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オンデマンド出版(POD)
ULSIリソグラフィ技術の革新

コードNO0193P
発刊日1994年11月11日
編集委員
滝川 忠宏 (株)東芝 ULSI研究所第4研究所 所長
相崎 尚昭 日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部 技術課長
岡崎 信次 (株)日立製作所 中央研究所ULSI研究センタ主任研究員
森本 博明 三菱電機(株)北伊丹製作所 プロセス技術部ULSIマスク技術課 課長
価 格 POD(オンデマンド)価格 本体35,000円+税
体 裁A4判並製横2段組 460頁
試 読不可
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キャンセル・返品不可 わが国半導体産業の復権を賭け、最重要のリソグラフィ技術の変革を志向し、'90年代後半の開発思想を詳説した基幹技術資料集!

主要構成

第1章 光リソグラフィ技術の革新
第2章 マスク技術の新しい展開
第3章 電子ビームリソグラフィ技術の最近の進展
第4章 X線リソグラフィ技術の現状と展望
第5章 アライメント技術
第6章 レジスト技術
第7章 計測・評価技術
第8章 シミュレーション技術
第9章 0.1μm以下のリソグラフィ技術の展望
第10章 生産技術革新への課題

【発刊にあたって】

 1985年以降現在まで大きく発展したリソグラフィ技術としてはエキシマステッパ、化学増幅レジストとそのプロセス技術、平坦化技術(CMP)、位相シフトマスク、輪帯照明などの解像度増強技術、電子ビーム部分一括転写技術(セルプロジェクション)、放射光リソグラフィ全般、X線縮小リソグラフィ等があり、今後もこのような技術が進展すると考えられる。 さらに電子ビーム縮小転写、マルチ電子ビーム描画等の開発についても、今後の進展が大いに期待されるものである。
 現在のリソグラフィをめぐる状況を見てみると、シリコンサイクルのピークにあたるはずの1992年度の生産金額は、1991年度を下回る3兆7千億円にとどまっており、今後は、従来のように大きな伸び率は期待できないと言われている。 さらに1GDRAMを今の延長線上で生産しようとすると、設備コストが大きく、事業が成立しないと予測されていることから、コスト削減が叫ばれ、技術開発の指導原理が従来の性能第一主義から変わってくることは間違いない。
 米国を見ると、MMST(Microelectronics Manufacturing Science and Technology)プログラムに見られるような生産技術科学的なものの発展には驚くべきものがあるが、このように生産技術本を科学することでコスト削減が可能になると考えられる。
 これらのことから、1990年代中盤以降は、生産技術的なものから最先端のものまで、システマティックに研究開発が進められていくと思われる。
 本書は1985年以降の技術進展をしっかりと把握した上で、現在のリソグラフィの置かれている局面を考慮し、技術の原理原則に立ち帰り、将来を見通し、専門書として永く活用されることを主眼として編集したつもりである。
 今後の技術革新に貢献できれば幸いである。
編集委員会

内容目次

巻頭言

序章 ULSIリソグラフィ技術:この10年間の発展と当面する諸問題
<滝川 忠宏>
  1. 半導体産業のこの10年間の動向
  2. ULSIリソグラフィのこの10年の発展
    2.1 光リソグラフィ
    2.2 レジスト/レジストプロセス
    2.3 電子ビームリソグラフィ
    2.4 X線リソグラフィ
    2.5 イオンビーム技術
  3. 当面する諸課題と将来の展望

