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■ 主要構成

第１章　半導体技術における誘電体薄膜の重要性とその限界性

第２章　高誘電率薄膜の形成とその特性

第３章　強誘電体薄膜の形成とその特性

第４章　強誘電体薄膜の材科物性と評価技術

第５章　強誘電体薄膜の集積化と新デバイスの展望

1. メモリと誘電体
2. 高誘電率薄膜
   2.1　Si3N4
   2.2　Ta2O5、Y2O3、HfO2など
   2.3　SrTiO3、（Ba、Sr）TiO3など
3. 高誘電率薄膜の形成
4. 強誘電体の特徴
   4.1　強誘電性
   4.2　強誘電体の結晶構造
   4.3　自発分極とヒステリシスループ
   4.4　強誘電体と蓄積電荷
5. 強誘電体を用いた不揮発性メモリ
6. 強誘電体薄膜材料と問題点

1. 強誘電体とその半導体応用の意義
   1.1　強誘電体膜
   1.2　強誘電体の半電体デバイスヘの応用
2. デバイス応用例
   2.1　不揮発性メモリ関連
   2.2　DRAM関連
3. 今後の課題
   3.1　材料性能
   3.2　半導体プロセス導入

1. 誘電体薄膜の電子部品への応用
   1.1　能動部品への応用
   1.2　受動部品への応用
   1.3　機能部品への応用
2. 光学部品用誘電体薄膜
   2.1　誘電体光学材料
   2.2　光制御素子用誘電体材料
   2.3　薄膜型光制御素子
3. 焦電薄膜
   3.1　焦電効果と焦電材料
   3.2　焦電薄膜材料
   3.3　焦電薄膜型赤外線センサ
4. 圧電薄膜
   4.1　圧電効果と圧電材料
   4.2　圧電薄膜材料
   4.3　圧電薄膜の応用

1. 形成技術
   1.1　陽極酸化法
   1.2　熱酸化法
   1.3　反応性スパッタ法
   1.4　CVD法
2. 反応性スパッタによる酸化タンタル膜の形成と膜特性
   2.1　形成方法
   2.2　形成条件
   2.3　Ta22O5膜の特性
   2.4　半導体素子への適用
3. CVD酸化タンタル膜の形成技術と特性
   3.1　形成方法と段差被覆形状
   3.2　高絶縁耐圧化、高信頼化熱処理技術
   3.3　UVO3アニールによる絶縁耐圧向上メカニズム
   3.4　DRAM素子への適用

1. PZT系薄膜
   1.1　PbTiO3
   1.2　PZT（Pb（Zr、Ti）O3）
   1.3　PLZT（（Pb、La）（Zr、Ti）O3）
2. BaTiO3、SrTiO3系薄膜
3. 電極材料の検討

1. 薄膜形成に必要な条件
2. 薄膜形成法の分類と特徴
   2.1　物理的成膜法
   2.2　化学的成膜法
3. 強誘電体薄膜の応用例
   3.1　焦電体膜
   3.2　圧電体膜・電気光学膜

1. スパッタ現象
2. スパッタ装置
   2.1　スパッタ装置の種類
   2.2　高周波スパッタリング
   2.3　マグネトロンスパッタリング
   2.4　反応性スパッタリング
   2.5　原子層エピタキシー
3. 強誘電体スパッタ膜の特性
   3.1　微細構造
   3.2　電気的特性

1. CVD法によるPZT系強誘電体薄膜の作成
   1.1　ソース原料
   1.2　CVD装置
   1.3　CVD成膜反応過程
2. PZT系強誘電体薄膜の結晶構造
   2.1　PZT薄膜の結晶構造の配向性
   2.2　PLZT薄膜の結晶構造
3. PLZT薄膜の光学的特性
4. PZT系強誘電体薄膜の電気的特性
   4.1　比誘電率および誘電損失
   4.2　強誘電性
   4.3　PZT薄膜の焦電特性
   4.4　PZT薄膜の過度
5. 光CVD法による強誘電体薄膜の成長

