できることと信じます。

内容目次

序文<高良 和武>

第1章 総論

第1節 結晶材料の精密加工総論<松永 正久>
  1. 結晶材料の加工の特徴
  2. 各種加工法概論
  3. ラッピングとポリシングの特質
  4. 自動化
第2節 結晶試料定方位切断加工法<高須 新一郎>
  1. はじめに
  2. 測定・加工時の基本的注意
    2.1 各種目盛りとスリット・ブレード等の零調整
    2.2 各種方位出し
    2.3 方位移し換えとその治具類
    2.4 試料方位に対する2,3の注意
    2.5 おわりに
第3節 ラッピングによる単結晶の方位修正<野田 寿一>
  1. はじめに
  2. 単体方位ラッピング
  3. 多数枚方位ラッピング
第4節 結晶の異方性と加工<小松 啓>
  1. はじめに
  2. ひっかき硬さ
    2.1 ひっかき硬さの異方性
    2.2 ひっかき硬さとぜい性―延性遷移(Briittle-Ductile transition)
  3. へき開面
    3.1 へき開面とすべり面
    3.2 へき開面上の模様
  4. 異方性の代表例
    4.1 ダイヤモンドの異方性
    4.2 シリコン単結晶の異方性
    4.3 III-V化合物(特にせん亜鉛鉱型)結の異方性
    4.4 極性のちがいによる異方性
  5. おわりに
第5節 ウエーハ移送システムの自動化<浅川 誠/黒田 久雄/武田 有司>
  1. ウエーハ移送の自動化の目的
  2. MOSプロセスにおけるウエーハの流れ
  3. 移送単位
  4. ウエーハ移送システム
  5. 清浄度
第6節 ユーザーの立場よりウエーハメーカーへ望む<水野 修>

第7節 ウエーハメーカーより加工機メーカーへ望む<水間 基一郎>
  1. 結晶切断機
  2. 外径研削機
  3. スライシング機
  4. ラッピング機
  5. ポリシング機

第2章 各種素子とその構造概要、加工上の問題点

第1節 シリコン技術とその問題点<高須 新一郎>
  1. はじめに
  2. シリコン結晶の大型化及び面積成長速度の向上
  3. シリコン機械加工の問題
  4. そり測定の問題点
  5. 不純物及びその熱的挙動
  6. ウエーハデザイン
  7. ウエーハコスト
  8. おわりに
第2節 磁気ヘッド<小宮 昇>
  1. フェライト磁気ヘッドの概要
    1.1 フェライト材料について
    1.2 フェライト磁気ヘッドの歴史
  2. フェライト磁気ヘッドの構造
    2.1 映像ヘッド
    2.2 オーディオ用・ダビング用磁気ヘッド
    2.3 消去ヘッド
    2.4 テープ検索用等の多素子磁気ヘッド
    2.5 磁気ディスク用浮動型磁気ヘッド
    2.6 フロッピーディスク用磁気ヘッド
  3. 磁気ヘッドの加工
    3.1 磁気ヘッドの構成材料と加工精度
    3.2 研削加工(切断加工、成形加工)
    3.3 ラッピング・ポリシング
    3.4 超音波加工
    3.5 その他の加工方法
  4. 加工変質層
第3節 弾性表面波<柴山 乾夫>
  1. 弾性表面波の用途
  2. 作用および装置の概要
    2.1 弾性表面波の励振
    2.2 フィルタ
    2.3 共振器
    2.4 遅延線
  3. 設計技術と工作上の問題点
    3.1 材料
    3.2 設計技術
    3.3 工作上の問題点
第4節 光ファイバ用コネクタ<黒地 則夫>
  1. 光情報システムの概要
  2. 光ファイバの接続の基礎
    2.1 光ファイバにおける光の伝播
    2.2 光ファイバにおける光の損失
    2.3 光ファイバの接続損失
  3. 光コネクタの原理と精密技術
    3.1 光コネクタの基本構造
    3.2 光コネクタの性能設計
    3.3 光コネクタの加工
    3.4 光コネクタの加工精度の測定
  4. 光コネクタの特性評価
    4.1 接続損失(インサーションロス)
    4.2 反射損失(リターンロス)
    4.3 漏話(クロストーク)
    4.4 その他
  5. 光コネクタの種類と現状
    5.1 光コネクタの分類
    5.2 高性能形光コネクタ
    5.3 簡易形光コネクタ
    5.4 海外の光コネクタ技術状況
  6. 光コネクタの展望
第5節 水晶の利用<大浦 宣徳>
  1. 振動子用水晶
  2. 水晶振動子の種類
  3. 切り出し角の測定と加工
  4. 素板のラッピングと研磨
  5. 振動子の組み立て
  6. 水晶の光学製品への利用
第6節 時計用水晶振動子の種類、加工法と諸特性<川島 宏文>
  1. はじめに
  2. 時計用水晶振動子の要求特性
    2.1 腕時計用
    2.2 クロック用
  3. 時計用水晶振動子の種類と特徴
    3.1 +5°Xカット音叉型屈曲水晶振動子
    3.2 ATカット水晶振動子
    3.3 フォトリソグラフィ法によるGTカット水晶振動子
    3.4 TM水晶振動子
  4. 時計用水晶振動子の加工法と特徴
    4.1 機械加工法
    4.2 フォトリソグラフィによる加工法
  5. おわりに
第7節 圧電単結晶チップ振動子<若月 昇/藤原 嘉朗>
  1. まえがき
  2. 圧電単結晶のストリップ化
    2.1 結晶方位の検討
    2.2 ストリップ形状の小型化
  3. 振動素子の製作プロセス
  4. 振動子の構造
  5. 振動子の特性
    5.1 電気的特性
    5.2 温度特性
    5.3 機械的特性及び耐候性
  6. むすび
第8節 高輝度電子源としてのLaB6、TiC単結晶<石沢 芳夫/田中 高穂/大谷 茂樹>
  1. 高輝度電子源材料
  2. ホウ化ランタン(LaB6)単結晶電子源
    2.1 LaB6単結晶育成技術
    2.2 電子銃構造と性能
  3. 炭化チタン(TiC)単結晶電子源
    3.1 TiC単結晶育成技術
    3.2 電子銃構造と性能