第1章 光リソグラフィ技術の革新

概要<岡崎 信次>

(1) 露光システム<小杉 雅夫>
  1. 光リソグラフィの経緯と将来予測
    1.1 光学結像理論
    1.2 g線とi線の時代
  2. Deep UVの時代
    2.1 KrFエキシマステッパー
    2.2 短波長化と狭帯化
    2.3 ArFエキシマステッパー
    2.4 ミラー投影光学系
  3. 経済的見地からのシステム論
    3.1 化学増幅系レジストとの関係
    3.2 アライメントについて
    3.3 スキャン露光
(2) 位相シフト技術<寺澤 恒男>
  1. 位相シフト露光法の原理
    1.1 点光源の像
    1.2 位相シフトマスク
  2. 種々のマスク構造とその応用
    2.1 空間周波数変調型
    2.2 エッジ強調型
    2.3 多段位相透過率制御型
  3. 実用化のための課題
    3.1 シフタのレイアウト設計の自動化
    3.2 位相シフトマスクの欠陥検査修正
  4. 将来展望
(3) 超解像技術<松本 宏一>
  1. 基礎論
    1.1 結像理論
    1.2 超解像技術概観
  2. 変形照明法
    2.1 原理
    2.2 四開口照明法と輪帯照明法
  3. 瞳フィルタ法
    3.1 原理
    3.2 瞳フィルタ法の実験例
  4. その他の超解像技術
  5. 今後の展望
(4) 高解像プロセス技術<若宮 亙/辻田 好一郎>
  1. 定在波効果の低減
    1.1 PEBプロセス
    1.2 top ARC技術
  2. コントラスト増強プロセス
    2.1 CEL
    2.2 表面難溶層の形成
  3. 多層レジストプロセス
(5) エキシマレーザ用レジストプロセスと反射防止技術<阿部 直道/河村 栄一/及川 朗>
  1. 化学増幅レジストに特有な問題点
    1.1 PEB温度の制御
    1.2 ポジ型レジストの表面難溶化層
    1.3 基板依存性
  2. 基板からの反射の影響
    2.1 スピンコーティング反射防止
    2.2 コンフォーマル成膜反射防止
    2.3 反射防止膜の最適化
(6) 平坦化技術<隣 真一>
  1. 各種平坦化技術
  2. CMPの現状
    2.1 CMP装置
    2.2 CMP条件
    2.3 CMPのメカニズム
    2.4 CMPを用いた応用例
    2.5 平坦化のコスト
  3. CMPの問題点・今後

第2章 マスク技術の新しい展開

(1) マスク技術の現状と課題<林 直也>
  1. マスクへの要求仕様と現状
    1.1 マスク仕様の推移
    1.2 現状の品質
  2. マスク技術の課題と制約
    2.1 材料
    2.2 パターン描画
    2.3 プロセス
    2.4 検査・修正
    2.5 位相シフトマスク
  3. 今後の展望
(2) マスク描画プロセス技術<大瀧 雅央>
  1. フォトマスク工程の概要
    1.1 半導体プロセスとフォトマスク
    1.2 フォトマスク製造工程
  2. 半導体リソグラフィーからの要求
    2.1 マスク形態の変遷
    2.2 半導体リソグラフィーからマスクへの課題
    2.3 要求品質
  3. マスクプロセス技術
    3.1 フォトマスク材料
    3.2 描画装置
    3.3 マスク製造プロセス
    3.4 洗浄技術
    3.5 パターンデータのボリューム
  4. 品質保証
    4.1 工程管理
    4.2 検査、測定装置
  5. 今後の課題
    5.1 フォトマスク環境の動向
    5.2 今後の技術課題
    5.3 設備及び材料の課題
(3) 位相シフトマスクの製造プロセス<大久保 靖>
  1. 位相シフトマスク製造プロセス
    1.1 位相シフトマスクの構造
    1.2 位相シフトマスク製造フロー
  2. 位相シフトマスクの実用化の展望
    2.1 位相シフトマスクタイプ・構造比較
    2.2 位相シフトマスクの展開
(4) マスク欠陥検査技術<東條 徹>
  1. マスク製作工程と欠陥の種類
    1.1 マスクの製作工程と検査工程
    1.2 欠陥の種類
  2. デバイス開発動向と許容欠陥寸法
  3. 欠陥検査方法(die-to-dieとdatabase比較方式)と欠陥検出性能
  4. 欠陥信号取得方法
  5. 位相シフトマスク検査
    5.1 位相角の測定
    5.2 位相シフトマスクの欠陥検査
  6. 欠陥検査の将来動向および課題
(5) マスク修正技術<駒野 治樹>
  1. フォトマスク修正
    1.1 FIBマスク修正装置
    1.2 レーザマスクリペア装置
  2. 位相シフトマスク修正

