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オンデマンド出版(POD)
表面界面の超精密創成・評価技術

コードNO0135P
発刊日1991年7月
編集委員
桜井 好正 千葉工業大学 精密機械工学科 教授
千川 純一 高エネルギー物理学研究所放射光実験施設 教授
松永 正久 東京大学 名誉教授/千葉工業大学 研究所 教授(嘱託)
日本学術振興会・結晶加工と評価技術第145委員会 編
価 格POD(オンデマンド)価格 本体45,500円+税
体 裁A4判並製 424頁
試 読不可
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キャンセル・返品不可 半導体集積技術のブレイクスルー、ピコメータ技術に挑む表面界面の超精密創成・評価技術の知見を集大成
半導体製造ならびに精密加工分野の研究・開発技術担当者必備の書

主要構成

第1篇 超精密表面・界面創成技術
第1章 切削・研削による超精密加工
第2章 微小除去法による超精密表面創成法
第3章 超精密加工の応用例
第4章 原子層エキピタシ技術
第5章 薄膜の応用
第2篇 超精密形状・構造評価技術
第1章 表面粗さと平坦度の超精密測定
第2章 表面状態の測定
第3章 サブミクロパターンの測定と標準化
第4章 界面の形状・構造
第3篇 表面界面の測定・評価のためのビーム技術
第1章 光技術の進歩
第2章 X線
第3章 電子線

【発刊にあたって】

 最近の技術革新はまことに目ざましいものがある。 天には人工衛星が飛びかい、地には車があふれており、コンピュータがあらゆる部門で活躍している。 この技術革新を支える一つの柱がエレクトロニクスであることには異論がないであろう。 超LSIを頂点とするこの技術ほど日進月歩を遂げている分野は他に見当たらない。 昔は数十mmの大きさをもっていた電子管と同一の機能が今μm(10-6m)オーダーの大きさに縮小され、このような素子の寸法をますます小さくすることが半導体工業の至上命令になっている。
 この進歩を支える基礎の学問として表面物性工学と精密加工学の功績は大きい。 前者においては原子間隔やX線・電子線の波長等A(10-10m、SI表示に従えば100pm)単位の領域が古くから研究の中心であった。 後者においては過去において、製造現場における加工寸法精度・表面凹凸・リソグラフィにおける最小寸法・位置決め・分析範囲等がμmを着ることを目標としてきたが、最近になって、nm(10-9m)領域が問題となり、いわゆるナノテクノロジーが普及し、場合によっては、nm以下、すなわちpm(10-12m)で表示される寸法を対象とする技術が必要となっている。
 日本学術振興会、結晶加工と評価第145委員会(145委員会と略称)は、上記二つの分野の発展に寄与するために、研究・討論会を開催してきたが、加工の分野においても、いち早く「ピコメータ技術」を提案し、加工及び表面創成と測定の三者を併せ考えてこの技術の進展を図ってきた。 本書はその成果をまとめたものであり、その内容は、基本的には、半導体素子製造の周辺技術である。 また、pmに達しなくても重要と思われる技術はこれに含めてある。 さらに、半導体素子製造技術を他の工業分野に利用することも配慮している。
 今回お願いした著者は、いずれも現在第一線で活躍されている研究者・技術者の方々であり、躍進する新技術を見事にご紹介いただいた。 また、本書の出版にご協力下さった145委員会の委員長であり、X線領域まで利用できるシンクロトロン放射施設の創設にあたられた東京大学名誉教授高良和武博士、145委員会の幹事として委員会活動を推進してこられた学習院大学教授小川智哉博士の両氏に厚く御礼申し上げる。
編集委員 松永正久(代表)/桜井好正/千川純一

