• オンデマンド（On Demand：要求があり次第に）という意味の通り、お客様からの注文に応じてその都度印刷・製本をする販売形式を取っています。 そのため、ご注文を受けてから発送までに1週間～10日前後のお時間をいただきます。
• 受注生産のため、注文されてからのキャンセルはお受けできません。
• 装丁は厚紙表紙のみの簡単なものになり、カバー等も付きません。
• 【試読】および【お客様都合による返本】はお受けできません。
• 書店経由ではなく弊社との直接のお取引（直販）となります 。書店割引はありません。

■ 主要構成

第１部　基礎物性

第２部　評価技術

第３部　III－V族半導体の評価

第４部　Siの評価

第５部　測定装置

1. エネルギー・バンド構造
2. 電気的性質
3. 光学的性質

1. 総論
2. Alx Ga1-x As
3. Gax In1-x Asy P1-y
4. その他の混晶半導体
5. 混晶半導体の問題と展望

1. II-VI族化合物半導体
2. SiC

1. 結晶の表面
2. 核形成
3. らせん転位による成長
4. 荒れた面上での結晶成長
5. 融液成長における不純物ドーピング

1. 結晶成長法
2. ルツボ内の融液の流れ
3. ファセット効果
4. 磁界中での結晶引き上げ（MCZ）

1. 化合物半導体の相図
2. GaAsのバルク結晶成長
3. GaP、InPのバルク結晶成長
4. むすび

1. 転位とは？
2. ダイヤモンド型結晶と閃亜鉛鉱型結晶の特徴と積層欠陥
3. 転位の周りの原子配列

1. 転位の発生
2. 転位の増殖
3. 転位の易動度と不純物の効果
   3.1　Si中の転位の運動特性と不純物の効果
   3.2　GaAs中の転位の運動特性と不純物の効果

1. 不純物の転位線上のへの集積
2. 不純物による転位の固着

1. 塑性変形によって誘起される電気的に活性なセンター
2. 転位の光学的作用

1. SRH統計
2. 速度方程式（Rate Equation）
3. 詳細平衡の原理と各パラメータ間の関係
4. 深い準位の振舞い
5. キャリア寿命
6. 表面準位と表面再結合速度

1. エッチング前の処理
2. エッチング

1. ホトルミネッセンスによる欠陥の観察
2. 光吸収による欠陥の観察
3. 光散乱による欠陥の観察
4. 光音響法による欠陥の観察

1. 電子線回折による欠陥の観察
2. カソードルミネッセンスによる欠陥の観察
3. EBICによる欠陥の観察

1. X線透過回折法による欠陥の観察
2. X線反射回折法による欠陥の観察
3. X線散漫散乱法による微小欠陥の測定

1. 分析法
2. GaAs中の不純物の分析

1. 分析法
2. GaAs中の不純物の分析

1. 分析法
2. GaAs中の不純物の分析

1. 分析法
2. スパークイオン源質量分析装置
3. イオンマイクロアナライザ
4. GaAs中の不純物の分析
5. SIMSによるGaAs中の不純物分布の測定

1. 原理
2. RBSによるAu-GaAs界面の検討
3. PIXEによるGaAs、GaAlAs中のZn、Siの検討

1. 歴史的背景
2. 容量法とDLTS法の動作原理

1. ICTS法
2. DLFS法
3. 三点法によるemission rate e、容量差ΔCの測定

1. NT＜＜NDが成り立たない場合の測定誤差
2. 空乏層先端の非イオン化領域による誤差―λ効果
3. 測定精度について

1. 光DLTS法
2. 光容量分光法

1. 試料の作製法
2. 試料のマウント法

1. 配位座標モデル
2. 電子－格子相互作用が比較的小さい場合の発光スペクトル
3. 電子－格子相互作用が大きい場合の発光スペクトル

1. 原理
2. PL測定装置
   2.1　試料
   2.2　クライオスタットと試料ホルダー
   2.3　励起光源
   2.4　分光器
   2.5　検出器
   2.6　PL集光光学系
   2.7　その他
3. スペクトルの較正
   3.1　波長較正
   3.2　感度補正
   3.3　スペクトル表示に関する注意

1. 原理
2. 光吸収による測定
   2.1　吸収係数
   2.2　試料
   2.3　フーリエ分光法
   2.4　Deep Levelの定量分析
3. PASによる測定
   3.1　マイクロフォン法
   3.2　トランスデューサー法
   3.3　Deep Levelの定量分析