第3章 電子ビームリソグラフィ技術の最近の進展

概要<安田 洋>

(1) 直接描画装置の進展<島津 信生>
  1. 直接描画装置と直接描画方式
  2. 直接描画方式の得失
  3. 直接描画装置の技術課題
    3.1 生産性の向上
    3.2 信頼性の向上
  4. 可変成形ビーム電子光学系
  5. 対物偏向系
  6. 描画方式とレジストレーション
    6.1 連続移動描画方式
    6.2 レジストレーション
    6.3 偏向歪み補正
    6.4 マーク検出と高さ検出
  7. ビーム制御系
    7.1 制御計算機とネットワーク
    7.2 デジタル回路計
    7.3 アナログ回路計
  8. 機構系
(2) 直接描画プロセス技術<相崎 尚昭>
  1. レジストプロセス技術
    1.1 3層レジストプロセスの必要性と最適化
    1.2 単層レジストプロセス
    1.3 チャージアップ防止
  2. パターン描画精度向上技術
    2.1 重ね合わせ精度要因分析
    2.2 相関演算法の改良
    2.3 重ね合わせ精度評価結果
  3. 256MB DRAM試作への適用
(3) マスク用描画装置<竹村 等>
  1. マスク/レチクル作成用描画装置の種類
  2. 市販されているマスク/レチクル作成用描画装置の実例
  3. マスク/レチクル作成用電子ビーム描画装置の構成
    3.1 データハンドリング
    3.2 描画部のハードウェア構成
    3.3 電子ビームコラム部
    3.4 台形パターン描画
    3.5 高精度化のための対策例
  4. マスク/レチクル作成用描画装置の今後の課題と展望
    4.1 精度
    4.2 スループット
    4.3 データハンドリング
    4.4 位相シフトマスク
    4.5 台形パターンの高精度化
    4.6 近接効果補正
    4.7 X線マスク
    4.8 装置価格
(4) 一括露光装置<斉藤 徳郎>
  1. 一括露光の原理
  2. 一括露光システムの例
    2.1 一括露光システムの例
    2.2 HL-800Dシステム
    2.3 一括露光法の課題
(5) マルチビーム露光<山田 章夫>
  1. はじめに―マルチビーム露光とは
  2. 単一カード、マルチアパーチャ方式―BAA露光装置
  3. マルチカソード、マルチレンズ方式―アレードマイクロコラム
  4. 本節のまとめと今後の課題
(6) データ変換<小山 清美>
  1. データ変換と課題
    1.1 CAD形式と描画形式
    1.2 データ変換器の主な処理
  2. データ変換の高速化技術
  3. 最近のデータ変換
    3.1 階層処理データ変換
    3.2 レベンソン位相シフタ移動配置
    2.3 光近接効果補正 
(7) 近接効果補正<藤野 毅>
  1. 電子ビームリソグラフィにおける近接効果
  2. レジスト中に蓄積されるエネルギー分布と近接効果
  3. 近接効果補正の厳密解法(exact solution)
  4. ゴースト法
  5. 逐次計算法
    5.1 逐次計算法の原理
    5.2 逐次計算法の高速化
  6. 簡略化された近接効果補正手段
    6.1 蓄積エネルギー計算手法
    6.2 近接効果補正計算式
    6.3 実証例
まとめ<安田 洋>