第3章 スライシング

第1節 スライシング方法の種類<松永 正久>
  1. スライシング総論
  2. スライシング方法の問題点
  3. 回し切り
  4. 低速切断法
  5. スライシングにおけるそりの原因
  6. 切断ウエーハ処理の自動化
第2節 切断と切断変形<高須 新一郎>
  1. はじめに、問題の発端
  2. ウエーハ加工程における問題点
  3. 変形切断の原因
    3.1 インゴットのスライシングとブレード
    3.2 変形切断の発生
  4. ブレードの内外径比
  5. おわりとまとめ
第3節 内周型スライシングマシン<江川 満>
  1. 原理と構成
  2. スライシングの性能に及ぼす要因
  3. 内周型スライシングマシンの種類
第4節 スライシングマシンの自動化システム<鴨下 良雄>
  1. はじめに
  2. スライサーの切断ソフト及びマシン管理
    2.1 切断条件
    2.2 マシン管理
  3. スライサーの自動化システム
    3.1 自動監視機能
    3.2 自己修正機能
    3.3 ワークのハンドリング
  4. 今後の方向
第5節 精密NCスライシングマシン<細井 睦生>
  1. 構造
    1.1 トイシ軸
    1.2 トイシ頭上下送り
    1.3 コラム前後送り
  2. 操作盤
    2.1 機械操作盤
    2.2 NC操作盤
  3. サイクル
  4. 加工
    4.1 シリコン丸棒の切断
    4.2 水晶の切断
    4.3 セラミックスの切断
    4.4 加工上の留意点
第6節 スライシング技術<鶴田 捷二>
  1. まえがき
  2. スライシングの環境条件
    2.1 振動
    2.2 温度
  3. 装置の精度条件
    3.1 構造上の精度
    3.2 振動要因の排除
  4. ブレードの組付け
    4.1 装着
    4.2 張上げ
  5. ドレッシング
  6. クーラント
  7. スライシング
    7.1 そりの抑制
    7.2 かけの発生防止
  8. あとがき
第7節 電子材料のスライシング<小山 喜昭/牧 重弘>
  1. はじめに
  2. 外周カッタ
    2.1 外周カッタの形状、構造
    2.2 外周カッタの製法
    2.3 外周カッタの仕様
    2.4 切断条件
    2.5 加工例
  3. IDブレード
    3.1 概要
    3.2 ダイヤモンド刃部
    3.3 合金
    3.4 テンション
    3.5 いろいろなIDブレード
  4. バンドソー
    4.1 エンドレスバンドソー
    4.2 マルチバンドソー
第8節 内周砥石のテンショニング理論<大和田 国男/伊庭 剛二>
  1. 内周砥石の張り上げ方法
  2. 張り上げによって発生する応力と変位
  3. 砥石台金素材の異方性
  4. 内周刃部真円張り上げ砥石
  5. まとめ
第9節 内周型スライサにおける切断面うねりの発生原因<藤沢 政泰/荒川 紀義/塚原 優>
  1. ブレード動剛性
  2. ブレード振動と切断面うねり
第10節 ウエーハそりの発生原因と試作砥石による切断実験<国吉 真暁>
  1. はじめに
  2. ウエーハそりの発生原因
  3. ウエーハそりと砥石張り上げ強さの関係
  4. 試作砥石による切断実験
    4.1 セグメントタイプ内周形砥石
    4.2 多層内周形砥石
    4.3 薄型内周形砥石
  5. おわりに
第11節 楕円孔切断砥石<黒田 久雄/中田 宏/上野 嘉之>

第12節 各種スライシング法の解説

(1) 側圧切断<和田 重伸>
  1. 概要
  2. 原理、装置構成
  3. 工作物材料
  4. 切断面形状
  5. 切断面ひずみ
  6. 切断圧力
  7. ディスキングにおける切断厚さの限界
  8. まとめ
(2) ワイヤソー<清水 弘>
  1. ワイヤソーへの熱い思い
  2. メカニカルマルチワイヤソーの出現
  3. なぜワイヤの細かい往復運動が必要か
  4. メカニカルマルチワイヤソーの将来とその限界
(3) 化学的複合切断<渡辺 純二>
  1. はじめに
  2. ダイヤモンド三角錐による引っかき実験
    2.1 実験装置と方法
    2.2 実験結果と考察
  3. ワイヤソーによる切断実験
    3.1 実験装置と方法
    3.2 実験結果と考察
(4−1) 多刃切断機<市川 浩一郎/西本 吉伸>
  1. まえがき
  2. 多刃切断機の原理と機構
  3. 多刃切断機としての具備すべき条件と特徴
    3.1 多刃切断機の機構上要求される事項
    3.2 多刃機を有効に利用するために
    3.3 多刃切断機の特徴
  4. 加工例
  5. 結言
(4−2) 振動多刃切断<石川 憲一>
  1. まえがき
  2. 振動多刃方式の原理と特徴
  3. 実験に用いた装置と実験の方法
  4. 実験の結果と加工例
  5. まとめ
(5) MEEC加工原理によるスライシング<黒松 彰雄>
  1. MEEC加工法
    1.1 MEEC加工原理
    1.2 MEEC加工の特徴
    1.3 MEEC加工方式を導入した加工機械
    1.4 MEEC砥石および加工液
  2. MEEC加工例
    2.1 センダストおよびアモルファス
(6) ワイヤカット放電加工<平本 修>
  1. 概要
  2. 原理と構造
    2.1 放電回路
    2.2 ワイヤカットの構造
  3. 加工方法と特性
    3.1 加工範囲
    3.2 加工速度
    3.3 加工溝幅
    3.4 加工面あらさと真直度
    3.5 加工面と加工変質層
    3.6 内部応力の影響
    3.7 加工精度
    3.8 セカンドカット
    3.9 テーパ加工
  4. 加工例
    4.1 複雑形状加工
    4.2 特殊材料の加工
  5. おわりに