内容目次

序説 本書の目的と内容
<松永 正久>
  1. 委員会設立の経緯と業績
  2. この書の目標
  3. ピコメータ技術とは
    3.1 ピコメータオーダの表面凹凸測定
    3.2 ピコメータオーダの表面除去と表面粗さの創成
    3.3 原子配列に関する問題(その1.結晶成長)
    3.4 原子配列に関する問題(その2.人工格子)
    3.5 原子配列と材料物性
    3.6 格子定数の超精密測定
    3.7 酸化膜と下地との界面、とくにシリコンについて
    3.8 電子ビームの利用
    3.9 格子欠陥および表面欠陥
  4. 電子ビームの利用
    4.1 電子ビームの波長
    4.2 電子顕微鏡関連技術の発展
    4.3 表面凹凸測定に対する電子線の利用
  5. 薄膜作製技術
    5.1 エレクトロニクス素子用薄膜
    5.2 ECRプラズマ
    5.3 薄膜の機械的性質
  6. 表面分析における進歩
    6.1 反射高分電子線回折(RHEED)
    6.2 赤外分光法
    6.3 ラザーフォード後方散乱測定法(RBS)と粒子線励起X線分析法(PIXE)
    6.4 CAICISS(同軸型直衝突低速イオン散乱分光法)
    6.5 LIMS(レーザーマイクロプローブ質量分析法)
  7. リソグラフィ技術
  8. イオンビームの利用
  9. シンクロトロン放射光の利用
  10. マイクロマシニング
  11. クリーン化技とウエハ汚染

第1篇  超精密表面・界面創成技術

第1章 切削・研削による超精密加工

第1節 運動転写原理に基づく超精密加工<宮下 政和>
  1. ぜい性材料の加工の歴史と加工原理
  2. 圧力転写型加工と工作機械の設計仕様
  3. 割れのないぜい性材料自由曲面の創成加工は可能か?―超精密、大量生産技術への道
    3.1 CCOM(Computer Controlled Optical Manufacturing)による自由曲面の創成
    3.2 運動転写型除去加工によるぜい性材料の表面創成における転写誤差は?―トルーイング加工による運動転写誤差
    3.3 延性・ぜい性遷移点dc値(ductile/brittle/transition dc
  4. ぜい性材料の延性モード研削の成立条件とナノ研削技術
  5. 従来の研削盤の運動転写機能の限界は?
    5.1 運動転写機能の周波数限界
    5.2 運動転写の誤差限界
  6. 延性モード研削盤、延性モードトルーイング研削盤の設計仕様
  7. 運動転写原理に基づく超精密研削加工技術
  8. 伝統的研削加工技術とナノ研削加工技術の比較
第2節 微細砥粒砥石による鏡面研削加工<大森 整/中川 威雄>
  1. 電解インプロセスドレッシング鏡面研削法
    1.1 メタルボンド砥石による研削法の難点
    1.2 電気分解によるドレッシングの必要性
    1.3 電解インプロセスドレッシング研削法
  2. Elid鏡面研削法の効果
    2.1 初期ドレッシング特性
    2.2 インプロセスドレス効果
  3. Elid鏡面研削法の位置付け
  4. Elid鏡面研削法の適用
    4.1 Elid研削の適用方式
    4.2 Elid研削の適用事例
    4.3 Elid研削加工面の評価