第4章 X線リソグラフィ技術の現状と展望
<主査:石原 直>

概要<石原 直>
  1. 技術開発の歴史
  2. 原理と基本的性能
  3. 等倍X線リソグラフィ技術の概要
  4. X線縮小投影露光法の概要
(1) 放射光X線露光システム<阿刀田 伸史>
  1. 放射光源
    1.1 シンクロトロン放射の特徴
    1.2 小型リング開発状況
    1.3 小型リングの技術的問題
  2. ビームライン
    2.1 構成要素と機能
    2.2 露光領域の拡大・一様化
  3. アライナ
    3.1 開発状況
    3.2 スループットの見積
(2) X線マスク<吉原 秀雄>
  1. マスク材料
    1.1 メンブレン材料
    1.2 吸収体材料
  2. X線マスクの製造工程
    2.1 ブランクス形成
    2.2 パタン形成
    2.3 精度、並びに欠陥
(3) X線露光プロセス技術<出口 公吉>
  1. これまでの経過
  2. レジストプロセス
  3. 露光特性
    3.1 解像性決定要因
    3.2 マスクリニアリティとプロセスマージン
  4. LSI製造プロセスへの適用
    4.1 適用例
    4.2 重ね合わせ精度
(4) X線縮小投影露光法<永田 浩>
  1. X線縮小投影露光法について
  2. X線縮小投影露光技術の現状
  3. 今後の課題と展望
    3.1 X線源
    3.2 照明光学系
    3.3 縮小投影光学系
    3.4 ミラーの加工と計測
    3.5 多層膜と反射マスク
    3.6 レジスト
    3.7 アライメント

第5章 アライメント技術

(1) 光リソグラフィーにおけるアライメント技術<馬込 伸貴>
  1. アライメントの概観
  2. TOLの考え方と要求精度
  3. アライメント方法の分類と特徴
    3.1 アライメント方式のシーケンス的分類
    3.2 アライメント方式の光学的分類
    3.3 アライメントセンサー
  4. 露光シーケンスとアライメント評価
  5. これからのアライメントに関する技術的問題点
    5.1 オフセットの真値問題
    5.2 プロセス(歪み・平坦化)
    5.3 レチクル
    5.4 コンセプトの異なる光リソ装置
  6. 更なる高精度化へ向けて
(2) X線リソグラフィにおけるアライメント技術<宇根 篤暢>
  1. 精度要因の分析
  2. ビームライン光学系の重ね合わせ精度への影響
  3. SORステッパーのアライメント技術
    3.1 アライメント検出系
    3.2 アライメント機構系
    3.3 アライメント性能
  4. 重ね合わせ精度
(3) 電子ビームリソグラフィにおけるアライメント技術<松岡 玄也>
  1. アライメント技術とは
  2. 精度要因
  3. アライメント時間
  4. アライメント技術の将来

第6章 レジスト技術

概要<上野 巧>
  1. 第一の転換点
  2. 第二の転換点
  3. 安全性
(1) フォトレジスト(DNQ−ノボラック)の進展<小久保 忠嘉>
  1. キノンジアジド−ノボラック型ポジレジストの特性とその特徴
    1.1 基本ケミストリー
    1.2 その特徴
  2. 微細化に向けてのポジレジスト材料技術の進歩
    2.1 歴史
    2.2 改良の技術的視点
  3. DNQ−ノボラック系レジストの今後
    3.1 今後も改良は可能なのか
    3.2 Deep UVへの応用可能性
(2) 化学増幅型レジスト<田中 啓順>
  1. 化学増幅型レジストの特徴
    1.1 従来レジストと化学増幅型レジストの比較
    1.2 パターン形成原理
  2. 化学増幅型レジスト材料
    2.1 ネガ型レジスト
    2.2 ポジ型レジスト
  3. 化学増幅型レジストの問題点
    3.1 パターン形成工程とタイムディレー効果
    3.2 Tトップ形状パターンの形成
    3.3 パターン形状に対する基板の影響
    3.4 膜内多重光反射による問題
    3.5 レジストパターンの耐熱性
(3) 表面イメージング<吉田 育弘>
  1. 表面イメージングプロセスとは
    1.1 表面イメージングプロセスの特長
    1.2 表面イメージングプロセスの種類
  2. シリル化プロセス
    2.1 シリル化プロセスの種類
    2.2 シリル化プロセス用の材料
    2.3 パターン形成に影響を与える要因
    2.4 問題点
  3. ArFエキシマレーザー対応プロセス
  4. オールドライプロセス
    4.1 現象のドライ化
    4.2 完全ドライ化プロセス
(4) フォトレジストの安全溶媒化<山根 末蔵/渡瀬 夏生>
  1. 高安全性溶媒化の背景
  2. フォトレジスト溶媒の安全性
  3. 各種非ECA溶媒の比較
  4. フォトレジスト溶媒に求められる特性
  5. 安全性溶媒を用いたフォトレジストの特性
  6. フォトレジスト溶媒の今後