第4章 研削加工

第1節 結晶材料の研削加工<小野 喬利>
  1. M/Cの使用目的
  2. M/Cの構成と特長
  3. 各研削方式による研削表面の差異
  4. 加工精度
第2節 シリコンウエーハの面取り加工<永井 秀幸>
  1. まえがき
  2. 面取り加工の目的
    2.1 かけ、チップの防止
    2.2 エピタキシャル成長時のクラウン防止
  3. 面取り加工の方法
    3.1 倣い方式面取り加工
    3.2 総型方式の面取り加工
  4. 面取りの形状
    4.1 面取りの形状
    4.2 加工寸法の設定
    4.3 面取り寸法の測定
  5. 面取りの加工品質
    5.1 加工精度
    5.2 面取り部の加工層
    5.3 面取り部の平滑性
    5.4 面取り部の清浄性
  6. 面取り加工の今後の動向
第3節 ウエーハ縁取り加工機<平野 好也>
  1. 加工機の種類
    1.1 倣い方式
    1.2 総型方式
    1.3 5軸NC制御方式
  2. 倣い方式の加工機
    2.1 研削加工の原理
    2.2 倣い方式の開発目的
    2.3 その他の構造
    2.4 ウエーハの研削速度
    2.5 砥石について
    2.6 最後に
第4節 誘電体分離基板の加工技術<渡辺 純二>
  1. はじめに
  2. 基板特性と加工工程
  3. クラウン状多結晶Siの除去研削
  4. 形状修正研削
  5. むすび

第5章 ラッピング・ポリシング

第1節 シリコンウエーハの鏡面研磨方法の現状と今後の動向<滝口 蓮一>
  1. はじめに
  2. シリコンウエーハの鏡面研磨技術
    2.1 鏡面研磨方法の現状
    2.2 シリコン鏡面ウエーハに要求される品質と鏡面研磨条件
    2.3 研磨装置
  3. 今後の動向
    3.1 高平坦度化と両面鏡面研磨技術
    3.2 レーザーマーク化
    3.3 ウエーハの大口径化とノッチ化
第2節 微粉研磨材

(1) 総論<松永 正久>
  1. 微粉研磨材の定義
  2. 微粉研磨材について考えるべきこと
  3. 微粉研磨材の種類
  4. 微粉研磨材の概要
  5. 各種研磨材の電子顕微鏡写真
  6. コロイダルシリカ又はシリカゲル
(2) 粉砕アルミナ系微粉研磨材<久保 昌昭/児玉 一志>
  1. 種類
  2. 製造方法
    2.1 インゴッドから粗粒までの製造
    2.2 砥粒微粉の製造
  3. 粉砕アルミナ系微粉研磨材の粒度規格及び化学組成
  4. 粉砕アルミナ系微粉研磨材の用途と品質管理
(3) 沈降アルミナ系微粉研磨材<久保 昌昭/児玉 一志>
  1. 種類
  2. 板状アルミナの製法及びその特性
  3. 微粒子アルミナの製法及びその特性
(4) SiC系微粉研磨材<久保 昌昭/児玉 一志>
  1. 種類と製法
  2. SiC系微粉研磨材の用途
  3. ラッピング用砥粒の性質
    3.1 形状
    3.2 硬度
    3.3 じん性
(5) 微粒子けい酸(シリカゲル)<久保 昌昭/児玉 一志>
  1. 種類
  2. 製造方法
  3. 微粒子けい酸の特性
(6) コロイダルシリカ<久保 昌昭/児玉 一志>
  1. 種類
  2. 製造方法
  3. コロイダルシリカの特性
(7) ダイヤモンドパウダー<鈴木 数夫>
  1. 天然ダイヤモンドと合成ダイヤモンド
  2. 分類
    2.1 粒状ダイヤモンド
    2.2 粉状ダイヤモンド
    2.3 品種区分
  3. 粒度
    3.1 メッシュサイズダイヤモンド
    3.2 ミクロンサイズダイヤモンド
  4. ミクロンサイズダイヤモンドの粒度分布
  5. おわりに
第3節 EEM(Elastic Emission Machining)における粉末粒子・工作物間の相互作用力と加工特性<森 勇蔵/杉山 和久/山内 和人>
  1. 加工特性
    1.1 各種粉末粒子・工作物の組み合せと加工特性
    1.2 粉末物性制御と加工特性
  2. 加工機構の一考察
  3. EEMによる超精密数値制御加工法
  4. EEM加工面の評価
  5. あとがき
第4節 EEM(Elastic Emission Machining)によるシンクロトロン放射(SR)用ミラーの試作<本郷 俊夫/東 保男>
  1. 緒言
  2. 実験装置、加工方法
  3. 加工結果
  4. まとめ
第5節 非接触型加工<渡辺 純二>
  1. はじめに
  2. 非接触(浮上)原理
  3. 加工装置の設計・試作
    3.1 工具面形状設計
    3.2 設計・試作装置
  4. 加工装置の特性
    4.1 試料の浮上特性
    4.2 加工特性
  5. むすび
第6節 大形ラップ・ポリシ機の設計、試作<宇根 篤暢>
  1. まえがき
  2. 設計方針
  3. 構造
  4. 試作結果
    4.1 定盤の浮上、振動特性
    4.2 加圧精度
    4.3 平面修正制御
    4.4 加工時の昇温特性
  5. Siウエーハポリシングへの適用
  6. あとがき
第7節 両面同時ラッピングとそりの減少<浜口 恒夫/吉井 誠一>
  1. 緒言
  2. 理論式の導出
    2.1 ウエーハに作用する圧力分布
    2.2 そり変化を表す式
    2.3 定数A1、A2、A3の決定法
  3. 理論と実験の比較
    3.1 理論式の検討
    3.2 そり減少の機構
  4. 結論
第8節 主要ポリシング機械の現状<編集部>
  • 不二越機械工業(株)
  • 東芝機械(株)
  • スピードファム(株)
  • スピットファイヤー
  • シルテック
第9節 各種結晶のメカノケミカルポリシング<唐木 俊郎>
  1. はじめに
  2. メカノケミカルポリシングの原理・概要と加工機構
    2.1 加工原理にもとづく分類とその概要
    2.2 加工機構
  3. 各種結晶材料のメカノケミカルポリシング特性
    3.1 Si単結晶
    3.2 GGG単結晶
    3.3 フェライト単結晶
    3.4 その他の結晶
  4. むすび
第10節 メカノケミカルポリシング<安永 暢男>
  1. はじめに
  2. メカノケミカルポリシングの加工原理
  3. 加工特性
    3.1 加工能率
    3.2 加工精度
  4. サファイア以外の結晶への本加工法の適用
    4.1 水晶への適用
    4.2 Si単結晶への適用
    4.3 Si3N4焼結体への適用
  5. むすび
第11節 固定砥粒ラップとその応用<萩生田 善明/刈込 勝比古/中川 威雄>
  1. 鋳鉄ボンドダイヤモンド(又はCBN)複合ラップ定盤の製作
  2. 鋳鉄ボンド複合ラップ定盤の製作法と特性
  3. 複合ラップ定盤によるラッピング
第12節 ポリシャ<河西 敏雄>
  1. 光学ポリシングにおけるポリシャ
    1.1 ピッチポリシャ
    1.2 セラック含浸フェルトポリシャ
    1.3 硬質発砲ポリウレタンポリシャ
  2. 金相学的ポリシングにおけるポリシャ
    2.1 フェルトポリシャ
    2.2 ダイヤモンドペースト用ポリシャ
  3. 半導体ウエーハ研磨用ポリシャ
第13節 ラッピング・ポリシングにおける自動化<松永 正久>
  1. 自動化の方向
  2. 加工寸法のインプロセス測定
  3. 加工物の自動着脱
  4. コンピュータコントロールによるポリシング
第14節 半導体ラッピング加工機<市川 浩一郎>
  1. まえがき
  2. 平行平面ラップ盤の種類
    2.1 オスカー型
    2.2 ラップマスター型
    2.3 ホフマン型
  3. 良い平面を出すには
  4. USP-Lapping machine
    4.1 機械構造
    4.2 特徴
  5. むすび
第15節 圧電結晶片の研磨時における自動厚み制御法<鮫島 俊英>
  1. まえがき
  2. 自動球面研磨装置の概要
  3. 水晶片自動研磨システム
    3.1 球面研磨部
    3.2 自動周波数制御部
  4. 圧電気信号による周波数制御
    4.1 高周波圧電気信号
    4.2 周波数スペクトル検出法
  5. 制御回路
    5.1 全体のブロック図
    5.2 研磨時のダイナミック・レスポンス
    5.3 周波数制御と板圧精度
  6. まとめ
第16節 磁気研磨法<進村 武男/波田野 栄十>
  1. 加工原理
  2. モデルテストによる研磨圧力の測定
  3. 加工例
第17節 新しい原理・方式による研磨技術<今中 治>
  1. 概説
  2. ハイドレーション・ポリシング
  3. フロート・ポリシング
  4. 磁場・電場援用の研磨
  5. 磁場援用による設定パラメータの制御

