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オンデマンド出版(POD)
CMPのサイエンス

コードNO0220P
発刊日1997年8月
編集委員長
柏木 正弘 アプライド マテリアルズ ジャパン(株)技師長
編集委員
松永 正久 東京大学 名誉教授
安永 暢男 東海大学工学部精密機械工学科 教授
有本 由弘 (株)富士通研究所 基盤技術研究所 主管研究員
木下 正治 (株)東芝 生産技術研究所 技監
本間 喜夫 (株)日立製作所 中央研究所ULSI研究部 主任研究員
阿部 孝夫 信越半導体(株)半導体磯部研究所 研究主幹
価 格POD(オンデマンド)価格 本体30,800円+税
体 裁A4判並製横2段組 376頁
試 読不可
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キャンセル・返品不可 経験から科学へ!
化学・機械研磨技術の知見をベースに「半導体プロセス」を可能な限り「サイエンス」として捉え直す
ギガビット時代に向けたデバイス微細化の鍵を握る

主要構成

第1章 半導体プロセスとCMP
第2章 CMPのメカニズム
第3章 CMPの力学的要因
第4章 研磨布の役割と機能
第5章 超微粒子研磨剤の特徴と製造法
第6章 CMP後の表面状態の測定とその清浄化
第7章 SiのCMP
第8章 絶縁膜のCMP
第9章 W膜のCMP
第10章 Al、Cu膜のCMP
第11章 CMPの将来展望

【発刊にあたって】

 CMPが新たな半導体プロセス技術として登場し、様々な論議と精力的な開発が進められている。 半導体プロセス技術は、酸化、拡散などで代表される「化学的プロセス」から始まり、イオン注入、プラズマ技術など「物理的プロセス」が加わり、このCMPすなわち「機械的プロセス」がさらに加わることになり、半導体プロセス技術の進歩の歴史に新たな局面が生まれつつあるとみなすことができる。
 CMPは、デバイス微細化の進展とともに厳しさを増すデバイス表面形状、いわゆるアスペクト比の問題やリソグラフィの焦点深度余裕の問題を一挙に解決するものとして大きく期待されている。 また、シャロートレンチアイソレーションやダマシンプロセスなど、在来のプロセス技術では実現不可能であったデバイス構造を可能とする技術でもあり、これからさらに様々な応用も考えられ、ギガビット時代に向けたデバイスの微細化の鍵を握る技術となると見込まれている。
 過去、半導体プロセス技術に取り込まれてきた技術の多くが、まずは現象そのものの利用に始まり、その後に学問的あるいは材料科学的な裏付けが行われ、技術としての確立を見、そしてその高度化が図られるというパターンを辿ってきた。 CMPもその例に漏れず、ウエーハ加工の技術として長年利用されてきた経緯を持つにも拘わらず、半導体プロセス技術としての利用は始まったばかりで、CMPプロセスの素過程、スラリー、研磨布の役割など、CMPプロセスに係わる多くの要素が極めて経験的なノウハウの段階に留まっているのが現状である。
 本書はこのようなCMPの現状と技術の重要性から、ウエーハ加工で長年培われてきた化学・機械研磨技術の知見をベースに、半導体プロセス技術としての応用の観点から、CMPプロセスを可能な限り「サイエンス」として捉え直してみようとするものである。 これにより、CMPプロセスを「技術」として確立し、その高度化と半導体プロセス技術として「機械的プロセス」のさらなる可能性を追求するための礎を、この分野に係わる機械技術者と半導体プロセス技術者に提供することを目指している。
編集委員長 柏木 正弘

内容目次

発刊にあたって
用語解説

第1章 半導体プロセスとCMP

(1) 半導体プロセスにおける平坦化<柏木 正弘>
  1. CMP技術が半導体デバイス/プロセスにもたらす新しい技術的可能性
    1.1 幾何学的に平坦なデバイス表面の実現
    1.2 材料の埋め込み構造の実現
  2. 平坦化技術の課題
(2) CMP技術の歴史的経緯<前田 和夫>
  1. VLSIへのCMP技術の応用
  2. Isolation構造へのCMPの応用
  3. CMPに関するIBMの特許
  4. CMPに関する国内企業からの特許
  5. CMP技術開発の動機(etch-back法)
  6. 平坦化技術の原点
  7. 機械的研磨によるデバイス表面の平坦化