第7章 計測・評価技術

概要<森本 博明>

(1) パターン形状検査と寸法測定技術<戸所 秀男>
  1. 半導体デバイスにおけるパターン形状検査と寸法測定
  2. 低加速によるパターン形状検査と寸法測定
  3. 高加速電圧によるパターン形状検査と寸法測定
  4. 0.2μmプロセスのパターン形状検査測定技術
(2) 重ね合わせ精度測定<山下 達哉>
  1. 重ね合わせ測定技術の概要
    1.1 重ね合わせ測定装置
    1.2 重ね合わせ測定のアルゴリズム
  2. 測定誤差
    2.1 再現性
    2.2 TIS
    2.3 WIS
  3. 半導体工場における重ね合わせ精度管理
(3) 欠陥検査<鈴木 淑希>
  1. レチクルの異物検査
    1.1 異物の種類と管理
    1.2 異物検査装置の種類と特徴
    1.3 透過/反射光同時検査による異物検査
  2. 転写パターンによるレチクル検証
    2.1 目的
    2.2 レチクル欠陥の転写特性
    2.3 転写パターンによるレチクル検証の方法
  3. リソグラフィー・プロセスの欠陥管理
    3.1 目的
    3.2 マクロ検査
    3.3 ミクロ検査
(4) 新しいパターン評価技術(STM/AFM等)<杉原 和佳>
  1. 動作原理
    1.1 STMの動作原理
    1.2 AFMの動作原理
  2. パターンの計測例
    2.1 Si表面へのAI蒸着初期過程の観察
    2.2 Siのpn接合の観察
    2.3 現象プロセス中のレジストパターンの計測
  3. SPMをパターン計測装置として使う際の技術課題とその現状
    3.1 探針の影響
    3.2 圧電素子の影響

第8章 シミュレーション技術

概要<森本 博明>

(1) 光強度分布シミュレーション<加門 和也/藤永 正人>
  1. 光学像分布のモデル
    1.1 結像モデル
    1.2 レジスト内の強度分布
    1.3 問題点
    1.4 MULSSのモデル
  2. 計算例
    2.1 反射防止膜
    2.2 フォーカス依存性
    2.3 ハレーション
    2.4 位相シフト法による改善効果
    2.5 変形照明法の収差特性
    2.6 瞳フィルター法による焦点深度拡大
(2) 電子ビーム描画シミュレーション<戸所 義博>
  1. 単一散乱モデルによるモンテカルロシミュレーション
    1.1 電子の散乱の角度分布
    1.2 平均自由工程
    1.3 エネルギー損失
  2. ハイブリッドモデルによるモンテカルロシミュレーション
    2.1 エネルギー損失
    2.2 弾性散乱、非弾性散乱における角度分析とステップの長さ
    2.3 弾性散乱と非弾性散乱の選択
  3. 吸収エネルギー分布とEID関数
    3.1 吸収エネルギー分布
    3.2 EID関数
  4. レジストの現像モデル
    4.1 電子ビーム照射にともなうレジストの溶解速度
    4.2 ポジ型レジストの溶解速度
    4.3 レジスト形状の計算方法
  5. 電子ビームリソグラフィへの応用
    5.1 入射電子の軌跡
    5.2 レジスト断面形状の計算例
    5.3 加速電圧と多層レジストの効果
    5.4 リフトオフ工程への応用
(3) X線露光シミュレーション<小川 太郎>
  1. X線露光シミュレーションの概念
  2. シミュレーション・モデル
    2.1 X線の露光強度分布
    2.2 X線の吸収
    2.3 シミュレーション方法
  3. シミュレーション結果
    3.1 2次電子による解像限界の検討
    3.2 ウェーブガイド効果による露光強度分布の変動
(4) 化学増幅レジストの反応モデルと現像シミュレーション<中村 二朗>
  1. 潜像形成
    1.1 化学増幅レジストと従来レジストの潜像形成との比較
    1.2 酸の失活
  2. 現像
  3. 酸の拡散
    3.1 酸の拡散と解像性
    3.2 酸の拡散と感度
    3.3 高性能化