第6章 材料別ラッピング・ポリシング

第1節 結晶材料加工総論<井田 一郎>
  1. 加工技術と適用対象
  2. 水晶精密加工
  3. 光応用結晶の精密加工
  4. GaAsの精密加工
  5. 複合加工
  6. フェライトの精密加工
  7. 結晶加工研究のまとめ
  8. 加工研究の在り方と今後の課題
第2節 結晶材料の精密加工<河西 敏雄>
  1. 結晶部品作製における要求事項
  2. 結晶材料のラッピング
  3. 結晶材料のポリシング
  4. 高精度平面形状の研磨のための加工装置、ジグ
第3節 InP基板の鏡面研磨<飯山 重幸>
  1. まえがき
  2. 実験方法
  3. 実験結果
    3.1 Br-メタノール-水系の加工特性
    3.2 Br-メタノール-コロイダルシリカ系の加工特性
    3.3 仕上がり面品位
  4. むすび
第4節 ZnSeのポリシング<奥富 衛>
  1. はじめに
  2. ハイドレーションポリシング法
  3. ZnSeのポリシングに関する材料の基礎特性
  4. 砥粒による機械的ポリシング
  5. ケミカル-メカニカルポリシング
  6. ハードレーションポリシング法と表面特性
  7. あとがき
第5節 単結晶フェライト<荒川 紀義>
  1. はじめに
  2. フェライトの性質
  3. 加工法と磁気特性
  4. ラッピング・ポリシングにおける加工変質層
  5. メカノケミカルポリシングにおける加工変質層
第6節 GGG単結晶の液中式メカノケミカルポリシング<石川 通夫>
  1. 緒言
  2. 液中式加工法の特徴
  3. 実験方法および条件
  4. 実験結果および考察
    4.1 加工特性
    4.2 加工表面
    4.3 表面欠陥
  5. まとめ
第7節 弾性表面波デバイス用ウエーハ<西村 俊夫/小見 忠雄>
  1. はじめに
  2. LiTaO3、LiNbO3単結晶ウエーハ
    2.1 単結晶育成
    2.2 ウエーハ仕様
  3. LiTaO3、LiNbO3単結晶ウエーハの加工技術
    3.1 スライシング
    3.2 ラッピング 3.3 裏面加工およびそり修正
    3.4 ポリシング
  4. まとめ
第8節 工業用ダイヤモンド<深尾 良郎>
  1. エレクトロニクス産業とダイヤモンド
  2. 装置と方法
  3. 工業用ダイヤモンドの研磨
    3.1 研磨特性
    3.2 精密仕上
    3.3 こぼれの機構
    3.4 振動の影響
  4. 異方性
    4.1 研磨不能の方向
    4.2 双晶
第9節 宝石としてのダイヤモンド<近山 晶>
  1. 宝石加工の分類
  2. ダイヤモンド加工の特色
  3. 原石検査(Inspection)
  4. クリービング〔へき開加工〕(Cleaving)
  5. ソーイング〔切断加工〕(Sawing)
  6. ブルティング〔荒削りまたは胴摺り加工〕(Bruting)
  7. カッティングとポリシング〔研磨加工〕(Cutting and Polishing)