第2章 微小除去法による超精密表面創成法

第1節 ポリシング総論<松永 正久>
  1. ポリシングのメカニズム
    1.1 微小切削
    1.2 塑性変形および塑性流動
    1.3 表面溶融
    1.4 融点以下の表面流動
    1.5 摩耗的除去
    1.6 工作液の物理的・化学的作用
    1.7 研磨剤の物理的・化学的作用
  2. ポリシングの種類
    2.1 固定砥粒ラップによるポリシング
    2.2 乾式ラッピング
    2.3 非接触ポリシング
    2.4 剛性のあるポリシャによる遊離砥粒ポリシング
    2.5 軟質ポリシャを用いる遊離砥粒ポリシング
    2.6 メカノケミカルポリシング
第2節 スーパースムーズ鏡面研磨技術<河西 敏雄>
  1. スーパースムーズ鏡面の概念
  2. 光学ポリシングの高度化について
  3. ピッチポリシャの改善例
  4. 新しいポリシャの採用
  5. 鏡面研磨に関する新たな考え方
第3節 コンピュータコントロールポリッシング<正木 健/河田 耕一/佐藤 健夫>
  1. コンピュータコントロールポリッシング:CCP
  2. CCPの利用分野
  3. 超精密切削・超精密研削とCCP
  4. 加工方式
  5. CCP加工装置
  6. 加工制御
  7. 工具ポリッシャ
  8. 形状測定
  9. これからのCCP
第4節 粒子ビームによる平担面の創成<宮本 岩男>
  1. イオンビーム加工について
  2. イオンビーム加工装置
  3. イオンビーム加工における問題点
  4. イオンビーム加工の平面加工などへの応用例
    4.1 塗布膜を利用した表面の平滑化
    4.2 X線ミラー用多層膜のイオンビーム平滑化
    4.3 平面度の修正加工
    4.4 ブロックゲージの寸法修正加工
    4.5 マイクロウェイブ用リミッターチョークの加工
    4.6 ダイヤモンド工具のイオンビーム加工
    4.7 集束イオンビームによるフォトマスクの修正
第5節 低損傷・高平滑なドライエッチング技術<浅川 潔>
  1. 超高真空プラズマエッチング装置
  2. GaAsの超精密エッチング
    2.1 GaAsスパッタ率の反応増速効果
    2.2 エッチング表面のRHEED観察と平滑性
    2.3 GaAsの平滑エッチングのモデル
  3. AlGaAs・GaAsの等速エッチング
  4. GaAsの垂直エッチング
    4.1 垂直断面形状の劣化
    4.2 3層レジストマスク
    4.3 垂直エッチング
  5. GaAsの表面クリーニング

第3章 超精密加工の応用例

第1節 X線ミラーの超精密加工<山本 碩徳/中村 宣夫>
  1. X線ミラーの特徴
    1.1 形状からみた特徴
    1.2 材料の特性と種類
  2. X線ミラーの加工技術
    2.1 自由曲面光学素子の製造技術
    2.2 自由曲面光学素子の加工例
    2.3 表面粗さの向上
  3. 今後の課題
第2節 シリコンウエハの加工<木下 正治>
  1. 大口径のウエハのニーズ
  2. 8インチウエハのスペックと加工上の課題
  3. ウエハ加工のプロセス
    3.1 スライシング
    3.2 面取り加工
    3.3 ラッピング
    3.4 エッチング
    3.5 ポリシング
    3.6 洗浄
  4. ウエハ加工におけるイノベーション
第3節 シリコンウエハの直接接合<古川 和由>
  1. 直接接合技術
    1.1 直接接合技術の開発
    1.2 直接接合の方法
    1.3 接合メカニズム
  2. 半導体への適用
    2.1 半導体製造工程との適合性
    2.2 接合性ウェーハの機械的強度
    2.3 未接合部分の検出方法
  3. 直接接合の応用
    3.1 接合するウェーハと用途
    3.2 Si-Si直接接合の応用例
    3.3 酸化膜介在直接接合の応用例
第4節 マイクロマシン(超小型機械)<江刺 正喜>
  1. 加工技術の概要
  2. 具体例
    2.1 集積化容量型圧力センサ
    2.2 シリコンサーボ型加速度センサ
    2.3 集積化マスフローコントローラ