第2章 CMPのメカニズム

(1) ウェットプロセスにおける界面現象<村川 享男>
  1. 加工界面のイメージ
    1.1 金属表面のイメージ
    1.2 セラミックス表面
    1.3 半導体表面
    1.4 ガラスの表面
  2. 加工界面で起こる化学反応
    2.1 砥粒と被加工体それぞれの表面反応
    2.2 砥粒と被加工体の両者の接触の結果として
    2.3 削り取られた被加工体表面で起こる新生面反応
  3. 表面層の生成と構造
    3.1 吸着層
    3.2 表面付着
    3.3 自然酸化皮膜
    3.4 コンバージョン・コーティング
(2) ポリシングのメカニズム<安永 暢男>
  1. ポリシングメカニズムに関する従来説の概要
    1.1 微小切削説
    1.2 表面流動説
    1.3 化学作用説
  2. 超精密ポリシング法とそのメカニズム
    2.1 「メカニカル」ポリシング
    2.2 「メカニカル+ケミカル」ポリシング
    2.3 「ケミカル」ポリシング
  3. ポリシングにおける化学反応の特異性
(3) 硬質材料のメカノケミカルポリシングのメカニズム<安永 暢男>
  1. メカノケミカルポリシングの原理と特徴
  2. サファイヤのメカノケミカルポリシング
  3. 水晶のメカノケミカルポリシング
  4. シリコンのメカノケミカルポリシング
  5. Si3N4およびSiCのメカノケミカルポリシング

第3章 CMPの力学的要因

(1) 加工精度確保のための力学的考察<土肥 俊郎>
  1. プラナリゼーション・ポリシング/CMPにおける要素技術
  2. 加工精度に関わる考察
    2.1 加工装置の運動機構
    2.2 加工用工具としてのパッド(ポリシャ)
    2.3 ウェハ保持・加圧機構
    2.4 その他
(2) CMP装置の構成要素における弾性変形の影響<渡邉 純二>
  1. CMP装置の研磨性能に関連する構成要素
  2. 装置剛性の加工特性への影響
    2.1 シングルヘッド系におけるヘッドアームと変形
    2.2 研磨プレートの支持剛性の影響
  3. パッド構成の影響
    3.1 表面基準研磨におけるパッド構成の影響
    3.2 デバイスパターンの平坦化とパッド弾性率
    3.3 パッド摩耗にともなうハイドロダイナミック効果の影響
  4. ウェハ保持機構系の効果
    4.1 ダイヤフラムを介した圧縮空気の支持方式
    4.2 真空チャックによるウェハ保持
    4.3 リテーナによるウェハ周辺形状への影響
(3) CMPの装置構成要素とその機能<木下 正治>
  1. CMP装置の基本構成
  2. 加工精度の確保と装置要素
    2.1 研磨ヘッド機構
    2.2 回転定盤およびその駆動機構
    2.3 研磨布表面状態維持機構
    2.4 研磨終点検出機構
  3. 清浄雰囲気の確保
  4. 生産性の向上

第4章 研磨布の役割と機能

(1) 研磨布の静的・動的変形挙動<黒部 利次>
  1. 粘弾性測定装置と測定方法
    1.1 測定装置
    1.2 測定方法
  2. 測定結果
    2.1 負荷荷重の影響
  3. パッドの変形特性と研磨機構
(2) 研磨布の力学的特性とウェハ形状<左光 大和>
  1. 粘弾性特性測定装置
  2. ポリシング実験
  3. ポリシング実験結果
  4. 粘弾性特性の解析
  5. 平坦度と粘弾性特性
(3) 研磨パッドの構造と特徴<寺崎 忠士>
  1. CMP用研磨パッドの現状
    1.1 IC1000/Suba400
    1.2 Supreme RN−H
    1.3 MH
    1.4 研磨パッドの表面加工
  2. 現状研磨パッドの問題点
    2.1 バラツキ
    2.2 平坦化効率の不足
    2.3 高純度研磨パッド
  3. 新規研磨パッド
    3.1 IC1000タイプA
    3.2 IC1400
    3.3 IC2000
    3.4 XHGM1158/Buffed Foam
    3.5 フルオロカーボン系研磨パッド
    3.6 洗浄用淡色研磨パッド
  4. 研磨パッドの物性測定方法
    4.1 現状の研磨パッドの物性測定
    4.2 今後の物性測定検討項目