第9章 0.1μm以下のリソグラフィ技術の展望

(1) 超微細EB描画技術<松坂 尚>
  1. 超微細EB描画技術の位置づけ
  2. 超微細EB描画技術の現状
    2.1 超微細EB描画技術におけるスループット
    2.2 超微細EB描画における合わせ技術
    2.3 超微細EB描画技術における近接効果補正
  3. 今後の課題
(2) ナノテクノロジー<松井 真二>
  1. ナノテクノロジーの概要
  2. ナノリソグラフィの概要
    2.1 電子ビームナノリソグラフィ
    2.2 集束イオンビームナノリソグラフィ
  3. ナノプロセス
    3.1 ナノドライエッチング
    3.2 ナノエピタキシー
    3.3 ナノパターン評価
  4. ナノストラクチュアー加工技術の最近の展開
    4.1 ナノナチュラルリソグラフィ
    4.2 単層レジストを用いた自己形成リソグラフィ
    4.3 原子層リソグラフィ
(3) アトムテクノロジー<松井 真二>
  1. 走査トンネル顕微鏡による原子・分子操作
    1.1 原子間力による加工
    1.2 電界蒸発による加工
    1.3 化学反応による加工
  2. 原子レベル構造形成技術の最近の展望
    2.1 電子線ホログラフィによる原子レベル加工
    2.2 FIMによる単原子空間放射
    2.3 レーザートラッピングによる原子・分子空間位置制御

第10章 生産技術革新への課題

(1) LSIの製造コスト削減とリソグラフィ技術の課題<森本 博明>
  1. LSIの製造コストにおける課題
  2. リソグラフィー技術の課題
(2) 工程数削減と装置・材料の低コスト化<相崎 尚昭>
  1. 工程数の削減
    1.1 新規技術導入
    1.2 複合化と簡略化
  2. 装置・部品・材料の低コスト化
    2.1 装置・プロセスの標準化と類別化
    2.2 部品・材料の規格化、共通化
    2.3 装置稼働率の向上
  3. 歩留まり向上
  4. 製造期間の短縮(短TAT化)
(3) 将来の開発・生産ラインの形態<岡崎 信次>
  1. 今までの開発・生産ライン
  2. 将来の開発・生産ラインの形態
(4) 今後のリソグラフィ技術革新への提言<滝川 忠宏>
  1. 半導体の需要に関する問題
  2. ディジタル通信とマルチメディア―21世紀初頭の社会変革(情報化社会)
  3. コストの問題
  4. 光リソグラフィの技術革新
  5. 光以降のリソグラフィ技術開発
  6. リソグラフィ開発の新展開


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■執筆者(執筆順/敬称略、役職等は発刊時のものです)
 