第4章 原子層エキピタシー技術

第1節 MBEおよびその成長素過程<西永 頌>
  1. MBE法
    1.1 MBE装置
    1.2 RHEED振動と膜厚制御
  2. MBE成長の素過程
    2.1 2次元核形成と表面拡散の理論
    2.2 表面拡散の実験と表面拡散距離
第2節 超格子デバイス<榊 裕之>
  1. 量子構造による閉じ込めと2次元、1次元、0次元電子ガス
  2. 障壁におけるトンネル透過と共鳴トンネルダイオードおよび超格子
  3. 正孔の閉じ込めとバンド間光吸収変化
  4. 垂直電界による量子状態の変調と光吸収変化(シュタルク効果)
  5. 量子効果を用いた電子デバイス
    5.1 変調ドーピング構造の高移動度性とFET応用(HEMT)
    5.2 量子細線における超高移動度とトランジスタ(QWI-FET)
    5.3 量子干渉による非線型伝導素子とトランジスタ
  6. 量子効果を用いたオプトエレクトロニクス素子
    6.1 量子構造を用いた光変調器
    6.2 非線形光学素子および光双安定素子
    6.3 量子非戸・量子細線・量子箱を用いたレーザ
    6.4 量子構造を用いた光検出器
  7. 結びと展望
第3節 MOVPEとALE<尾関 雅志>
  1. MOVPE
    1.1 原料
    1.2 界面急峻化技術
    1.3 成長膜の高均一化
  2. ALE
    2.1 成長機構
    2.2 ALE技術の現状と将来
第4節 シリコンのエピタキシ層、その製作と応用<津屋 英樹>
  1. シリコンエピタキシー技術
    1.1 CVD法
    1.2 UHV/CVD法
    1.3 MBE法
  2. エピタキシーのデバイス応用
    2.1 バイポーラへの応用
    2.2 BiCMOSへの応用
    2.3 超高周波デバイス
    2.4 その他のデバイス応用
第5節 シリコン引き上げ面における超平滑面の創成<原田 仁平>
  1. 引き上げ法による結晶成長
  2. MCZ法とファセット面
  3. 結晶面の平滑性の評価
    3.1 CTR散乱について
    3.2 CTR散乱の観測
  4. MCZ結晶のファセット面の評価

第5章 薄膜の応用

第1節 多層膜・超格子の基礎と応用<山本 良一/前 一樹>

第2節 X線用多層膜とゾーンプレート<宮田 威男/山田 由佳>
  1. 軟X線多層膜ミラー
    1.1 簡単な歴史
    1.2 開発課題
    1.3 最近の研究動向
  2. ゾーンプレート
    2.1 軟X線用フレネルゾーンプレート(FZP)
    2.2 短波長X線用フレネルゾーンプレート
第3節 光磁気記録・再生のための多層膜構造<山岡 秀喜/片山 博之>
  1. 多層膜化による再生性能の改善
    1.1 反射防止膜構造
    1.2 反射膜構造
    1.3 仮想屈折率
    1.4 組成変調膜構造
  2. 多層膜化による信頼性の改善
  3. Co/Pt、Co/Pd多層膜

第2篇 超精密形状・構造評価技術

第1章 表面粗さと平坦度の超精密測定

第1節 表面粗さと平坦度の表示法<奈良 治郎>
  1. 概説
  2. 表面粗さの表示
  3. 平面度の表示
第2節 触針法および非接触式光学測定法<味岡 成康>
  1. 表面の微細形状測定法の一分類
  2. 触針を用いた微細形状測定器の機能発展の経過
  3. 本測定法の特徴と特有な測定条件
    3.1 測定器は構成上の特徴―機械的な走査装置
    3.2 固体触針を用いた測定法の特徴と測定条件
    3.3 光触針を用いた測定法の特徴と測定条件
  4. 固体触針と光触針との測定値の関連について
    4.1 触針が測定する表面について
    4.2 測定器の構成
  5. 機械的な触針を用いた測定器
    5.1 携帯用小型表面粗さ測定器
    5.2 表面の微細形状測定器
    5.3 高倍率表面形状測定器
    5.4 高精度化輪郭測定器
  6. 光学的な触針(光触針)を用いた測定器
    6.1 全反射臨界角法による測定器
    6.2 非点収差法による測定器
    6.3 自動焦点式測定器
  7. 最近の動向
第3節 光学的方法による超精密粗さ測定<諸隈 肇>
  1. 光学的測定法
    1.1 焦点検出法
    1.2 光切断法
    1.3 光波干渉法
    1.4 光散乱法(位相差法)
    1.5 ニアフィールド走査顕微鏡
  2. 横分解能にかかわる測定精度について
    2.1 焦点検出による測定の場合
    2.2 干渉稿による測定の場合
第4節 波動光学式方法による超精密形状と粗さの測定<谷田貝 豊彦>
  1. 干渉計
  2. 高精度干渉法
    2.1 ヘテロダイン干渉法
    2.2 縞走査干渉法
  3. 縞解析の原理
  4. 表面粗さ測定法
    4.1 顕微干渉計による方法
    4.2 高精度干渉法の利用
    4.3 等色次数干渉法
第5節 X線による超精密粗さ測定<青木 貞雄>
  1. X線照射による物体からの反射
  2. X線反射率低下による表面粗さの評価
  3. X線散乱による表面粗さ測定
  4. 測定例
    4.1 軟X線利用の表面粗さ測定
    4.2 硬X線利用の表面粗さ測定
第6節 電子線ホログラフィーによる超精密粗さ測定<外村 彰>
  1. 電子線ホログラフィー
  2. 電解放射電子
  3. 電子線ホログラフィーの実際
  4. 干渉顕微鏡像の解釈
  5. 応用例
    5.1 厚さ分布の測定
    5.2 磁区観察
    5.3 アハラノフ・ボーム効果の検証実験