第5章 超微粒子研磨剤の特徴と製造法

(1) CMP用ポリシュ剤総論<松永 正久>
  1. CMP用ポリシュ剤の具備すべき条件
  2. ポリシングの研究とポリシュ剤
  3. シリカ系ポリシュ剤
  4. 酸化アルミニウム(アルミナ)
  5. 酸化セリウム(セリア)
    5.1  ガラスポリシュにおけるセリアポリシュ剤
    5.2  シリコン表面酸化物のCMP用ポリシュ剤
  6. 各種ゾルのポリシュ剤としての可能性
  7. ダイヤモンド研削および超微粒子ダイヤモンド
    7.1 ダイヤモンド研削
    7.2 ダイヤモンドによるポリシング
  8. その他のポリシュ剤
    8.1 酸化クロム
    8.2  酸化鉄
  9. CMPを念頭においた新開発のポリシュ剤
(2) シリカ系研磨剤

1.フュームドシリカの製法とその性質<落合 満/石田 昌司>
  1. 製造法
  2. 特性
    2.1 結晶構造と形態
    2.2 フュームドシリカの一般特性
    2.3 純 度
    2.4 表面化学
    2.5 水分の吸脱着
    2.6 表面電位と酸性
    2.7 各種化合物との反応
    2.8 溶解性
    2.9 屈折率
    2.10 熱伝導率
    2.11 その他の物理化学特性
    2.12 フュームドシリカ水分散液の特性
  3. 複合酸化物(Mixed Oxide)のメタルCMPスラリーへの応用の可能性
  4. フュームドシリカの安全性
(2) シリカ系研磨剤

2.コロイダルシリカの製造法とその性質<吉田 明利>
  1. コロイダルシリカの製法
  2. コロイダルシリカの特徴
(3) アルミナ系研磨材<鈴村 聡>
  1. アルミナ研磨材の分類と特徴
    1.1 仮焼アルミナ研磨材
    1.2 溶融アルミナ研磨材
    1.3 気相酸化法によるアルミナ
  2. アルミナ研磨材の製造方法
    2.1 微粒子仮焼アルミナ研磨材
    2.2 溶融アルミナ研磨材
    2.3 気相酸化法によるアルミナ
(4) 酸化セリウム系研磨材<塙 健三>
  1. ガラスの研磨に使われる酸化セリウム系研磨材
  2. 化学・機械研磨における化学反応
  3. 半導体製造におけるCMP用研磨材
(5) その他の研磨剤

1.二酸化マンガン系<岸井 貞浩>
  1. MnO2研磨剤の製法
  2. SiO2膜の研磨特性
  3. 研磨剤の廃棄(環境問題)について
(5) その他の研磨剤

2.酸化物ゾル<吉田 明利>
  1. 酸化物ゾルの製法
  2. 酸化物ゾルの一般物性
  3. 酸化物ゾルの研磨物性
(5) その他の研磨剤

3.超微粒ダイヤモンド<牧田 寛>
  1. 人造ダイヤモンドの歴史と現状
  2. 超微粒ダイヤモンド
    2.1 超微粒ダイヤモンドの性質
    2.2 フロキュレーションと凝集
    2.3 凝集原因不純物の同定
  3. 超微粒ダイヤモンドの精製
    3.1 低温酸処理法
    3.2 溶融塩処理法
    3.3 高温酸処理法1
    3.4 高温酸処理法2
  4. 精製後の超微粒ダイヤモンドの性質
    4.1 親水性の向上
    4.2 ダイヤモンド表面のエッチング
    4.3 ラマン散乱分光
(6) スラリーの構成<児玉 一志>
  1. スラリーの構成
    1.1 砥 粒
    1.2 添加剤
  2. スラリー組成と研磨性能
    2.1 シリコンウェハのポリシング材
    2.2 CMPスラリーの循環使用
    2.3 ポリシリコン用スラリーのアミン添加量と選択性