第7章 ウエーハ作製におけるエッチングと表面改質

第1節 エッチング汎論<楢岡 清威>
  1. 緒言
  2. Si結晶のエッチング機構
  3. 触媒連鎖
  4. 拡散律速
  5. マイクロマシーニング
  6. 金属および酸化物のエッチング
  7. 複合酸化物のエッチング液
  8. エッチング液の基準
  9. 反応生成物の溶解度
  10. エッチング液の沸点
  11. エッチングの例
第2節 シリコンウエーハの化学エッチング<浜口 恒夫>

第3節 試料の運動とエッチング特性<渡辺 純二>
  1. はじめに
  2. 酸性液によるSiウエーハのエッチング
  3. アルカリ性液によるSiウエーハのエッチング
  4. むすび
第4節 紫外線とオゾンによる表面改質<吉海江 真美>
  1. はじめに
  2. 光源について
  3. 応用範囲
    3.1 紫外線オゾン洗浄
    3.2 表面改質処理
    3.3 その他
  4. 装置
  5. 今後の展望

第8章 表面清浄法

第1節 表面清浄法総論<村岡 久志>
  1. はじめに
  2. 汚染の構造
  3. 洗浄法の問題点
  4. 清浄度評価について
第2節 微粒子汚染とプロセス自動化<原田 宙幸>
  1. はじめに
  2. 微粒子汚染の現状
    2.1 クリンエア
    2.2 純水・薬品
    2.3 LSI製造装置
  3. プロセス自動化
    3.1 製造装置の自動化
    3.2 ウエーハ移送システム
    3.3 計算機システム
  4. まとめ
第3節 表面洗浄と処理システム<若宮 亙/福本 隼明/中田 秀文>
  1. はじめに
  2. ウエーハプロセスでの異物付着状況
    2.1 環境による汚染
    2.2 プロセス処理施設での異物付着状況
  3. ウエーハ表面汚染・異物評価法
  4. ウエーハ表面の異物除去について
  5. まとめ
第4節 純水の高度化<佐藤 久雄>
  1. はじめに
  2. 電子工業で要求される超純水の水質
  3. 超純水中の微生物総数の水準
  4. 超純水製造装置におけるUFの位置
  5. 超純水と循環系の方式
  6. システム構成材料の洗浄
第5節 薬品からの微粒子汚染<村岡 久志>
  1. はじめに
  2. 薬品中の微粒子濃度測定
    2.1 顕微鏡法による精密測定
    2.2 自動式粒子計数器
  3. 電子工業用薬品中の微粒子
  4. 薬品中微粒子の半導体製造工程への影響
  5. 無塵薬品への道
第6節 純水中の微生物の現状とその検査法<土崎 南>
  1. はじめに
  2. 培養法による細菌数の測定
  3. 純水中の微生物総数の測定
  4. 純水製造ライン中における微生物の増加と殺菌・洗浄効果
  5. おわりに
第7節 電子部品に発生するカビの問題−その実態と防止対策<井上 真由美>
  1. エレクトロニクスにおけるカビの問題
  2. 自然界でのカビと人間との関係
  3. トラブル発生の事例
  4. 防止対策の具体的手段
  5. 認識の向上のために
第8節 超クリーンネス管理(1)無塵化<小宮 啓義>
  1. クリーンルームとは
  2. クリーンルームの方式
  3. 清浄度のモニタリング
  4. 超クリーンネス管理
  5. 結晶材料加工とクリーンネス
第9節 超クリーンネス管理(2)無菌化<鈴木 道夫>
  1. はじめに
  2. 菌の一般状況
  3. 菌持ち込みのの要因
  4. 菌の除去効果
    4.1 加熱法
    4.2 濾過法
    4.3 照射法
    4.4 化学的法
  5. 菌のLSIへの影響
    5.1 異物形状として
    5.2 不純物源として
    5.3 表面特性として
第10節 表面クリンネス評価法<清水 保弘>
  1. 酸化膜耐圧
  2. 測定方法と酸化膜耐圧
  3. プロセス依存性
  4. 酸化膜厚依存性
  5. 電極の効果
  6. 測定面積と欠陥密度
  7. サブ依存性
  8. 最後に

第9章 ダイシング及びスクライビング等

第1節 ダイヤモンド砥石による自動ダイシング装置<小野 喬利>
  1. システム構成
  2. 電気システムブロック図
  3. 各ユニットのシステムに関する機能
    3.1 システムコントローラ
    3.2 搬送コントローラ
    3.3 ウエーハマウンタ
    3.4 ダイサー
  4. メカシステムの概略
    4.1 ウエーハマウンタ技術
    4.2 ダイシング技術
第2節 レーザスクライビング<長野 幸隆>
  1. はじめに
  2. 半導体基板のスクライビング
  3. セラミックスのスクライビング
第3節 ダイヤモンド砥石による超精密加工装置<渡辺 俊雄>
  1. 磁気ヘッドにおける超精密加工
  2. 高精度溝入れ加工機
    2.1 主な特長
    2.2 装置主要部の説明
    2.3 クローズドループ制御
    2.4 ダイヤモンドブレード
    2.5 半導体ウエーハ切断用ダイシングマシン
  3. 今後の展望