1. ゾルーゲル法による誘電薄膜の作製方法
2. 薄膜の結晶化過程
3. 薄膜の結晶化学および電気的特性
   3.1　基板によるPZT薄膜の配向性
   3.2　ゾル溶液による配向・粒径制御
   3.3　電気的性質
4. 他の強誘電薄膜の研究例

1. レーザ・アブレーション法とは
2. レーザ・アブレーション装置
3. 強誘電体薄膜作製への応用
   3.1　膜の作製条件の検討
   3.2　膜の強誘電性の評価

1. JETデポジション
2. EACVD
3. 液相CVD
4. 活性化反応蒸着
5. パルス分子線反応蒸着
6. イオンアシステッド蒸着
7. 多元ICB法
8. 化学輸送法
9. 電気化学蒸着法（EVD）
10. 原子層エピタキシー（ALE）
11. 溶射
12. 噴霧熱分解法
13. 泳動電着法
14. 液相析出法
15. 水熱法
16. ガスデポジション法
17. 液相エピタキシー法（LPE）
18. 融液凝固法

1. 強誘電体薄膜材料
2. 強誘電体薄膜の性質
   2.1　分極
   2.2　強誘電体薄膜の空間電荷の問題
   2.3　誘電性
   2.4　焦電性
   2.5　圧電性
   2.6　光学的特性

1. 薄膜電子材料として共通の評価技術
2. 強誘電体特性の評価技術
   2.1　比誘電率εrと誘電損失正接tanσ
   2.2　P-Eヒステリシスの測定
   2.3　分極反転電流、反転時間の測定
   2.4　分極反転に依存した劣化の測定
3. メモリキャパシタ用薄膜としての評価技術
   3.1　リーク電流
   3.2　記憶保持力
   3.3　絶縁破壊
   3.4　経時絶縁破壊
   3.5　エージング
   3.6　疲労
4. 総合報告

1. アブラミ理論
2. 分極反転の格子モデル

1. DRAMセル構造の変遷
   1.1　1MOSFET+1キャパシタ型DRAMセル
   1.2　メモリセル構造の変遷
2. DRAM動作から見たギガビットDRAMの目標性能
   2.1　DRAMの電源電圧の推移
   2.2　DRAMセルの蓄電電荷量の推移
   2.3　ギガビットDRAMセルの目標性能
3. ギガビット強誘電体DRAMのセル構造と技術課題
   3.1　メモリセル構造
   3.2　強誘電体の薄膜化限界と立体化セル
   3.3　プレート電圧と抗電場

1. 不揮発性メモリの技術動向
   1.1　不揮発性メモリとは
   1.2　不揮発性メモリの位置づけ
   1.3　書き換え回数／大容量化
   1.4　書き換え速度
   1.5　不揮発性メモリの将来動向
2. 強誘電体不揮発性メモリのデバイス技術
   2.1　強誘電体不揮発性メモリの基本動作原理
   2.2　トランジスタ／キャパシタ構造セルの動作原理
   2.3　実デバイス作製例
   2.4　強誘電体キャパシタの電気特性
3. 強誘電体不揮発性メモリの製造技術
   3.1　強誘電体材料
   3.2　強誘電体成膜技術
   3.3　微細加工技術
   3.4　電極技術

1. 動作原理と理論解析
   1.1　動作原理
   1.2　MFS-FETの基礎特性の理論解析
2. MFS-FETの作製
   2.1　PbTi03薄膜の成長
   2.2　MFIS構造の電気的特性
   2.3　MFS-FETの作製
3. MFS-FETの諸特性
   3.1　ドレイン電流－ゲート電圧特性
   3.2　スイッチング時間
   3.3　読み出し特性
   3.4　メモリ保持特性
   3.5　書き換えによる劣化特性