第2章 表面状態の測定

第1節 表面層の状態観察<梅野 正隆>
  1. どの領域からの情報か
  2. 表面形状
  3. 表面構造
    3.1 回折法
    3.2 イオン散乱光
    3.3 直接観察法
    3.4 その他
  4. 表面分析
    4.1 オージェ電子分光(Auger Electron Spectrocopy:AES)
    4.2 X線光電子分光(X-ray Photoelectron Spectrocopy:XPS)
    4.3 2次イオン質量分析(Secondary Iron Mass Spectrocopy:SIMS)
    4.4 アトムプーロブFIM
  5. 表面状態の動的観察
    5.1 偏光解析法の原理
    5.2 In-Situエリプソメータによる動的測定
第2節 表面の自然酸化物<服部 健雄>
  1. 自然酸化物とは
  2. 自然酸化膜の形成要因
  3. 気体中で形成された自然酸化膜の構造
  4. 液体中で形成される自然酸化膜
    4.1 ふっ酸処理で得られる表面構造
    4.2 前処理過程で形成される自然酸化膜
第3節 表面汚染の測定(光散乱法)<森 勇蔵/安 弘>
  1. 測定原理
  2. 測定システム
    2.1 測定装置
    2.2 受光可能散乱光強度
    2.3 光学系における迷光強度
  3. 測定方法
    3.1 粒径検出原理
    3.2 検出電圧値の計算結果
  4. 測定限界
    4.1 ショット雑音
    4.2 S/Nによる測定限界の解析
    4.3 ショット雑音の要因とS/Nの関係
  5. シリコンウエハ表面付着微粒子の測定
    5.1 検出電圧測定値の再現性
    5.2 レーザスポットの2次元走査による測定結果
    5.3 測定精度とばらつき
    5.4 測定限界近傍での計測結果
第4節 表面不純物の測定<藤野 允克/角田 成夫>
  1. 表面不純物測定の重要性
  2. 不純物測定技術
    2.1 気相分解/原子吸光分析(VPD/AAS)
    2.2 2次イオン質量分析SIMS
    2.3 全反射蛍光X線分析(TRXRF)
    2.4 ライフタイム測定
  3. 今後の課題
第5節 シンクロトロン放射による蛍光X線微量分析<飯田 厚夫>
  1. 蛍光X線分析法とシンクロトロン放射
  2. 微量分析
  3. マイクロビーム分析
  4. 表面分析
    4.1 表面高感度分析
    4.2 不純物の深さ分析
    4.3 状態分析
  5. SR蛍光X線分析法の今後