第10章 ウエーハ形状評価法

第1節 シリコンウエーハのそり<高須 新一郎>
  1. はじめに
  2. シリコンウエーハのそりの定義と分類
  3. そり変形形状測定方法
  4. そり・変形の制御
    4.1 ウエーハの加工変形
    4.2 処理変形の発生とそりの関連
  5. おわりに
第2節 ウエーハ形状測定とその統計処理<谷田貝 豊彦>
  1. はじめに
  2. ウエーハ平坦度の定義と測定法
  3. レーザ干渉式自動フラットネステスタ
    3.1 フィゾー干渉計
    3.2 ディジタル画像処理システム
    3.3 測定例と性能
    3.4 統計的データ処理例
  4. まとめ
第3節 モアレトポグラフィー法、ホログラフィー法の原理と表面形状測定<鈴木 正根>
  1. モアレトポグラフィー計測法
    1.1 格子照射型モアレトポグラフィー
    1.2 格子投影型モアレトポグラフィー
    1.3 レーザストリーク型モアレトポグラフィー
  2. ホログラフィー干渉計測法
    2.1 液(気)浸法
    2.2 二波長法
    2.3 計算機ホログラフィー法
    2.4 ロンキーテストホログラフィー法
  3. 縞画像の解析
第4節 微小寸法の光学的測定<吉田 庄一郎>
  1. まえがき
  2. 微小寸法測定機
    2.1 透過形測定機
    2.2 反射形測定機
    2.3 電子ビームによる線幅測定
  3. 微小パターンの位置測定
    3.1 レーザ干渉式測長機
    3.2 レーザ干渉式座標測定機
  4. あとがき
第5節 レーザビーム走査による平面度測定機<百瀬 克己/唐沢 保/伴 箕吉>
  1. まえがき
  2. 測定原理、特徴
  3. 仕様
  4. 測定例
  5. むすび
第6節 シリコンウエーハ形状の自動計測<小沢 秀雄/山崎 仁>
  1. オプトマイクロメータ
    1.1 測定原理と特長
    1.2 1点型オプトマイクロメータ
    1.3 多点同時測定型オプトマイクロメータ
    1.4 全自動式ウエーハ厚さ測定機
  2. ニデック・ディジタルフラットネステスタ
    2.1 概要
    2.2 特徴
    2.3 測定原理
    2.4 全自動フラットネステスタの構成
    2.5 機能
  3. ウエーハ形状自動計測の今後の展開
第7節 シリコンウエーハの加工ひずみ<津屋 英樹/浜口 恒夫>
  1. 緒言
  2. 実験
  3. 結果
  4. 考察
  5. 各加工工程における平面度の向上
  6. 結語

第11章 加工変質層とその測定

第1節 加工変質層総論<高須 新一郎>
  1. 加工と変質層
  2. 加工変質層とその検出方法
  3. 光弾性法
  4. X線回折プロファイルと面内方位
  5. 異常分散の応用
  6. おわりに
第2節 シリコン単結晶の加工変質層<山田 朝治/川辺 秀昭/梅野 正隆>
  1. 透過電子顕微鏡観察
  2. 加工変質層のX線観察
  3. まとめ
第3節 ライフタイムによる加工層の評価<間田 洋一/大原 多賀彦>
  1. はじめに
  2. 測定法および原理
  3. 加工層とライフタイム
    3.1 サンドブラスト
    3.2 研磨加工
    3.3 スパッタエッチング
  4. おわりに
第4節 光反射法により鏡面品質評価<加藤 進/山内 敬次>
  1. はじめに
  2. 鏡面品質の評価方法
  3. 鏡面品質の観察例
    3.1 Sawダメージの影響
    3.2 バックサイド・ダメージの影響
    3.3 ウエーハ接着の影響
    3.4 研磨状態
  4. あとがき
第5節 光反射スペクトルと表面層の格子欠陥<森 勇蔵/杉山 和久/山内 和人>
  1. 緒言
  2. 結晶表面と光の反射
    2.1 結晶格子欠陥と反射率
    2.2 表面あらさと反射率
    2.3 表面薄膜と反射率
  3. 反射率スペクトルの測定
  4. 各種加工面の反射率スペクトル
  5. 結言
第6節 X線の散漫散乱による加工層の評価<原田 仁平>
  1. X線回折の基礎
    2.1 プラグ反射と散漫散乱
    2.2 欠陥による散漫散乱
    2.3 熱散漫散乱
  2. X線散漫散乱の測定
  3. 観測例
    4.1 Siの加工表面
    4.2 GaAsの加工表面
第7節 シリコン結晶の機械加工ひずみ層の評価とその応用<高野 幸男>
  1. まえがき
  2. 機械加工ひずみ層とその評価方法
    2.1 ウエーハの湾曲(曲率)の測定
    2.2 機械加工表面のあらさの測定
    2.3 機械加工ひずみ層の測定
  3. 機械加工ひずみ層の評価
    3.1 研削加工ひずみ層
    3.2 切断およびラッピング加工ひずみ層の評価
    3.3 研削加工ひずみ層(および切断加工ひずみ層)の発生機構
  4. 機械加工ひずみ層の熱処理効果
    4.1 加工ひずみ層からの転位の発生