1. 光伝導の原理
2. 光伝導電流測定法
3. リーク電流（IL）による測定

1. HB法とLEC法
2. 大直径化と直径制御技術

1. 磁界印加結晶成長の歴史
2. 熱対流の抑制と無成長縞結晶育成
3. 磁界による点欠陥・転位の制御

1. GaAs結晶中の転位とその低減法
2. 熱応力低減による低転位密度化
3. 不純物添加による低転位密度化

1. 半絶縁性のメカニズム
2. 育成条件と比抵抗
   2.1　アンドープ結晶
   2.2　Crドープ結晶
   2.3　熱変成の制御

1. 転位分布
2. 比抵抗分布
3. ホトルミネッセンス分布
4. EL-2濃度分布
5. 転移分布との相関

1. はじめに
2. 混晶の原子配列
3. 欠陥準位の混晶効果
4. AlGaAs中のDX準位
5. 混晶中の欠陥の挙動
6. おわりに

1. 放射線照射によって導入された格子欠陥の電気的性質
2. 照射損傷の熱処理効果

1. GaAsにおける電気的活性化の概要
2. 基板依存性と基板の熱変成
3. アニール方法
4. 高温注入法とストイキオメトリ制御

1. イオン注入層の特性
2. FETの特性
   2.1　LEC結晶
   2.2　HB結晶
3. 転位とFETしきい値電圧
4. プロセス誘起の不均一性
5. アニール効果

1. はじめに
2. 光学損傷
3. ダークライン劣化
4. 反射面劣化
5. その他の劣化
6. 寿命

1. オーミック電極劣化
2. 電流ドリフト
3. 破壊現象
4. 寿命

1. 第１節　Si結晶中の酸素および炭素のふるまい
   1.1　酸素の析出とイントリンシック・ゲッタリング
2. 機械加工歪み層のゲッタリング効果
3. Si結晶中のAuおよびPtのふるまい
   3.1　拡散メカニズム
   3.2　Pt拡散における転位の影響
   3.3　ゲッタリング
   3.4　Au、Ptの作るdeep level
   3.5　PtドープSiダイオードにおける低温アニール効果
4. 大口径Si単結晶成長における問題点
   4.1　大口径化と転位
   4.2　Si融液の温度変動と微少欠陥
   4.3　大口径化における熱の問題
5. まとめ

1. 原理
2. 計算手順
3. 測定の実例

1. 原理
2. 測定の実際

1. 測定原理
2. 解析法
3. 解析例

1. 開発の背景
2. PL-83型の開発
   2.1　仕様説明
   2.2　装置の特徴
   2.3　PL-83型による測定例
3. PL-OPS型の開発の背景
   3.1　PL-OPS型の開発
4. PL-OPS型装置の概要
   4.1　OPS（Optical Scanner,特許公開中）の原理
   4.2　大型金属デュアーの開発
   4.3　装置の構成
   4.4　PL-OPS型による測定例
   4.5　今後の課題

はじめに
1. 4063Aの測定機能
   1.1　システムを構成する測定器
   1.2　各種テストフィクスチャ／テストリード類
   1.3　システム・コントローラ
2. ソフトウェアの構成
   2.1　アプリケーション・プログラム
   2.2　「メジャメント＆ディスプレイ」および「テストシーケンス・プログラム」

1. 機能
   1.1　機器構成
   1.2　機能概要
   1.3　動作原理
2. 仕様
   2.1　容量計の仕様
   2.2　プリプロセサの仕様
3. 特徴
   3.1　高速容量計
   3.2　自動測定
   3.3　対数時間軸のトラジェントメモリ
   3.4　雑音低減化
   3.5　C-T特性測定の高速化

はじめに
1. ウェハーアナライザシステム17D06構成および概要
   1.1　性能
2. ウェハーアナライザ17D060システム物理量解析・評価パラメータ及び特徴
   2.1　評価パラメータ（C-V、C-T）
   2.2　評価パラメータ（DLTS）
   2.3　特徴
3. オプション
   3.1　パルスドC-V特性
   3.2　Zieglerの補正式によるドーピングプロファイル
   3.3　CC-DLTS測定（等容量－DLTS測定）
   3.4　光DLTS
   3.5　電流DLTS
   3.6　システムの具体的測定解析例

化合物半導体の物性定数表＜竹田　美和 編＞