第6章 CMP後の表面状態の測定とその清浄化

(1) CMP後の表面測定とその実例<熊谷 多賀史>
  1. CMP後の表面状態の測定の目的
  2. 測定方式と測定結果
    2.1 測定の具体例
    2.2 膜厚測定以外の測定方法
  3. 膜厚測定の問題点と今後の課題
  4. 今後の課題
(2) CMP後の表面清浄化およびその評価<松永 正久>
  1. 洗浄に関する総論
    1.1 洗浄の汎用性
    1.2 半導体の洗浄
  2. CMPによる表面汚染・欠陥とその除去
    2.1 CMPによる表面汚染・欠陥
    2.2 CMP後の洗浄
  3. Hetheringtonの清浄化法
    3.1 清浄化の条件
    3.2 酸化物CMP後の清浄化
    3.3 CMP後の清浄化方法
  4. 東芝の発表
    4.1 物理洗浄(スクラバー洗浄)
    4.2 ケミカル洗浄
  5. 表面評価について
    5.1 生産ライン上測定とライン外測定
    5.2 CMP関連の測定の目標
    5.3 Hetheringtonの報告
    5.4 Tencorによる測定
(3) CMP後の洗浄技術 ―ケミカルメカニカルクリーニング<山下 義典>
  1. CMPプロセス
  2. 洗浄の基本コンセプト
  3. 装置の構成
  4. プロセス結果
  5. CMP装置とのインテグレーション
  6. 今後の課題

第7章 SiのCMP

(1) 単結晶SiのCMP<桝村 寿/工藤 秀雄>
  1. シリコンウェハの加工工程
    1.1 外周研削・OF/ノッチ加工
    1.2 切断加工
    1.3 面取り加工
    1.4 ラッピング加工
    1.5 エッチング加工
    1.6 鏡面面取り加工
    1.7 鏡面研磨(CMP)加工
    1.8 洗浄工程
  2. シリコンウェハのCMPプロセス装置および方法
    2.1 CMPプロセス装置
    2.2 シリコンウェハの研磨方法
  3. シリコンウェハのCMPプロセスに要求される加工品質
    3.1 平坦度
    3.2 表面粗さ(マイクロラフネス)
    3.3 加工歪
  4. シリコンウェハのCMP加工技術の今後の課題
(2) 超平坦化のための形状制御

1.両面ポリッシュ<甲斐 文隆>
  1. 平坦度の定義
  2. 次世代Siウェハに要求される品質
    2.1 品質動向
    2.2 次世代Siウェハの裏面仕様
  3. 両面ポリッシュの構造と加工原理
    3.1 両面ポリッシュの構造
    3.2 両面ポリッシュの品質の作り込み
    3.3 両面ポリッシュの課題
(2) 超平坦化のための形状制御

2.均等研磨<稲田 安雄>
  1. 精密研磨の定義
  2. 均等研磨
    2.1 相対速度
    2.2 均等圧力
  3. 研磨装置
    3.1 装置の構造材料
    3.2 定盤構造と複合運動
    3.3 ヘッド構造と均一加圧
    3.4 研磨レイトの安定化とドレッシング
  4. 研磨結果
    4.1 複合運動による研磨
    4.2 バックエアーによる研磨
  5. 今後の展開
(3) CMP表面の完全性<森田 悦郎>
  1. COPとパーティクルの区別
    1.1 COPのサイズ分布
    1.2 COPの形状
    1.3 分離方法
  2. ヘイズとマイクロラフネス
  3. 加工変質層
    3.1 サーマルウェーブ
    3.2 熱膨張変異計測法
(4) 洗浄<大見 忠弘/森田 博志>
  1. ウェット洗浄
    1.1  ウェット洗浄の要件
    1.2 RCA洗浄とUCT洗浄
    1.3 不純物除去のメカニズム
  2. 微粒子除去
  3. 金属汚染除去
  4. 有機物汚染除去
  5. リンス工程
  6. トータルプロセス
  7. 枚葉式ウェット洗浄機
  8. CMP後の洗浄
(5) デバイス応用