    4.2 加工ひずみ層のゲッタリング作用
  5. あとがき
第8節 オージェ電子分光法によるシリコンの加工面の研究<松永 正久/田中 彰博/本間 禎一>
  1. 目的
  2. 試料及び実験方法
  3. Siとその酸化物におけるケミカルシフト
    3.1 Siのオージェスペクトラム
    3.2 Si加工面のオージェスペクトラム
    3.3 SiのKLLスペクトラム及び酸素のスペクトラム
  4. 計算式
  5. 考察
第9節 メカノケミカルポリシングと積層欠陥の発生<唐木 俊郎>
  1. はじめに
  2. OSFの発生源の分類とメカノケミカルポリシングについて
    2.1 加工によるOSF発生の要因
    2.2 加工によるOSF発生の要因
  3. メカノケミカルポリシングによるOSFの発生
    3.1 ポリシャ回転数(n)の影響
    3.2 加工圧力(p)の影響
    3.3 ポリシ剤n供給量(q)の影響
    3.4 モデル実験
  4. むすび
第10節 レーザラマン分光法による半導体表面加工層の評価<河東田 隆>
  1. レーザラマン分光法の概要
  2. ラマン散乱の基礎理論
    2.1 結晶の格子振動による散乱
    2.2 アモルファス材料からの散乱
  3. 装置と測定法
  4. 半導体評価の概要
  5. 陽極酸化膜−GaAs構造中の遊離物質の評価
  6. GaAs機械研磨層のストレス
  7. 熱処理の絶縁膜−GaAs構造におけるストレス
  8. GaAsイオン注入層の評価
  9. その他の表面加工層の評価
第11節 結晶フェライトの加工変質層<村山 智一>
  1. 単結晶フェライト加工変質層の特徴
  2. 加工変質層の定義
  3. 加工変質層の影響
  4. 加工変質層の測定方法と加工変質層深さ
  5. 初透磁率による加工変質層の解析
    5.1 加工変質層と初透磁率
    5.2 初透磁率の測定法
    5.3 初透磁率の周波数特性
    5.4 エッチングによる初透磁率の変化
  6. 常規磁化曲線による加工変質層の解析
    6.1 加工変質層と常規磁化曲線
    6.2 常規磁化曲線を求める方法
    6.3 加工法による常規磁化曲線の差
    6.4 エッチングによる磁束密度の変化
    6.5 加工変質層とひずみ分布の類推
  7. 磁区観察による加工変質層の解析
  8. おわりに
第12節 フェライト単結晶の加工層の超音波による検出<川井 頼能>
  1. はじめに
  2. 超音波吸収の測定方法及び測定装置
  3. 測定試料
  4. 研磨加工層の厚さの検討
    4.1 研磨層のエッチング・レイト
    4.2 加工層の除去とB-H曲線との関係
  5. 超音波吸収の測定結果
  6. 吸収ピークの検討
    6.1 500kの緩和型吸収
    6.2 240kのヒステリシス型吸収
第13節 水晶振動子の研磨層とその振動子特性に及ぼす影響<大浦 宣徳>
  1. 水晶発振器と周波数経時変化
  2. 水晶振動子と研磨加工
  3. 加工層の観察
    3.1 斜切断法による観察
    3.2 X線による加工層の観察
    3.3 電子線回折によるポリシェ加工層の観察
  4. 振動子の共振周波数変化による観察
  5. ポリシェした水晶の加工層の偏光解析法による観察
    5.1 溶融水晶のポリシェ加工層の観察
    5.2 ATカット水晶のポリシェ加工層の観察
  6. 水晶振動子の特性に及ぼす加工層の影響
    6.1 水晶振動子のQ値と加工層との関係
    6.2 水晶振動片の加工層と周波数経時変化との関係
  7. 加工層の除去
第14節 偏光解析法による加工層の検出とその評価<横田 英嗣/大平 文和>
  1. 偏光解析法の原理
  2. ψpp測定法
  3. ガラスの研磨表面層
  4. Bowl Feed Polishing技術
  5. Bowl Feed Polishingによるガラス表面層
  6. 半導体Si表面加工層の評価
  7. 複素屈折率スペクトルの測定
  8. ダメージ層の深さ方向分布の測定
第15節 カソードルミネッセンス法による加工層の研究<榎本 祐嗣>
  1. カソードルミネッセンス法の原理と測定方法
  2. カソードルミネッセンス法による結晶の変形・変質の観察と分析例
    2.1 ZnSeの結晶構造のミクロ観察
    2.2 TypeIIダイヤモンドの摩擦損傷
    2.3 MgO単結晶の摩擦損傷
    2.4 化合物半導体における転位のカソードルミネッセンス特性
  3. まとめ
第16節 超音波顕微鏡とその応用<館岡 斉/内野 文雄>
  1. はじめに
  2. 超音波の特性
    2.1 音波の特性(反射・透過特性)
    2.2 音波の吸収
  3. 超音波顕微鏡の原理
  4. 超音波顕微鏡の応用
    4.1 内部観察
    4.2 マイクロクラックの観察
    4.3 結晶粒の観察
    4.4 表面波速度測定
  5. おわりに