第3章 サブミクロパターンの測定と標準化<谷村 吉久>
  1. 測定と標準化の必要性
  2. 標準化の背景と動向
  3. μパターン測定の現状調査
  4. ウエハ上のμパターンの測定
    4.1 測定器の開発
    4.2 二次電子像のモデル
  5. 線幅の定義
    5.1 光電式測長器を用いる場合
    5.2 電子ビーム測長器を用いる場合
  6. 標準試料作製への展望
    6.1 電子ビームで直接描画するパターン
    6.2 光波干渉による縞投影のパターン

第4章 界面の形状・構造

第1節 XAFSによる界面構造の解析<大柳 宏之>
  1. 界面構造とXAFS
  2. 金属−半導体界面への応用
  3. 超格子への応用
    3.1 GaAs/InAs超格子
    3.2 Ge/Si超格子
  4. 将来の展望
第2節 SRによる界面構造の解析<松井 純爾>
  1. 微小角X線回折法の実験
  2. 実験結果
    2.1 a-Si/Si(111)−7×7の場合
    2.2 a-Si/Ge0.2 Si0.8(111)−5×5の場合
    2.3 Si/B−√3×√3/Si(111)の場合
    2.4 Al/GaAs(001)−4×6の場合
    2.5 AlN/GaAs(001)の場合
  3. GID法の発展
第3節 電子材料の電顕による格子分析<飯島 澄男>
  1. 電子顕微鏡観察法の特徴
  2. 結晶格子像観察の基礎
    2.1 磁界レンズと分解能
    2.2 一般的電子顕微鏡像
    2.3 位相物体
    2.4 位相物体の結像
    2.5 周期構造のない物体
    2.6 比較的厚い試料
  3. 高分解TEM法による観察
    3.1 結晶欠陥
    3.2 結晶界面
第4節 イオンビームによる界面の評価<成沢 忠>
  1. HEIS
  2. MEIS
  3. LEIS
第5節 ルミネッセンス法によるヘテロ界面の評価<福永 敏明/中島 尚男>
  1. ルミネッセンス・スペクトルによる評価
    1.1 スペクトル線幅とヘテロ界面の急峻性
    1.2 成長中断を用いた評価
    1.3 時間分解カソードルミネッセンスによる評価
  2. ルミネッセンス像による評価
    2.1 ルミネッセンス像を得るための原理
    2.2 ルミネッセンスの波長分解像による評価
    2.3 ルミネッセンス強度像による評価
第6節 粒界および接合面の微細構造<石田 洋一>
  1. 結晶粒界
    1.1 結晶粒界の種類
    1.2 粒界構造のパラメーター
    1.3 規則粒界の方位関係
    1.4 粒界転位のバーガースペクトル
  2. 異相接合境界
    2.1 異相接合境界の種類
    2.2 異相接合境界の構造パラメーター
    2.3 異相接合境界の構造解析法

第3篇 表面界面の測定・評価のためのビーム技術

第1章 光技術の進歩

第1節 ラマン散乱分光<中島 信一>
  1. ラマン散乱測定の原理
  2. 薄膜、界面測定法
  3. 薄膜、表面、界面の評価
    3.1 歪
    3.2 エピタキシャル膜
    3.3 絶縁体上のシリコン薄膜(SOI)
    3.4 超格子
    3.5 表面層
第2節 魔鏡トポグラフ<釘宮 公一>
  1. 魔鏡トポグラフ概論
    1.1 魔鏡の原理
    1.2 魔鏡トポグラフの感度
    1.3 魔鏡トポグラフ装置
    1.4 他の評価法との対比
  2. Siウエハの表面評価および解析
    2.1 代表的な魔鏡トポ像
    2.2 表面下の結晶欠陥との対応
    2.3 半導体プロセスへの応用
  3. 各種の鏡面への応用例
    3.1 化合物半導体への応用
    3.2 ハードディスク、光磁気ディスクへの応用
    3.3 液晶ディスプレイガラスへの応用
第3節 光干渉法<河野 嗣男>
  1. 光干渉と表面計算
  2. 光干渉法の原理
  3. 干渉計
    3.1 平行薄膜の干渉
    3.2 平行でない薄膜の干渉
    3.3 多重干渉
    3.4 マイケルソン干渉計
    3.5 シァリング干渉計
    3.6 偏光干渉計
  4. 高精度干渉法とその応用
    4.1 ヘテロダイン干渉法
    4.2 フリンジスキャン法
  5. ホログラフィ干渉とその応用
    5.1 形状測定
    5.2 変形測定
  6. 光干渉表面計測の展望
第4節 VUV〜X線域のレーザー<宮A 健創>
  1. レーザーの利得と励起強度
    1.1 励起強度
    1.2 自然放出光の増幅
  2. 放電励起VUVレーザー
    2.1 水素レーザー
    2.2 F2レーザー
  3. 極短波長レーザーの反転分布生成過程と励起
  4. VUV〜X線レーザー
    4.1 光励起:内殻電子の励起
    4.2 再結合、および電子衝突励起
    4.3 反転分布のないレーザー
  5. コヒーレントVUV/XUV光源
    5.1 波長可変VUV/XUV光源
    5.2 高次非線形過程によるXUV光発生
  6. 今後の展望