1.貼り合わせSOIウェハのCMP<田中 好一>
  1. 貼り合わせSOIウェハの概要
  2. 貼り合わせSOIウェハの製造工程
  3. 貼り合わせSOIウェハのCMP
  4. 貼り合わせSOIウェハのCMPの要素技術
    4.1  研磨ヘッドの構造
    4.2  研磨布の構造
    4.3 薄い貼り合わせSOIウェハのCMP
(5) デバイス応用

2.Poly Si CMPプロセスについて<宮下 直人/安部 正泰>
  1. ポリッシング性能を決めるパラメータ
    1.1 研磨スラリー
    1.2 研磨パッド
    1.3 ウェハ保持方法
    1.4 コンディショニング
    1.5 プロセス温度
  2. CMPがデバイス特性に与える影響について
    2.1 機械的プラナリゼーション加工におけるクリーン化
    2.2 スクラッチング
    2.3 オーバーポリッシュ

第8章 絶縁膜のCMP

(1) 酸化膜CMPの基礎と応用<林 喜宏>
  1. 酸化膜CMPと関連基礎工学
  2. スラリー物性とCMP
    2.1 スラリー組成
    2.2 固液分散系の物理化学とCMP
  3. 層間膜平坦化のメカニックス
    3.1 CMPによる平坦化現象
    3.2 高平坦化効率に向けての技術戦略
  4. スラリーリサイクル技術
(2) 有機SOGのCMP<本間 喜夫>
  1. 低誘電率層間絶縁膜を用いた多層配線
    1.1  低誘電率層間絶縁膜構造とCMP
    1.2 有機SOGを用いた低誘電率絶縁膜技術
  2. 有機高分子樹脂の研磨
  3. 有機SOGのCMP
    3.1 シリカ研磨剤を用いたCMP
    3.2 CMP速度の向上
    3.3 高純度の酸化セリウム粉末
    3.4 CeO2粉末の種類と研磨特性
    3.5 選択研磨のメカニズム
  4. 多層配線の試作
    4.1 有機SOGのCMPを用いた多層配線プロセス
    4.2 平坦化効果と配線特性
  5. 今後の課題
(3) 各種ガラス材料<泉谷 徹郎>
  1. ガラスの研磨機構
    1.1 研磨速度とガラスの物理化学的性質との関係
    1.2 水和層の形成
    1.3 研磨過程
    1.4 研磨機構のまとめ
  2. 研磨剤(砥粒)
    2.1 研磨に及ぼす研磨剤の効果
    2.2 研磨剤の硬さと研磨速度の関係
    2.3 研磨剤の働きと物性―まとめ
  3. ポリッシャー
    3.1 ポリッシャーの機能
    3.2 ポリッシャーの粘弾性的性質
    3.3 ポリッシャーのレオロヂカルな性質と研磨速度、表面粗さ、形状精度との関係
    3.4 ポリッシャーについてのまとめ
  4. シリカガラスの研磨機構
    4.1 石英ガラスの研磨と化学反応
    4.2 石英ガラスの研磨に及ぼす研磨剤の影響
    4.3 石英ガラスの研磨過程

第9章 W膜のCMP

(1) 各種砥粒によるCMP

1.タングステンCMP(アルミナ系)<矢野 博之>
  1. タングステンCMPの特徴
  2. タングステンCMPによるダマシンプロセス
  3. アルミナを用いたCMP後洗浄
(1) 各種砥粒によるCMP