滝川 忠宏(株)東芝 ULSI研究所第4研究所 所長
岡崎 信次(株)日立製作所 中央研究所ULSI研究センタ 主任研究員
小杉 雅夫キヤノン(株)研究開発本部ナノテク研究所ナノテク第2経理部 部長
寺澤 恒男(株)日立製作所 中央研究所ULSI研究センタ 主任研究員
松本 宏一(株)ニコン 光学本部第2光学部第3光学課 課長
若宮 亙三菱電機(株)ULSI開発研究所 LSIプロセス開発第1部第1グループ グループマネージャー
辻田 好一郎三菱電機(株)ULSI開発研究所 LSIプロセス開発第1部第1グループ アシスタントマネージャー
阿部 直道富士通(株)電子デバイス事業推進本部プロセス開発部 第5開発部長
河村 栄一富士通(株)電子デバイス事業推進本部プロセス開発部 第1開発部
及川 朗富士通(株)電子デバイス事業推進本部プロセス開発部 第5開発部
隣 真一日本電気(株)マイクロコンピュータ事業部共通デバイス技術部 技術課長
林 直也大日本印刷(株)ミクロ製品事業部 ミクロ製品研究所第1グループ グループリーダー
大瀧 雅央凸版印刷(株)エレクトロニクス事業本部 朝霞工場 工場長付課長
大久保 靖HOYA(株)エレクトロオプティクスディビジョン八王子工場
東條 徹(株)東芝 ULSI研究所第4研究所 研究主幹
駒野 治樹(株)東芝 ULSI研究所第4研究所 主任研究員
安田 洋富士通(株)電子デバイス事業推進本部プロセス開発部 第6開発部長
島津 信生日本電信電話(株)NTT LSI研究所加工技術研究部 EB露光システム研究グループ グループリーダー
相崎 尚昭日本電気(株)ULSIデバイス開発研究所 微細加工技術開発部 技術課長
竹村 等日本電子(株)半導体機器事業部第1研究開発部 開発グループ長
斉藤 徳郎(株)日立製作所 中央研究所先端技術開発部 主管研究員
山田 章夫富士通(株)プロセス開発部 第6開発部
小山 清美(株)東芝 ULSI研究所第4研究所 主任研究員
藤野 毅三菱電機(株)ULSI開発研究所LSIプロセス開発第4部
石原 直日本電信電話(株)NTT LSI研究所 加工技術研究部 研究部長
阿刀田 伸史(株)ソルテック 筑波研究所 所長
吉原 秀雄NTTアドバンステクノロジ(株)超精密技術部 部長
出口 公吉日本電信電話(株)NTT LSI研究所 第2プロジェクトチーム 主幹研究員
永田 浩(株)ニコン 中央研究所X線グループ グループリーダー
馬込 伸貴(株)ニコン 精機第1設計部第3開発設計課 課長
宇根 篤暢NTTアドバンステクノロジ(株)超精密技術部 担当部長
松岡 玄也(株)日立製作所 電子デバイス製造システム推進本部 主任技師
上野 巧(株)日立製作所 中央研究所先端デバイス部 主任研究員
小久保 忠嘉富士写真フイルム(株)吉田南工場研究部 研究部長代理
田中 啓順日本電信電話(株)NTT LSI研究所 第2プロジェクトチーム 主幹研究員
吉田 育弘三菱電機(株)材料デバイス研究所 高分子材料技術部第1グループ
山根 末蔵ヘキストジャパン(株)電子材料技術部 課長
渡瀬 夏生ヘキストジャパン(株)化成品部門電子材料本部電子材料営業部 アシスタントマネージャー
森本 博明三菱電機(株)北伊丹製作所 プロセス技術部ULSIマスク技術課 課長
戸所 秀男(株)日立製作所 計測器事業部ビームテクノロジーセンタ 主任技師
山下 達哉日本ケー・エル・エー(株)メトロロジービジネス部アプリケーション技術課 課長
鈴木 淑希日本ケー・エル・エー(株)ウエハ検査ビジネス部 部長
杉原 和佳(株)東芝 ULSI研究所第4研究所 主任研究員
加門 和也三菱電機(株) ULSI開発研究所 LSIプロセス開発第4部第3グループ
藤永 正人三菱電機(株)ULSI開発研究所 LSIプロセス開発第4部第3グループ 主事
戸所 義博松下電子工業(株)京都研究所プロセス技術部 主幹技師
小川 太郎(株)日立製作所 中央研究所先端技術開発部 研究員
中村 二朗日本電信電話(株)NTT LSI研究所 第2プロジェクトチーム研究主任
松坂 尚(株)日立製作所 デバイス開発センタプロセス開発部 主任技師
松井 真二日本電気(株)基礎研究所新機能素子研究部 研究課長


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