第2章 X線

X線の応用<松井 純爾>
  1. X線ロッキングカーブ法による結晶性評価
  2. X線トポグラフィ
  3. 微小角入射X線回折法
  4. 広角入射X線回折法
  5. 定在波法
  6. 表面EXAFS法
  7. 蛍光X線分析法
第2節 X線光学素子<青木 貞雄>
  1. X線領域の複素屈折率
  2. 反射率
  3. 多層膜反射
  4. 回折
  5. X線光学素子の種類と利用法
    5.1 斜入射ミラー
    5.2 多層膜ミラー
    5.3 ゾーンプレート
第3節 X線干渉法を基礎にした長さの精密測定<中山 貫>
  1. ナノメートル計測
  2. アトミックスケール
  3. X線干渉計の原理
  4. 干渉計の諸条件
  5. 平行ばね内蔵型LLL干渉計
  6. 応用例

第3章 電子線

第1節 TEM<高柳 邦夫>
  1. 表面・界面構造の電子顕微鏡観察
  2. 顕微鏡法
    2.1 顕微鏡像の分解能
    2.2 明視野・暗視野像と高分解能像
    2.3 表面・界面の透過顕微鏡像
    2.4 反射顕微鏡法(REM-RHEED)
  3. 表面構造の観察例
    3.1 Si(111)7×7,(100)2×1表面の構造
    3.2 Ge(100)2×1表面
    3.3 Au(100)金属表面
  4. 表面と吸着構造
    4.1 Si(100)表面
    4.2 Si(100)へのGeの成長
    4.3 Si(111)表面の金属吸着
第2節 SEM<小松 文朗>
  1. 量産ライン用EB寸法測定装置
  2. システム構成
  3. 全自動測長用データファイル
  4. オートアライメント
  5. 測長パターン自動検出の手順
  6. パターンマッチングの結果
  7. 電子光学鏡筒の自動設定
第3節 REMおよびμ-RHEED<市川 昌和>
  1. 電子顕微鏡による表面観察、評価技術
    1.1 反射電子顕微鏡(REM)法
    1.2 マイクロプローブ反射電子回折(μ-RHEED)
  2. 応用例
    2.1 原子ステップ観察
    2.2 表面再配列構造観察
    2.3 MBE成長過程のその場観察
  3. 今後の展望
第4節 STMの最新の進歩<西川 治>
  1. STMの構造と作動原理
  2. Si表面の再配列構造
  3. ナノメータテクノロジーへの応用と問題点
  4. 期待と展望


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執筆者一覧(敬称略、肩書等は発刊時のものです)
 
編集委員
桜井 好正千葉工業大学 精密機械工学科 教授/元 工業技術院 計量研究所長
千川 純一高エネルギー物理学研究所放射光実験施設 教授
松永 正久東京大学 名誉教授/千葉工業大学 研究所 教授(嘱託)
日本学術振興会・結晶加工と評価技術第145委員会 編
 