2.二酸化マンガン系<岸井 貞浩>
  1. MnO2研磨剤の特長
  2. 研磨特性
(2) 加工形状<岸井 貞浩>
  1. 研磨を使ったプラグの形成方法
  2. エッチバックから研磨が採用された経緯
  3. 研磨プロセスのモデル
  4. 研磨プロセスの課題および問題点
    4.1 キーホール(keyhole)
    4.2 シニング(thinning)
    4.3 ディッシング(dishing)
    4.4 研磨後の洗浄
    4.5 ディンプル(dimple)
    4.6 スクラッチ
    4.7 終点検出
    4.8 装置の腐食
    4.9 スループット
    4.10 プロセスコスト
    4.11 環境への問題
(3) W CMPの課題と展望<有本 由弘>
  1. W CMPの課題
    1.1 研磨剤の制御
    1.2 研磨速度比
    1.3 研磨剤の循環再使用
    1.4 研磨布の課題
    1.5 研磨終点の検出
    1.6 層間膜CMPとの共通化
  2. これからのW CMPプロセス
    2.1 デュアルダマシン
    2.2 W CMPからAl、Cu CMPへ

第10章 Al、Cu膜のCMP

(1) Al-CMP<角田 一夫 >
  1. ウェハプロセスにおけるAl-CMPの使用工程
    1.1 Al プラグ
    1.2 Al ダマシン配線
  2. Al 埋め込み方法
    2.1 CVD-Al
    2.2 PVD-Al
  3. Al-CMP
    3.1 スラリー
    3.2 パッド
    3.3 研磨方法と後洗浄
  4. Al-CMPによるプラグコンタクトとダマシン配線のエレクトロマイグレーション
    4.1 プラグコンタクト特性
    4.2 ダマシン配線のエレクトロマイグレーション特性
(2) Cu-CMP<星野 雅孝>
  1. Cu配線形成方法
    1.1 RIE
    1.2 CMP
  2. Cu埋め込み方法
    2.1 CVD-Cu
    2.2 スパッタ・リフローおよびめっき
  3. Cu-CMP
  4. CuダマシンおよびCMPの利点と問題点
    4.1 エレクトロマイグレーション
    4.2 その他の利点と問題点
(3) AlおよびCuのCMPによる埋め込み配線技術の課題と展望<有田 睦信>
  1. 埋め込み配線の特徴と工程
  2. AlおよびCu配線技術の適用領域とCMP技術の課題

第11章 CMPの将来展望

(1) 固定砥粒研磨によるCMPの可能性<中川 威雄>
  1. CMPの特徴と技術課題
    1.1 凸部除去
    1.2 硬さの異なる異材質の同時加工
    1.3 グローバル平坦化
    1.4 微細な加工マージン
    1.5 表面粗さと表面損傷
    1.6 終点検出
    1.7 ポリシャの使用中の変化
  2. CMPと砥粒加工機械
    2.1 機械と工具と材料
    2.2 強制切り込み方式の研削盤
    2.3 自己倣いが可能なポリシング加工
    2.4 小径砥石による自己倣い研削加工
  3. ポリシャの工夫と固定砥粒の可能性
    3.1 多孔質軟質ポリシャの改良
    3.2 固定砥粒ポリシャ
(2) EPD研削法<池野 順一>
  1. EPD研削切断法
    1.1 加工原理
    1.2 加工性能
  2. EPDペレットの作製および研削・研磨への適用
    2.1 EPDペレットの作製法
    2.2 砥石の物理特性
    2.3 砥石の加工性能
(3) メカノケミカル砥石<安永 暢男>
  1. メカノケミカル砥石の特徴と優位性
  2. BaCO3砥石の試作と加工特性
  3. その他のメカノケミカル砥石
(4) フライカッティング<平田 照人>
  1. フライカッティング
  2. フライカッティングのその他の問題
  3. フライカットの応用
(5) PACE(Plasma Assisted Chemical Etching)技術<中野 正剛>
  1. 装置概要
    1.1 測定系
    1.2 エッチング反応系
  2. SOIウェハの薄膜化プロセス
  3. SOIウェハのPACEによる薄膜化
  4. PACE後のSOIウェハの品質評価
    4.1 重金属汚染
    4.2 結晶性評価
    4.3 表面粗さ
  5. PACE技術の限界
    5.1 膜厚修正能力
    5.2 最小取り代
  6. PACE技術の他の基板への応用