このページの先頭へ

執筆者(執筆順・敬称略、肩書等は発刊時のものです)
 
高良 和武(財)高エネルギー加速器科学研究奨励会 常務理事/東京大学 名誉教授/高エネルギー物理学研究所 名誉教授
松永 正久千葉工業大学 精密機械工学科教授/東京大学 名誉教授
高須 新一郎(株)東芝 半導体事業本部技監(現:東芝セラミックス(株)技監)
野田 寿一日本電信電話公社 茨城電気通信研究所光ファイバ研究室 主管担当研究専門調査役
小松 啓東北大学 金属材料研究所教授
浅川 誠日本電信電話公社 武蔵野電気通信研究所 自動化システム研究室 研究専門調査役
黒田 久雄日本電信電話公社 武蔵野電気通信研究所 自動化システム研究室研 究専門調査員
武田 有司日本電信電話公社 武蔵野電気通信研究所 自動化システム研究室 研究専門調査員
水野 修日本電気(株)第1LSI事業部プロセス開発部技術課 課長
水間 基一郎日本シリコン(株)顧問
小宮 昇九州松下電器(株)熊本磁気ヘッド事業部 企画室長
柴山 乾夫玉川大学 工学部情報通信工学科 教授/東北大学 名誉教授
黒地 則夫日本電気(株)光ケーブル通信開発本部デバイス開発部 担当部長
大浦 宣徳東京工業大学 精密工学研究所 助教授
川島 宏文セイコー電子工業(株)研究開発部 主任
若月 昇富士通(株)第2部品開発部第1開発課 課長
藤原 嘉朗富士通(株)第2部品開発部 第1開発課
石沢 芳夫無機材質研究所 第12研究グループ 総合研究官
田中 高穂無機材質研究所 第12研究グループ 主任研究官
大谷 茂樹無機材質研究所 第12研究グループ 研究員
江川 満(株)東京精密 社長室 部長
鴨下 良雄(株)東京精密 土浦工場技術1課 主任
細井 睦生(株)岡本工作機械製作所 技術情報室 室長
鶴田 捷二日本シリコン(株)技術部 課長
小山 喜昭旭ダイヤモンド工業(株)研究部 次長
牧 重弘旭ダイヤモンド工業(株)研究部
大和田 国男(株)不二越 代表取締役社長
伊庭 剛二(株)不二越 技術部 次長
藤沢 政泰(株)日立製作所 生産技術研究所 研究員
荒川 紀義(株)日立製作所 生産技術研究所 主任研究員
塚原 優(株)日立製作所 甲府分工場 技師
国吉 真暁(株)東芝 生産技術研究所精密加工研究部 主任研究員
和田 重伸日本電気(株)研究開発技術本部 試作部
清水 弘安永エンジニアリング(株)取締役 技術部長
渡辺 純二日本電信電話公社 武蔵野電気通信研究所 材料加工研究室 主管担当研究専門調査役
市川 浩一郎不二越機械工業(株)代表取締役副社長
西本 吉伸不二越機械工業(株)開発部 開発課
石川 憲一金沢工業大学 機械工学科 教授
黒松 彰雄応用磁気研究所 所長
平本 修ファナック(株)機械営業本部東部 営業部長
小野 喬利ディスコ(株)取締役 技術部長
永井 秀幸小松電子金属(株)技術部 主査
平野 好也第一精機(株)代表取締役
滝口 蓮一小松電子金属(株)技術部 部長
久保 昌昭不二見研磨材工業(株)品質管理部検査課 課長
児玉 一志不二見研磨材工業(株)技術部商品開発課 係長
鈴木 数夫東名ダイヤモンド工業(株)常務取締役
森 勇蔵大阪大学 工学部精密工学科 教授
杉山 和久大阪大学 工学部精密工学科 助手
山内 和久大阪大学 工学部精密工学科 助手
本郷 俊夫高エネルギー物理学研究所 共通研究系工作部門 助教授
東 保男高エネルギー物理学研究所 共通研究系工作部門 技官
宇根 篤暢日本電信電話公社 厚木電気通信研究所 加工装置研究室 研専門調査役
浜口 恒夫日本電気(株)研究開発技術本部試作部 主任
吉井 誠一日本電気ホームエレクトロニクス(株)開発研究所 精密技術センター長代理
唐木 俊郎日本電信電話公社 武蔵野電気通信研究所 材料加工研究室 研究専門調査員
安永 暢男電子技術総合研究所 電子加工研究室 主任研究員
萩生田 善明日本工業大学 機械工学科 講師
刈込 勝比古都立航空工業高等専門学校 助教授
中川 威雄東京大学 生産技術研究所 教授
河西 敏雄埼玉大学 工学部 助教授
鮫島 俊英(株)精工舎 時計事業本部特品開発部 部長
進村 武男宇都宮大学 工学部精密工学科 助手
波田野 栄十東洋研磨材工業(株)常務取締役 技術開発部長
今中 治東京大学 生産技術研究所 教授
井田 一郎工学院大学 機械工学科 教授
飯山 重幸日本電信電話公社 厚木電気通信研究所 加工装置研究室 研究主任
奥富 衛電子技術総合研究所 電子加工研究室 主任研究官
石川 通夫日本電気(株)研究開発技術本部試作部 主任
西村 俊夫(株)東芝 要素部品事業部材料部品技術部 担当課長
小見 忠雄(株)東芝 要素部品事業部材料部品技術部 主務
深尾 良郎旭ダイヤモンド工業(株)研究部
近山 晶近山晶宝石研究所 所長
楢岡 清威(株)日立製作所 デバイス開発センタープロセス開発部 技師
吉海江 真美三井物産電子販売(株)営業本部 工業機器営業室
村岡 久志(株)東芝 半導体事業本部 顧問
原田 宙幸日本電信電話公社 厚木電気通信集積加工研究部 主管担当研究専門調査役
若宮 亙三菱電機(株)LSI研究所 プロセス開発第1部 技師
福本 隼明三菱電機(株)LSI研究所 プロセス開発第2部 主事
中田 秀文三菱電機(株)LSI研究所 副所長
佐藤 久雄野村マイクロサイエンス(株)専務取締役
土崎 南日本微生物クリニック(株)代表取締役
井上 真由美井上微生物災害研究所 所長
小宮 啓義三菱電機(株)北伊丹製作所装置技術部 部長
鈴木 道夫(株)日立製作所 中央研究所 主任研究員
清水 保弘大阪チタニウム製造(株)研究開発室室長
長野 幸隆(株)東芝 生産技術研究所レーザ技術開発担当 主任研究員
渡辺 俊雄(株)東京精密 営業本部営業技術部 課長
谷田貝 豊彦筑波大学 物理工学系 助教授
鈴木 正根富士写真光機(株)参事光学機器部長
吉田 庄一郎日本光学工業(株)取締役精機事業部長
百瀬 克巳キヤノン(株)半導体機器製造部 部長
唐沢 保キヤノン(株)半導体機器品質推進課 主任研究員
伴 箕吉キヤノン(株)計測開発室 主任研究員
小沢 秀雄(株)ニデック 代表取締役
山崎 仁(株)ニデック 技術部開発3課 課長
津屋 英樹日本電気(株)超LSI開発本部結晶開発部 部長
山田 朝治大阪大学 工学部精密工学科 教授
川辺 秀昭大阪大学 工学部精密工学科 教授
梅野 正隆大阪大学 工学部精密工学科 教授
間田 洋一日本電信電話公社 厚木電気通信研究所結晶材料研究室 研究専門調査員
大原 多賀彦日本電信電話公社 厚木電気通信研究所結晶材料研究室 研究専門調査役
加藤 進三菱電機(株)北伊丹製作所プロセス技術部 主事
山内 敬次三菱電機(株)北伊丹製作所プロセス技術部
原田 仁平名古屋大学 工学部応用物理学科 教授
高野 幸男(株)日立製作所 中央研究所 主任研究員
田中 彰博東京大学 生産技術研究所 技官
本間 禎一東京大学 生産技術研究所 助教授
河東田 隆東京大学 工学部境界領域研究施設 助教授
村山 智一(株)東芝 生産技術研究所精密加工研究部 主幹研究員
川井 頼能学習院大学 理学部物理学教室
横田 英嗣東海大学 工学部光学工学科 教授
大平 文和日本電信電話公社 武蔵野電気通信研究所工務部 研究専門調査員
榎本 祐嗣機械技術研究所 基礎部トライボロジ課 主任研究官
舘岡 斉オリンパス光学工業(株)研究本部研究グループ 主任
内野 文雄オリンパス光学工業(株)研究本部研究グループ


書籍の注文画面へ このページの先頭へ
図書案内 セミナー案内 食品産業戦略研究所 オンデマンド版 メールマガジン お問い合せ 会社案内 Home