執筆者(執筆順)
松永 正久東京大学 名誉教授/千葉工業大学 研究所 教授(嘱託)
宮下 政和足利工業大学 工学部機械工学科 教授
大森 整理化学研究所 素形材工学研究室 研究員
中川 威雄東京大学 生産技術研究所 教授
河西 敏雄埼玉大学 工学部機械工学科 教授
河田 耕一松下技研(株)常務取締役
佐藤 健夫松下技研(株)研究開発グループ 主任技師
正木 健松下技研(株)研究開発グループ 技師
宮本 岩男東京理科大学 基礎工学部電子応用工学科 助教授
浅川 潔日本電気(株)光エレクトロニクス研究所 光基礎研究部長
山本 碩徳キヤノン(株)生産技術研究所超精密研究部 部長
中村 宣夫キヤノン(株)生産技術研究所超精密第2研究室 室長
木下 正治(株)東芝 生産技術研究所 技術企画担当研究主幹
古川 和由(株)東芝 半導体事業本部半導体技術部 主務
江刺 正喜東北大学 工学部機械電子工学科 教授
西永 頌東京大学 工学部電子工学科 教授
榊 裕之東京大学 先端科学技術研究センター/生産技術研究所 教授
尾関 雅志(株)富士通研究所 半導体結晶研究部 研究部長
津屋 英樹日本電気(株)超LSI開発本部 本部長
原田 仁平名古屋大学 工学部応用物理学科 教授
山本 良一東京大学 先端科学技術研究センター 教授
前 一樹東京大学 先端科学技術研究センター
宮田 威男松下技研(株)研究開発グループ 主幹研究員
山田 由佳松下技研(株)研究開発グループ
山岡 秀嘉シャープ(株)技術本部精密技術研究所 副所長
片山 博之シャープ(株)技術本部精密技術研究所 第2研究部 係長
奈良 治郎白鴎大学 経営学部経営学科 教授/白鴎情報処理教育研究センター 所長
味岡 康成(株)小坂研究所 特別顧問
諸隈 肇オリンパス光学工業(株)諸隈研究室 取締役室長
谷田貝 豊彦筑波大学 物理工学系 助教授
青木 貞雄筑波大学 物理工学系 助教授
外村 彰(株)日立製作所 基礎研究所 主管研究長
梅野 正隆大阪大学 工学部精密工学科 教授
服部 健雄武蔵工業大学 工学部電気電子工学科 教授
森 勇蔵大阪大学 工学部精密工学科 教授
安 弘大阪電気通信大学 工学部電子機械工学科 助教授
藤野 允克九州電子金属(株)半導体研究センター 取締役センター長
角田 成夫九州電子金属(株)半導体研究センター 物性グループ長
飯田 厚夫高エネルギー物理学研究所 放射光実験施設 助教授
谷村 吉久工業技術院 計量研究所力学部 部長
大柳 宏之工業技術院 電子技術総合研究所 電子基礎部基礎物性研究室 主任研究官
松井 純爾日本電気(株)研究開発グループ 主席研究員
飯島 澄男日本電気(株)技術開発グループ 主席研究員
成沢 忠松下電器産業(株)半導体研究センター 主任研究員
福永 敏明沖電気工業(株)半導体技術研究所光デバイス研究部 研究主任
中島 尚男大阪大学 産業科学研究所 教授
石田 洋一東京大学 生産技術研究所 教授
中島 信一大阪大学 工学部応用物理学科 教授
釘宮 公一松下電器産業(株)中央研究所 参事
河野 嗣男東京都立科学技術大学 工学部機械システム工学科 教授
宮崎 健創工業技術院 電子技術総合研究所 光技術部レーザー研究室 室長
中山 貫工業技術院 計量研究所 量子部精密計測研究室 室長
高柳 邦夫東京工業大学大学院 総合理工学研究科 材料科学専攻 教授
小松 文朗(株)東芝 半導体プロセス技術第2部 主査
市川 昌和(株)日立製作所 中央研究所第4部 主任研究員
西川 治東京工業大学大学院 総合理工学研究科材料科学専攻 教授


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