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■ 編集委員長
柏木 正弘アプライド マテリアルズ ジャパン(株)技師長
 
■ 編集委員
松永 正久東京大学名誉教授
安永 暢男東海大学工学部精密機械工学科教授
有本 由弘(株)富士通研究所 基盤技術研究所主管研究員
木下 正治(株)東芝 生産技術研究所技監
本間 喜夫(株)日立製作所 中央研究所ULSI研究部主任研究員
阿部 孝夫信越半導体(株)半導体磯部研究所研究主幹
 
■ 執筆者
柏木 正弘アプライド マテリアルズ ジャパン(株)技師長
前田 和夫(株)半導体プロセス研究所 代表取締役
村川 享男テクノディシプリナリーオフィス 所長
安永 暢男東海大学 工学部精密機械工学科 教授
土肥 俊郎埼玉大学 教育学部 教授
渡邉 純二名古屋工業大学 極微構造デバイス研究センター 客員教授
木下 正治(株)東芝 生産技術研究所 技監
黒部 利次金沢大学 工学部機械システム工学科 教授
左光 大和(株)岡本工作機械製作所 技術部次長
寺崎 忠士ロデール・ニッタ(株)技術部開発課 課長
松永 正久東京大学 名誉教授
落合 満日本アエロジル(株)市場開発部 次長
石田 昌司日本アエロジル(株)市場開発部 係長
吉田 明利前 日産化学工業(株)化成品機能製品事業部主幹/現 スピードファム(株)幕張テクノガーデン研究所 取締役研究所長
鈴村 聡(株)フジミインコーポレーテッド 商品開発部商品開発課 主任
塙 健三三井金属鉱業(株)総合研究所無機材料研究室室長
岸井 貞浩(株)富士通研究所 基盤技術研究所ULSIプロセス研究部 研究員
牧田 寛徳島大学 工学部電気電子工学科 助手
児玉 一志(株)フジミインコーポレーテッド 商品開発本部長
熊谷 多賀史アプライド マテリアルズ ジャパン(株)新製品開発部CMPプロジェクト部長
山下 義典セキテクノトロン(株)第1事業部オントラックシステムズ部長
桝村 寿信越半導体(株)半導体白河研究所加工研究部 研究員
工藤 秀雄信越半導体(株)技術本部技術部主席技術員
甲斐 文隆コマツ電子金属(株)長崎工場プロセス技術部加工技術課 課長
稲田 安雄不二越機械工業(株)開発研究室 主任技術員
森田 悦郎三菱マテリアルシリコン(株)プロセス技術部 課長
大見 忠弘東北大学大学院 工学研究科電子工学専攻教授
森田 博志東北大学大学院 工学研究科電子工学専攻研究員
田中 好一信越半導体(株)半導体白河研究所 主席研究員
宮下 直人(株)東芝 半導体生産技術推進センター半導体プロセス技術第1部 プロセス技術第4担当主査
安部 正泰(株)東芝 半導体生産技術推進センター半導体プロセス技術第1部 部長
林 喜宏日本電気(株)シリコンシステム研究所超高集積回路研究部 研究専門課長
本間 喜夫(株)日立製作所 中央研究所ULSI研究部 主任研究員
泉谷 徹郎元 HOYA(株)常務取締役 研究所長
矢野 博之(株)東芝 プロセス技術研究所 プロセス技術開発第3担当開発主務
有本 由弘(株)富士通研究所 基盤技術研究所 主管研究員
角田 一夫富士通(株)デバイス開発部第4プロセス開発部
星野 雅孝富士通(株)デバイス開発部第3プロセス開発部
有田 睦信日本電信電話(株)システムエレクトロニクス研究所第2プロジェクト 主幹研究員
中川 威雄東京大学 生産技術研究所第2部 教授
池野 順一豊橋技術科学大学 工作センター講師
平田 照人信越半導体(株)半導体磯部研究所 主席研究員
中野 正剛信越半導体(株)半導体磯部研究所 基礎研究部基礎第1研究室 研究員


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